半导体器件
    31.
    发明公开
    半导体器件 审中-公开

    公开(公告)号:CN110718590A

    公开(公告)日:2020-01-21

    申请号:CN201910630460.5

    申请日:2019-07-12

    Abstract: 一种半导体器件,包括:鳍式有源区,其在衬底上沿着与衬底的上表面平行的第一方向延伸;和源极/漏极区,其在延伸到鳍式有源区内的凹陷区内,其中,源极/漏极区包括:第一源极/漏极材料层;在第一源极/漏极材料层上的第二源极/漏极材料层;和在第一源极/漏极材料层和第二源极/漏极材料层之间的界面上的第一掺杂物扩散阻挡层。

    质量流量控制器、制造半导体器件的设备及其维护方法

    公开(公告)号:CN109872957A

    公开(公告)日:2019-06-11

    申请号:CN201811300458.3

    申请日:2018-11-02

    Abstract: 公开了质量流量控制器、用于制造半导体器件的设备及其维护方法。质量流量控制器可以控制被提供到腔室中的气体的量。质量流量控制器可以构造成在最初使用质量流量控制器时,获得以标准流速提供到腔室中的气体的绝对体积。质量流量控制器可以被构造为在质量流量控制器已经使用预定时间之后,获得以测量流速提供的气体的检测流速。质量流量控制器可以构造成比较检测流速和标准流速,以验证测量流速的满刻度误差。

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