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公开(公告)号：CN111133457B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201880062220.3
申请日：2018-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06N3/08 , G06N3/0464 , G06N20/00
Abstract: 公开了一种电子设备。电子设备包括存储装置和处理器，该处理器基于步幅信息对目标数据和内核数据执行卷积处理，该步幅信息指示内核数据被应用于存储在存储装置中的目标数据的间隔，其中，该处理器基于第一步幅信息将目标数据划分为多条子数据，基于不同于第一步幅信息的第二步幅信息对多条子数据和分别与多条子数据相对应的多条子内核数据执行卷积处理，并且组合多个处理结果。通过基于第一步幅信息划分内核数据来获得多条子内核数据，并且，第二步幅信息可以指示内核数据被应用于目标数据的间隔是1。
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公开(公告)号：CN116891747A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310350701.7
申请日：2023-04-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K13/00 , C23F1/20 , C23F1/26 , C23F1/30 , C23F1/36 , C23F1/38 , C23F1/40 , C23F1/02 , H01L21/3213 , C09K13/06
Abstract: 提供蚀刻组合物、通过使用其蚀刻含有金属的膜的方法、和通过使用其制造半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括氧化剂、铵盐、含水溶剂、和加速剂。所述铵盐包括铵阳离子和有机阴离子，和所述加速剂包括由式1‑1表示的化合物、由式1‑2表示的化合物、由式1‑3表示的化合物、由式1‑4表示的化合物、由式1‑5表示的化合物、由式1‑6表示的化合物、或其任意组合，其中，在式1‑1至1‑6中，Ar1、X1至X3、Y1、T1、T1a、R2、Z1、a1和A1各自如说明书中所定义的。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN112151358B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202010258067.0
申请日：2020-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H10B12/00 , G03F1/76 , G03F1/56 , G03F1/48
Abstract: 本发明公开了一种形成图案的方法、制造集成电路器件的方法以及该集成电路器件。该形成图案的方法包括：在第一区域和第二区域中在目标层上形成包括多个硬掩模层的硬掩模结构；在第一区域中形成第一光致抗蚀剂图案并在第二区域中形成第二光致抗蚀剂图案；通过将第一和第二光致抗蚀剂图案的形状转印到作为所述多个硬掩模层之一的可逆硬掩模层，形成包括多个开口的可逆硬掩模图案；通过用间隙填充硬掩模图案材料填充形成所述多个开口中的形成在第一区域中的开口，形成间隙填充硬掩模图案；以及通过在第一区域中将间隙填充硬掩模图案的形状转印到目标层并在第二区域中将可逆硬掩模图案的形状转印到目标层，由目标层形成特征图案。
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公开(公告)号：CN113424392A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080013866.X
申请日：2020-03-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种包括多个电池子组的电池模块和包括该电池模块的电子设备。电池模块包括：电池组，包括多个电池子组；电力输送电路，可连接到多个电池子组；多个开关，连接在多个电池子组与电力输送电路之间；以及至少一个处理器，被配置为控制多个开关以，在第一时间间隔期间将存储在第一电池子组中的电力传输到电力输送电路，并且在第二时间间隔期间将存储在电力输送电路中的电力传输到第二电池子组。本文还提供了其他各种实施例。
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公开(公告)号：CN111095304A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880057625.8
申请日：2018-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种电子设备及其方法被提供用于执行深度学习。所述电子设备包括：存储器，被配置为存储目标数据和核数据；以及处理器，包括以矩阵形状布置的多个处理元件。所述处理器被配置为：将目标数据中包括的多个第一元素中的第一非零元素输入到所述多个处理元件中的每个，并将核数据中包括的多个元素中的第二非零元素顺序地输入到所述多个处理元件中的第一行中包括的多个第一处理元件中的每个。所述多个第一处理元件中的每个被配置为基于第一非零元素的深度信息和第二非零元素的深度信息执行输入的第一非零元素与输入的第二非零元素之间的运算。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1716606A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510078351.5
申请日：2005-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L29/94 , H01L29/93 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/0808 , H01L27/0811 , H01L29/93 , H01L29/94
Abstract: 本发明公开了一种具有MOS变容二极管的半导体器件及其制造方法。MOS变容二极管包括金属栅极电极、置于金属栅极电极和半导体衬底之间的有源半导体板、和置于金属栅极电极和有源半导体板之间的电容器介电层。另外，下部绝缘层将MOS变容二极管与半导体衬底绝缘。根据本发明，金属栅极电极用于减少多晶硅耗尽，从而增大变容二极管的调谐范围，并制造可靠的金属电阻器而无需额外的光掩模。
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公开(公告)号：CN111788582B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201880089689.6
申请日：2018-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电子设备。所述电子设备包括：第一存储器，被配置为存储包括多个第一元素的第一人工智能(AI)模型；以及处理器，包括第二存储器。第二存储器被配置为存储包括多个第二元素的第二AI模型。所述处理器被配置为基于第二AI模型从输入数据获取输出数据。第一AI模型通过AI算法被训练。所述多个第二元素中的每一个第二元素包括在所述多个第一元素中的各个第一元素中包括的多个位中的至少一个较高位。
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公开(公告)号：CN112514083B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201980048591.0
申请日：2019-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/05 , H01L31/0352 , H02S40/30 , H01L31/0232 , H01L31/0216
Abstract: 根据各种实施例，一种电子设备包括：聚合物，包括多个量子点；至少一个第一太阳能电池，被设置在聚合物的下部；以及至少一个第二太阳能电池，被设置在聚合物的侧部；以及电池，被配置为用来自第一太阳能电池或第二太阳能电池中的至少一个的电能进行充电，其中：第一太阳能电池在第一波段中具有大于或等于阈值的转换效率；第二太阳能电池在与第一波段不同的第二波段中具有大于或等于阈值的转换效率；并且穿过聚合物的光的波长可以在第一波段内，而被多个量子点中的至少一部分量子点吸收然后被重发射的光的波长可以在第二波段内。其他各种实施例是可能的。
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公开(公告)号：CN111295675B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN201880070720.1
申请日：2018-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供用于在神经网络中处理卷积运算的方法和装置。该装置可以包括：存储器，以及处理器，其被配置为：从存储器中读取存储在存储器中的输入数据的划分的块之一；通过利用内核对划分的块之一执行卷积运算来生成输出块；通过使用输出块来生成特征图；以及将特征图写入到存储器。
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公开(公告)号：CN112151358A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010258067.0
申请日：2020-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L27/108 , H01L21/8242 , G03F1/76 , G03F1/56 , G03F1/48
Abstract: 本发明公开了一种形成图案的方法、制造集成电路器件的方法以及该集成电路器件。该形成图案的方法包括：在第一区域和第二区域中在目标层上形成包括多个硬掩模层的硬掩模结构；在第一区域中形成第一光致抗蚀剂图案并在第二区域中形成第二光致抗蚀剂图案；通过将第一和第二光致抗蚀剂图案的形状转印到作为所述多个硬掩模层之一的可逆硬掩模层，形成包括多个开口的可逆硬掩模图案；通过用间隙填充硬掩模图案材料填充形成所述多个开口中的形成在第一区域中的开口，形成间隙填充硬掩模图案；以及通过在第一区域中将间隙填充硬掩模图案的形状转印到目标层并在第二区域中将可逆硬掩模图案的形状转印到目标层，由目标层形成特征图案。
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