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公开(公告)号：CN106757365A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611108475.8
申请日：2016-12-06
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B29/46 , C30B1/10 , G02F1/3551
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料、其制备方法、包含其的非线性光学晶体材料及其在激光器中的应用。所述晶体材料化学式为[A2M4Q7]n或[AM3Q5]n；A代表Na、K、Rb、Cs中的至少一种；M代表Ga和/或In；Q代表S和/或Se；1≤n≤4。该晶体材料具有优良的红外非线性光学性能，倍频强度可达同粒度商用AgGaS2的7.0倍，激光损伤阈值可达商用AgGaS2(可简写为AGS)的11倍。在中远红外波段激光倍频、和频、差频、光参量振荡等变频器件方面，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN103484938B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201210526093.2
申请日：2012-12-10
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: G02F1/3551 , C01G15/00 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2002/77 , C01P2002/82 , C01P2002/84 , G02F1/355 , G02F1/37 , G02F1/39
Abstract: 本发明提供一种单斜相的高温固相硼硫化制备方法，包括如下步骤：Ga2O3、B和S按照1：2：3的摩尔比例混合研磨，压片装入真空石英管，以30～40℃/h的速率升温至850-980℃，恒温48-144小时，再以2～6℃/h的速率降温至250℃，洗掉副产物B2O（3 优选用热水洗涤），制得单斜相Ga2S3微晶。本发明还提供一种单斜相Ga2S3晶体作为红外波段二阶非线性晶体材料的应用。该晶体具有大的非线性光学系数，倍频信号约为KTP的0.7倍，且在1910nm处相位匹配，在1064nm下激
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公开(公告)号：CN103484938A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201210526093.2
申请日：2012-12-10
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: G02F1/3551 , C01G15/00 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2002/77 , C01P2002/82 , C01P2002/84 , G02F1/355 , G02F1/37 , G02F1/39
Abstract: 本发明提供一种单斜相的高温固相硼硫化制备方法，包括如下步骤：Ga2O3、B和S按照1：2：3的摩尔比例混合研磨，压片装入真空石英管，以30～40℃/h的速率升温至850-980℃，恒温48-144小时，再以2～6℃/h的速率降温至250℃，洗掉副产物B2O3（优选用热水洗涤），制得单斜相Ga2S3微晶。本发明还提供一种单斜相Ga2S3晶体作为红外波段二阶非线性晶体材料的应用。该晶体具有大的非线性光学系数，倍频信号约为KTP的0.7倍，且在1910nm处相位匹配，在1064nm下激光损伤阈值为174MW/cm2，高于AGS和LIS，可作为良好的非线性光学晶体材料。
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公开(公告)号：CN1952222A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200510118210.1
申请日：2005-10-20
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 含碱金属、镓或铟的硫属化合物晶体的生长方法，涉及一类含碱金属、镓或铟的硫属化合物ATrQ2(A＝Li，Na，K，Rb，Cs；Tr＝Ga，In；Q＝S，Se，Te)的合成与晶体生长。本发明的目的是将一类含碱金属、镓或铟的硫属化合物ATrQ2的合成与助熔剂晶体生长技术结合起来。选择碱土金属硫属化合物、镓或铟的硫属化合物或卤化物以及适当的碱金属卤化物反应助熔剂为原料，通过反应助熔剂方法制备并生长一类含碱金属、镓或铟硫属化合物ATrQ2晶体。
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