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公开(公告)号：CN105590923B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201410582526.5
申请日：2014-10-27
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 张京晶
摘要： 一种MIM电容及其形成方法。其中，所述MIM电容的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有前端器件层；在所述前端器件层上形成第一介质层；在所述第一介质层内形成凹槽；在所述凹槽的内壁和所述第一介质层上表面形成第一电极层；在所述第一电极层上形成第二介质层；在所述第二介质层上形成第二电极层；在形成所述第二电极层后，进行平坦化工艺。所述形成方法能够提高所形成MIM电容的可靠性。
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公开(公告)号：CN105575780A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410546364.X
申请日：2014-10-15
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 张京晶
IPC分类号： H01L21/265
摘要： 本发明提供一种半导体器件中饱和电流性能的控制方法，该方法通过在离子注入工艺中获取半导体衬底上的正电荷的中和情况，以对当前进行工艺的半导体衬底进行适当的工艺调整，同时对先前设定的电子流的初始值进行修改，并将修改后的电子流的初始值用作对下一半导体衬底进行离子注入工艺时的初始值，从而提高了离子注入工艺的精确性，大大改善了半导体器件的饱和电流表现的稳定性。
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公开(公告)号：CN105489520A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410479331.8
申请日：2014-09-18
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 张京晶
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种基于小采样系统的晶圆量测采样方法，确定加工批次是否为有价值批次，判断当前到达量测站点的加工批次的类型是否首次到达量测站点；判断加工批次到达之后的第一参考时间间隔内是否有有价值批次到达；进一步判断加工批次到达之前的第二参考时间间隔内是否有有价值批次到达；新建一分组，将加工批次加入新建的分组，对加工批次中的晶圆添加放弃当前量测标识。其技术方案的有益效果是：通过最小的样本容量对加工工艺和加工设备进行监控，从而提高了量测效率；由于减少了样本数量，从而缩短了每个量测步骤的周期；节省了人力成本；提高了量测能力；采样覆盖加工工艺中的每个加工单位，降低了因采样不平衡造成的潜在风险。
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公开(公告)号：CN105470156A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410456338.8
申请日：2014-09-09
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本申请一种基于RTD的量测工艺，涉及半导体制造领域，通过预先在量测机台上设置采样及WLT相关信息后，对该量测机台上队列中的lot进行匹配分组，并于同一组中对每个晶圆进行排序；根据上述的排序及预设的信息对晶圆进行抽样量测工艺。另外，当对经过腔室机台的晶圆进行量测工艺时，还可基于其经过的腔室信息对其进行分组排序，及后续的抽样量测工艺。由于可随时根据量测工艺需求来及时的调整不同的晶圆进行抽样检测的量测机台、分组信息及抽样规则，并针对经过不同机台类型的晶圆进行针对性的抽样量测，进而在确保量测工艺准确性的同时，能够有效的避免其抽样的片面性，且还能合理的调配每个量测机台的工作量。
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公开(公告)号：CN101752207B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200810203860.X
申请日：2008-12-02
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/306
摘要： 本发明提供了一种消除干法刻蚀中溴化氢浓缩残留方法，在刻蚀制程结束时，静电吸盘的释放电荷流程中将氟基气体混合氧气，一同通入刻蚀反应腔室。通过氟基气体对生成溴化氢副反应的抑制作用，消除溴化氢干法刻蚀制程里残留浓缩的溴化氢对晶圆及设备的污染，其对于现有干法刻蚀制程改进方便，效果显著。
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公开(公告)号：CN102034711A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910196485.5
申请日：2009-09-25
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/82 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/112 , H01L27/02
摘要： 本发明公开了一种具有轻掺杂漏结构的晶体管的制造方法，包括下列步骤：在衬底上形成栅极氧化层和栅极；以栅极作为掩模，进行离子注入形成轻掺杂漏区；在所述栅极氧化层和所述栅极的侧壁上以及衬底上形成间隙壁绝缘层；在所述间隙壁绝缘层上形成一间隙壁层；干法刻蚀所述间隙壁绝缘层和间隙壁层，以在栅极的侧壁形成间隙壁，所述干法刻蚀的刻蚀气体包含HBr和CF4；对晶圆表面进行清洗，去除蚀刻步骤中的残留物；以所述栅极和所述间隙壁作为掩模，进行离子注入形成源极和漏极。根据本发明，通过改变干法刻蚀的刻蚀气体组分，消除了由于等待时间过长而在氮化硅层表面生成阻碍离子注入的副产物的现象，从而提高了晶片的良品率和电学特性。
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公开(公告)号：CN102024788A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910195811.0
申请日：2009-09-15
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L23/532 , H01L21/768 , H01L27/02
摘要： 本发明提供了一种用于互连工艺中的半导体器件，所述半导体器件包括：前端器件层；在所述前端器件层上沉积的第一阻挡层；在所述第一阻挡层上沉积的材料为等离子增强正硅酸乙酯的第一介电层；穿过所述第一阻挡层和所述第一介电层形成的通孔，所述通孔中填充有金属层；在所述金属层以及所述第一介电层上沉积的第二阻挡层；在所述第二阻挡层上沉积的材料为等离子增强正硅酸乙酯的第二介电层。根据本发明的半导体器件及其制造工艺克服了铜互连工艺，特别是UTM工艺中晶片翘曲的问题。
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公开(公告)号：CN101441980A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200710170617.8
申请日：2007-11-19
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/66 , H01L21/306 , G05B19/04
摘要： 一种通过测量晶片上的参考图形从而控制晶片刻蚀时间的方法，包括以下步骤：1，测量晶片上的参考图形在刻蚀前的厚度尺寸；2，根据上步中的尺寸和目标厚度尺寸之间的差值和刻蚀时间之间的线性关系，确定刻蚀时间；和步骤3，刻蚀机台根据步骤第二步中得到的数据对硅片的刻蚀时间进行控制。本发明可以实现自动对每批每次的晶片进行测量，计算，得出刻蚀时间，从而可以自动控制单片晶片的刻蚀时间，减少了刻蚀误差。
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公开(公告)号：CN101740335B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810226383.9
申请日：2008-11-14
申请人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3065 , H01J37/32
摘要： 本发明提供了一种半导体制造设备和半导体结构的刻蚀方法，其中，所述半导体制造设备包括：适于放置晶片的等离子体腔室；适于保护所述晶片的圆环形的边缘保护圈，所述边缘保护圈与所述晶片同心并将所述晶片的边缘部分遮盖；其特征在于，所述边缘保护圈具有能够遮盖所述晶片的边缘部分大于1mm的宽度。上述半导体制造设备中的边缘保护圈保护晶片的边缘部分，能够避免等离子体对晶片边缘部分的损伤，提高晶片的成品率。
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