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公开(公告)号：CN105157585A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510606559.3
申请日：2015-09-22
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种同时获取薄膜折射率与厚度的双标准干涉片拟合法，它只需将待测薄膜镀制在两种镀有一层已经形成干涉但不同折射率薄膜的标准干涉片上，即可通过同时拟合两种标准干涉片镀膜前后的透(或反)射光谱，同时精确地获取待测薄膜的厚度与折射率，膜厚测量极限高达1nm，相对于传统方法30nm测量极限具有很大提高。另外，该方法由于同时对两种标准干涉片进行拟合，可以极大地减小测试系统的误差，显著降低对测试系统性能的要求和成本。而且，本发明方法适用于镀膜系统的在线检测与监控，可以在工业生产或者科学研究中推广使用。
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公开(公告)号：CN103107230B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201110358927.9
申请日：2011-11-14
申请人： 常州光电技术研究所 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0248 , G01J1/42
摘要： 本发明公开了一种量子阱太赫兹探测器，该探测器由多量子阱芯片和超导磁体系统组成。通过施加外加磁场，对多量子阱芯片势垒层中施主能级与势阱层中子带能级间相互作用进行有效调控，导致电子从势阱层中基态子带能级向势垒层中施主能级转移，并利用势垒层中施主能级间的电子跃迁来探测入射THz辐射。本发明在外加磁场增加到临界磁场Bc以后，由于利用了施主能级间的电子跃迁来进行THz探测，本发明的量子阱太赫兹探测器不需要光栅耦合或45度磨角耦合，能在正入射条件下吸收响应THz辐射，克服了传统量子阱结构探测器原理上导致的缺点，大幅度提高了响应度。
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公开(公告)号：CN104760929A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510106443.3
申请日：2015-03-10
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种用作光学微腔的GaSb纳米盘的制备方法，该方法的特征在于：GaAs纳米线的生长遵循的是气—液—固机制下的轴向生长模式，而GaSb纳米盘遵循的却是气—固机制主导下的二维生长。GaSb生长过程中的主要参数包括衬底温度、Ga源和Sb源BEP束流值以及相应的V/III束流比。而且，可通过改变生长时间来调整纳米盘的大小。采用本发明中所述的分子束外延生长方法，所得到的GaSb纳米盘形状规则、表面平整、晶体质量高且不含任何缺陷，同时纳米盘的尺寸可以灵活调控。GaSb纳米盘在纳米激光器、生物传感器件方面有着潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN103105190B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201110358851.X
申请日：2011-11-14
申请人： 常州光电技术研究所 , 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海宇豪光电技术有限公司 , 江苏奥蓝工程玻璃有限公司 , 中科德孵镀膜科技(南通)有限公司
摘要： 本发明公开了一种镀膜速率的精确标定方法及其应用，方法为：制备包括衬底和干涉膜的标准基片；制备方法为：在衬底上引入一层足以形成干涉的干涉膜；测量标准基片的透射谱或反射谱；将待测速率薄膜镀制在标准基片上一段时间；测量镀膜后的标准基片的透射谱或反射谱；比较镀膜前后透射谱或反射谱，根据峰位的变化量计算出镀膜厚度从而计算出镀膜速率。本发明在衬底上预先引入一层足以形成干涉的干涉膜，在此基础上，只要在标准基片上镀制厚度极薄的待测薄膜，即可引起干涉峰位的明显偏移，远远高于传统方法直接在衬底上镀制待测薄膜前后透射谱的强度变化，可以显著提升标定精度，特别适用于在线检测和实时监控，尤其适合对超低镀膜速率的精确标定。
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公开(公告)号：CN103105011B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310040103.6
申请日：2013-01-31
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海德福光电技术有限公司
IPC分类号： F24J2/48 , B32B15/04 , C23C14/35 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/14 , C23C14/16
CPC分类号： Y02E10/40
摘要： 本发明公开了一种适于中高温热利用的太阳能选择性吸收膜系及其制备方法。该太阳能选择性吸收膜系自下而上依次包括镀制在金属基底上的红外高反射银薄膜、铜薄膜、钛铝氮氧薄膜、氧化锌锡锑薄膜以及二氧化硅薄膜。本发明的吸收膜系太阳能吸收率大于96%，发射率小于2%，具有超低发射率，光热转换效率高的特点，同时膜系中的氧化锌锡锑材料镀膜速率高，利于提高生产效率。该膜系可广泛应用于太阳能光热转换的集热器，适合于太阳能热利用在建筑一体化产品方面的应用，尤其适合于中高温太阳能热利用产品的广泛使用。本发明的吸收膜系可通过工业化磁控溅射制备方法在大面积基底上连续镀制，实现低成本大规模高效生产。
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公开(公告)号：CN104538482A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410748129.0
申请日：2014-12-09
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0304
CPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0236 , H01L31/0304 , H01L31/035209
摘要： 本发明公开了一种微管谐振腔量子阱红外探测器，自下而上依次包括：衬底、缓冲层、牺牲层、金属下电极、金属上电极、螺旋管状的功能薄膜层，其中，螺旋管状功能薄膜层由应力层、下电极层、腐蚀阻挡层、量子阱层、减薄层组成。本发明将量子阱内嵌在微管的管壁中，利用谐振腔的共振原理，将入射光限制在管壁中并沿其传播从而被量子阱吸收。本发明的优点：一、光耦合能力强，能够将入射光限制在管壁中形成共振增强，从而提高量子阱的吸收，改善器件灵敏度和量子效率；二、更宽的探测视角，微管的螺旋结构能够接受180°方向内入射光；三、微管的直径可调性，便于用户设计，简单的腐蚀即可获得不同直径微管以满足器件不同探测波长需求。
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公开(公告)号：CN104359555A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410546472.7
申请日：2014-10-16
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： G01J3/28
摘要： 本发明公开了一种基于数字微反射镜的便携式高光谱重构器，包括：分光器，所述的分光器将进入系统的光按不同波长分光并输出；通道选择器，所述的通道选择器不同空间通道控制着不同波长汇聚光斑的传输，并可自由选择哪些通道的光斑能够进入后续系统；光汇聚器，所述的光汇聚器将不同通道的光斑汇聚成一个极小的光斑并输出。该重构器可预先利用标准光源和大型高精度谱仪对每个通道进行高精度光谱定标，然后结合实际测得的样品光谱曲线重构出突破系统自身光谱分辨极限的光谱数据，从而提升便携式光谱系统的光谱分辨能力。
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公开(公告)号：CN104155712A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410401844.7
申请日：2014-08-15
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种光通信用近红外滤光片，滤光片采用光学玻璃、宝石等透明或有色玻璃为衬底，在两面分别镀制带通滤光膜和增透膜，使其可以对760-900nm高效透过，400-760nm、900-1100nm波段进行截止，确保近红外波段信号光高效透过外、其他波段(尤其是可见光)杂散光截止以获得高信噪比，该滤光片膜系光谱曲线的通带透过率高、通带形状逼近矩形、通带波纹小，带外截止深、截止范围宽，同时减少了膜系的定位要求，提高了成品率。通过本发明的膜系结构和制备方法所制备的光通信用近红外滤光片可以在获取尽可能多信号光的同时有效抑制其他波段杂散光的影响，显著提高了信噪比。
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公开(公告)号：CN104034669A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410258822.X
申请日：2014-06-12
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
摘要： 本发明公开了一种光学微腔的光子等频图和能带结构一次成像装置，至少包括一个无限筒长的显微物镜、一套配有二维CCD的光栅光谱仪、一套显微镜照明系统、一根光纤、一个单色仪、一个宽带光源和一套成像系统；光子等频图和能带结构测量由以下部件实现：根据阿贝正弦关系将无限筒长显微物镜作为一种将波矢空间直接转换到实空间的变换器件，形成切向波矢和后焦平面上垂轴方向坐标位置的线性对应关系，探测光路上光谱仪配备的二维CCD通过成像系统和物镜后焦平面共轭，通过单色仪和的光谱仪配合使用获得所测样品的光子等频图和能带结构。本发明实现了光子等频图和能带结构的方便、一次成像测量，可以应用于微纳光学领域的光学性质测量。
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公开(公告)号：CN103762220A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410021014.1
申请日：2014-01-17
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种等离激元微腔耦合结构的高线性偏振度量子阱红外探测器，该探测器由上层金属线条形成的金属光栅层、量子阱红外光电转换激活层和下层金属反射层组成。本发明的优点是：1.利用上层金属光栅与下层金属反射层之间等离激元共振所形成的电磁波近场耦合微腔的模式选择效应，使得能够进入到微腔的光子以那些能够与探测波长偏振模式形成共振的光子为主。2.进入到微腔中的光子其电矢量方向在微腔模式的调制下由x方向改变为z方向，能够被量子阱子带跃迁吸收形成光电转换过程。由于以上特点，本发明的偏振耦合结构能够极大地提高偏振响应的消光比，使探测器具有极高的偏振分辨能力。
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