一种48对棒还原炉底盘
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106915746A

    公开(公告)日:2017-07-04

    申请号:CN201710218196.5

    申请日:2017-04-05

    Abstract: 本发明公开了一种48对棒还原炉底盘,包括有底盘本体和电极,电极具有48对,分列成四道圆环状结构设置于底盘上形成四圈电极环,从内往外依次为电极一环、电极二环、电极三环和电极四环;每一圈电极环的两侧均设有一圈由若干出气口构成的出气环和一圈由若干进气口构成的进气环;进气环共设置有三圈,其中电极一环的内侧和电极四环的外侧各设有一圈。本发明的主要有益效果有:可以促进硅棒表面的物料气循环,获得优质的多晶硅棒;可以实现钟罩内壁的内部冷却,缩减钟罩内壁的清洁频次,降低炉内热辐射损失并提高生产效率;可以提高物料转化率,降低生产能耗。

    一种消除硅芯异常的方法
    32.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106191994A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201610539047.4

    申请日:2016-07-08

    Abstract: 本发明涉及一种消除硅芯异常的方法,该方法包括对进入炉内的循环氢进行两步预处理,第一步处理为循环氢进入还原炉前用特殊介孔分子筛对循环氢中的三氯氢硅等大分子进行吸收;第二步处理为在还原炉底盘装有涂覆特殊媒介的内件,经特殊介孔分子筛处理的循环氢进入还原炉内后,循环氢中氮气或氧气逐渐富集在炉底盘附近并与特殊媒介逐渐反应生成氮化物或氧化物外壳;特殊介孔分子筛、特殊媒介和氮化物或氧化物外壳不会对产品质量造成影响,从而能有效地解决硅芯异常问题,提高多晶硅产品质量。

    一种密闭式硅芯自动存取装置

    公开(公告)号:CN106185138A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201510426897.9

    申请日:2015-07-20

    Abstract: 本发明一种密闭式硅芯自动存取装置,具体为:密闭的存储空间(7),及两侧的输送带II存储箱(5)进出的入口(2)和出口(16)、通风孔(6),输送带Ⅰ(1)、输送带II(12)分别贯穿于入口(2)和出口(16),入口(2)和出口(16)分别设闸门Ⅰ(17)、闸门II(18),箱体外侧固定设棒形的把手(10),密闭的存储空间(7)内设机械手II(11)和机械手I(4),及位于其上可与棒形的把手(10)相配合的勾(19)。有益效果:操作便捷、省时省力、采用自动化控制,并具有良好的封闭空间,避免了硅芯的多环节污染。(12)、输送带Ⅰ(1)、存储箱(5)、可使存放硅芯的

    一种新型多晶硅碳头料的物理分离方法

    公开(公告)号:CN102320609A

    公开(公告)日:2012-01-18

    申请号:CN201110229932.X

    申请日:2011-08-11

    Abstract: 一种新型多晶硅碳头料的物理分离方法,本发明涉及多晶硅的生产中多晶硅碳头料石墨部分与高纯硅的分离的物理方法。该方法包括多晶硅碳头料的破碎前处理、喷砂分离碳头料、分离后碳头料的DI水漂洗、DI水漂洗后碳头料的DI超声波水漂洗、DI超声波水漂洗后碳头料的化学清洗、分离得到碳头料的检查包装七个步骤。该方法的特点是:利用喷砂装置射出的高速磨料4直接作用于碳头料石墨部位5将石墨(石墨纸)5与高纯多晶2硅剥离;采用磨料4硬度与多晶硅5硬度相当,并选择合适的磨料粒度将处理过程中的损耗降至最低。相较原有化学腐蚀分离碳头料的方法,喷砂法安全可靠,不易燃不易爆;喷砂法一次即可将石墨完全剥离,有效节省人力物力;喷砂机磨料可重复使用,节约环保。

    一种多晶硅硅棒破碎系统及破碎方法

    公开(公告)号:CN108654816B

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201810421097.1

    申请日:2018-05-04

    Abstract: 本发明涉及多晶硅生产领域,具体涉及一种多晶硅硅棒破碎系统及破碎方法。本发明提供的多晶硅硅棒破碎系统,多晶硅硅棒进行预处理,通过筛分装置将棒料及块料进行分离,块料进入第一鉴别分类装置,并按照块料的不同种类将其区分;棒料进入第二鉴别分类装置,按照棒料的不同种类将其区分,进入棒料处理装置的不同的棒料收集装置内,用户需要的棒料时,通入棒料包装装置中进行包装;用户需要块料时,通入破碎装置中进行破碎。本发明提供的多晶硅硅棒破碎系统,节省操作人员操作时间,避免了因人为操作引进的污染,提高效率,节省成本。本发明提供的多晶硅硅棒破碎方法,包括上述的多晶硅硅棒破碎系统,因此也具有上述的有益效果。

    一种多晶硅硅芯焊接系统及其使用方法

    公开(公告)号:CN109850903A

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201910283928.8

    申请日:2019-04-10

    Abstract: 本发明属于多晶硅生产技术领域,尤其涉及一种多晶硅硅芯焊接系统及其使用方法。一种多晶硅硅芯焊接系统,所述的系统包括带有漏斗颈(3)的漏斗(1)、加热线圈(2)、气体喷嘴(7)和若干夹持器(8);加热线圈(2)设置于漏斗(1)下部外围;气体喷嘴(7)设置于漏斗颈(3)下方;夹持器(8)设置于漏斗(1)和气体喷嘴(7)之间,夹持器(8)分别与传动机构相连,夹持器(8)可沿轴向和径向运动;所述的焊接系统置于洁净环境。本发明的优点:结构简单,易于实现;硅芯焊接可靠、效率高;焊接的硅芯无污染、平直;焊接头平整;断裂或/和长度不够的硅芯重新利用,提高了切割收率,降低生产成本。

    一种还原炉冷喷涂方法
    38.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108043611B

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201711294247.9

    申请日:2017-12-08

    Abstract: 本发明公开了一种还原炉冷喷涂方法,该喷涂方法的喷涂系统包括有气体工作站、气体预加热器、气体加热器、粉末填充装置、喷枪、中央控制单元、自动机械臂、还原炉钟罩支架和还原炉钟罩清洗工作站,还原炉钟罩支架推动还原炉钟罩做圆周运动,而喷枪做往复直线运动和往复圆弧运动,工作载气携带原材料粉末从喷枪喷在还原炉钟罩的内表面形成涂层。本发明提供的喷涂系统及方法可以实现还原炉内壁在大气气氛中的高速喷涂,所有监控和调控均在中央控制单元进行,可实现还原炉钟罩内壁喷涂的全自动化和智能化;两级加热可以将载气和原料的污染降到最低,保障涂层的原始性能;采用低压仓储存原材料,解决原材料易氧化、易污染的问题。

    还原炉控制方法及系统
    39.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108827014A

    公开(公告)日:2018-11-16

    申请号:CN201810403507.X

    申请日:2018-04-28

    Abstract: 本发明实施例提供一种还原炉控制方法,应用于还原炉控制系统,所述还原炉控制系统包括控制设备和执行设备,所述还原炉控制方法包括:所述控制设备与所述执行设备约定通信协议,并按照所述通信协议的要求建立通信连接关系;所述控制设备采集还原炉的工艺参数,并根据所述工艺参数对所述还原炉进行分析和判断;所述控制设备若判定所述还原炉的工艺参数为异常,则向所述执行设备发出第一停止命令;所述执行设备根据所述第一停止命令执行断电动作,以使所述还原炉停止工作。

    一种四氯化硅的氢化方法
    40.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108439413A

    公开(公告)日:2018-08-24

    申请号:CN201810467385.0

    申请日:2018-05-16

    Abstract: 本发明提供一种四氯化硅的氢化方法,属于多晶硅生产技术领域。四氯化硅的氢化方法是向填充有电磁场调整材料和负载金属催化剂的气体放电反应器内通入四氯化硅和氢气,在电磁场的作用下反应。此方法能够提高四氯化硅低温氢化的效率,降低反应体系的温度。

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