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公开(公告)号：CN117926417A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311866353.5
申请日：2023-12-29
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料及其制备方法和应用，属于材料技术领域。所述晶体材料的化学式为：A4XGa9Q15；A选自碱金属Li或Na；X选自卤族元素Cl、Br或I；Q选自硫族元素S、Se或Te；Ga为金属镓；晶体结构为非中心对称结构，空间群为R3，属于三方晶系；晶体材料A4XGa9Q15在1910nm的激光照射下的倍频效应是商业化AGS的0.7～2.0倍，其LIDT是商业化AGS的7.0～15.0倍；其粉末红外透过范围是0.5～25.0μm；其带隙值是2.8～3.4eV；具有优良的非线性光学性能，是一种新型的红外非线性光学材料。
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公开(公告)号：CN115182049A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210852870.6
申请日：2022-07-20
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一种晶体A5Ga9Q16的制备方法及其作为非线性光学材料应用，其中，A选自K、Rb或Cs；Q选自S或Se。所述无机化合物晶体的结构由四面体GaQ4通过共点或共边连接形成三维[Ga9Q16]5‑阴离子框架，阳离子A+离子填充孔洞；属于单斜晶系，Pc空间群。NLO效应是商用AgGaS2的0.3～3.0倍；激光损伤阈值是商用AgGaS2的1～30倍。可用于用于激光测距、激光制导或激光雷达。
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公开(公告)号：CN114908423A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210411436.4
申请日：2022-04-19
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一种含两种碱金属的三维无机化合物晶体。所述含两种碱金属的三维无机化合物晶体具有式I所示的化学式：ALiGa6Q10其中，A选自除锂以外的碱金属元素中的一种；Q选自硫属元素中的一种；所述含两种碱金属的三维无机化合物晶体属于单斜晶系，Cc空间群。本申请进一步公开了该晶体的制备方法。通过该制备方法所得到的含两种碱金属的三维无机化合物晶体，具有非常好的激光损伤阈值和非线性光学效应，适合多种场合的应用，具有非常好的应用前景和价值。
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公开(公告)号：CN113235163A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110340013.3
申请日：2021-03-30
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种无机化合物晶体CsSb5S8及其制备方法、应用。所述的无机化合物晶体的化学式CsSb5S8，属于单斜晶系，空间群为P21/n。晶胞参数为Z＝4。该无机化合物晶体的玻璃化温度约为202℃，晶态的电导率是玻璃态的1.2倍，具有良好的相变性能，是一种新型的无机相变化合物，在相变存储器领域具有极好的应用价值。
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公开(公告)号：CN112575368A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201911320454.6
申请日：2019-12-19
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料、其合成方法及其在非线性光学中的应用。该晶体材料具有A2Li2Ga3Q6X的化学式，其中，A选自K、Rb、Cs的至少一种；Q选自S或Se；X选自Cl或Br。该晶体材料采用高温固相法合成。该晶体材料具有优良的红外非线性光学性能，非线性效应是商用AgGaS2的0.3‑2.0倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的3‑25倍，性能有很大的提高，是潜在的红外非线性光学材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110284196A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910671325.5
申请日：2019-07-24
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开一种含锂晶体材料及其制备方法和应用，属于二阶非线性光学材料及制备技术领域。所述含锂晶体材料具有化学式AxBayLiz(Ga4S7)n；其中A选自K、Rb和Cs中的至少一种，x+2y+z＝2n，n为2～7的整数。所述方法包括：将含有钡元素、镓元素、硫元素、锂元素和AX的原料在真空条件下置于反应温度下反应，冷却；其中AX中的X选自F、Cl、Br和I中的一种。本申请的含锂晶体材料具有改善的红外非线性光学性能，可应用于激光器中。本申请的方法工艺步骤简单，所得晶体材料的纯度高、结晶度好且收率高，适合大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN106757366A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611108990.6
申请日：2016-12-06
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B29/46 , C30B1/10 , G02F1/3551
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料、其制备方法及在非线性光学晶体材料中的应用。该晶体材料化学式为Na2Ga2MQ6，M代表Ge和/或Sn，Q代表S和/或Se；可采用高温固相法制备得到。该晶体材料具有优良的红外非线性光学性能，非线性效应可达商用AgGaS2的1.5倍，激光损伤阈值可达商用AgGaS2(可简写为AGS)的81.5倍。在中远红外波段激光倍频、和频、差频、光参量振荡等变频器件方面，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN103484938B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201210526093.2
申请日：2012-12-10
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: G02F1/3551 , C01G15/00 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2002/77 , C01P2002/82 , C01P2002/84 , G02F1/355 , G02F1/37 , G02F1/39
Abstract: 本发明提供一种单斜相的高温固相硼硫化制备方法，包括如下步骤：Ga2O3、B和S按照1：2：3的摩尔比例混合研磨，压片装入真空石英管，以30～40℃/h的速率升温至850-980℃，恒温48-144小时，再以2～6℃/h的速率降温至250℃，洗掉副产物B2O（3 优选用热水洗涤），制得单斜相Ga2S3微晶。本发明还提供一种单斜相Ga2S3晶体作为红外波段二阶非线性晶体材料的应用。该晶体具有大的非线性光学系数，倍频信号约为KTP的0.7倍，且在1910nm处相位匹配，在1064nm下激
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公开(公告)号：CN103484938A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201210526093.2
申请日：2012-12-10
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: G02F1/3551 , C01G15/00 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2002/77 , C01P2002/82 , C01P2002/84 , G02F1/355 , G02F1/37 , G02F1/39
Abstract: 本发明提供一种单斜相的高温固相硼硫化制备方法，包括如下步骤：Ga2O3、B和S按照1：2：3的摩尔比例混合研磨，压片装入真空石英管，以30～40℃/h的速率升温至850-980℃，恒温48-144小时，再以2～6℃/h的速率降温至250℃，洗掉副产物B2O3（优选用热水洗涤），制得单斜相Ga2S3微晶。本发明还提供一种单斜相Ga2S3晶体作为红外波段二阶非线性晶体材料的应用。该晶体具有大的非线性光学系数，倍频信号约为KTP的0.7倍，且在1910nm处相位匹配，在1064nm下激光损伤阈值为174MW/cm2，高于AGS和LIS，可作为良好的非线性光学晶体材料。
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公开(公告)号：CN119980468A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411996429.0
申请日：2024-12-31
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一种含d10过渡金属的磷属混阴离子化合物晶体及其制备方法和应用，属于红外二阶非线性光学晶体材料技术领域。所述含d10过渡金属的磷属混阴离子化合物晶体独化学式为AM4PnX6；其中，A选自Cs、Rb、K、Na、Li中的一种；M选自Hg、Cd、Zn元素的一种；Pn选自P、As、Sb中的一种；X选自Cl、Br、I中的一种。该晶体的NLO效应是商用AgGaS2的29.6‑52.3倍，满足一类相位匹配，激光损伤阈值是商用AgGaS2的8.6‑15.3倍，带隙值是2.4‑3.3eV，粉末红外透过范围是0.4‑25.0μm，具有优良的红外非线性光学性能，是一种新型的红外非线性光学材料。
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