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公开(公告)号：CN1905072B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200610110018.2
申请日：2006-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/10 , G11C16/24
Abstract: 一种用于非易失半导体存储器设备的页缓冲器，包含：开关，被配置来将耦合于第一存储器单元的第一比特线耦合到耦合于第二存储器单元的第二比特线；第一锁存块，耦合于第一比特线，并且被配置来将第一锁存数据传送给第一存储器单元；以及第二锁存块，耦合于第二比特线及第一锁存块，并且被配置来将第二锁存数据传送给第二存储器单元。
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公开(公告)号：CN101625896A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910158752.X
申请日：2009-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/20
Abstract: 提供了一种多层非易失性半导体存储器的自适应控制的方法和设备，该设备包括：多个存储单元，被组织成多个组；和控制电路，具有查找矩阵，用于提供该多个组的每一个的控制参数，其中每个组的特征被存储在该查找矩阵中，以及每个组的控制参数对应于所存储的该组的特征；该方法包括：将多个存储单元组织成多个组；将每个组的特征存储在查找矩阵中；提供多个组的每一个的控制参数，其中每个组的控制参数对应于它的存储的特征；以及根据它的提供的控制参数驱动每个存储单元。
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公开(公告)号：CN101419835A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810179901.6
申请日：2008-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3418
Abstract: 提供一种包含多个垂直堆叠层的闪速存储器设备。这些层的每层包括多个存储器单元。行解码器电耦合到所述多个层并被配置成向所述多个层提供字线电压。在所述多个层的至少两层中提供的存储器单元属于相同存储器块并且与所述多个层的至少两层的存储器单元相关联的字线电耦合。
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公开(公告)号：CN101221813A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710306135.0
申请日：2007-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C16/349 , G11C16/3495
Abstract: 在包括闪存设备和控制闪存设备的存储控制器的存储系统中设置读取电压的方法，包括顺序改变分布读取电压以从闪存设备读取页数据；构成具有数据位号和分布读取电压的分布表，该数据位号指示分别从闪存设备读取的页数据中的擦除状态，分布读取电压对应于读取页数据；根据分布表检测对应于数据位号的分布读取电压，每个数据位号表示存储单元的可能的单元状态的最大点；并根据检测的分布读取电压定义新的读取电压。
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公开(公告)号：CN101174457A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710199906.0
申请日：2007-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0408 , G11C11/5621 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C2211/5641 , G11C2211/5642
Abstract: 一种包括多个存储块的闪存器件。在多个存储块中的被选存储块包括2n页数据。该被选存储块包括能够存储不同数目的位的不同类型存储单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110689913B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201810730072.X
申请日：2018-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括以字线和位线布置的多个存储器单元；电压产生器，产生施加到字线之中的选择的字线的编程电压脉冲、施加到字线之中的与选择的字线相邻的第一未选择的字线的第一通过电压以及施加到字线之中的不与选择的字线相邻的第二未选择的字线的第二通过电压；以及控制逻辑，迭代地增大编程电压脉冲并且根据编程电压脉冲的增大的迭代来不同地增大第一通过电压和第二通过电压。
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公开(公告)号：CN102831076B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201210196929.7
申请日：2012-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G11C11/5628 , G06F12/0246 , G06F2212/7203 , G11C16/3418 , G11C16/3454 , G11C2211/5641
Abstract: 公开了一种用于包括多位存储设备和存储控制器的数据存储设备的片上缓冲编程方法。该片上缓冲编程方法包括：测量数据存储设备的性能；判断所测量的性能是否满足数据存储设备的目标性能；以及根据判断结果选择多个调度方式中的一个作为数据存储设备的片上缓冲编程调度方式。
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公开(公告)号：CN103578523B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201310311596.2
申请日：2013-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10 , G11C11/4063 , G11C11/413 , G11C16/06
CPC classification number: G11C7/1057 , G11C11/5642 , G11C16/00 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/3431 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/44
Abstract: 本发明提供了存储器件、存储系统及控制存储器件的读取电压的方法。所述存储器件包括：具有多个存储器单元的存储器单元阵列；以及包括多个页面缓冲器的页面缓冲单元，所述多个页面缓冲器配置为对以不同的读取电压电平分别从所述多个存储器单元中的一些存储器单元中顺序读取的多个数据片段进行存储，并且所述多个页面缓冲器配置为对所述多个数据片段分别执行逻辑操作。所述存储器件还包括计数单元，该计数单元配置为基于所述逻辑操作的结果来对由所述不同的读取电压电平所限定的多个段中的每一段内存在的存储器单元的数量进行计数。
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公开(公告)号：CN107134295A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710066100.8
申请日：2017-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/56
CPC classification number: G06F1/20 , G06F11/073 , G06F11/3037 , G06F11/3051 , G06F11/321 , G06F12/16 , G11C29/56
Abstract: 本发明提供一种存储器诊断系统。所述存储器诊断系统包括存储器装置和服务器。存储器装置包括：存储器模块，被配置为响应于参数控制信号调整操作参数；存储器控制器，被配置为响应于反馈信号生成参数控制信号；存储器状态监视器，被配置为监视存储器模块，以生成包括关于存储器模块的状态的信息的信息信号。服务器被配置为响应于信息信号生成反馈信号。
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