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公开(公告)号：CN101617408A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200880005310.5
申请日：2008-02-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
Abstract: 在其中要在基板1上形成栅电极4的薄膜晶体管的制造方法中，该方法具有以下步骤：在基板1上形成栅电极4；以覆盖所述栅电极4的方式形成金属氧化物层7；形成源电极6和漏电极5；以及在惰性气体中实施退火，以将金属氧化物层7的一部分变成沟道区域。
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公开(公告)号：CN101038729A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710086340.0
申请日：2007-03-13
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G09G3/325 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2320/043
Abstract: 提供了利用晶体管的磁滞特性驱动显示元件的像素电路和图像显示装置。该像素电路包括：提供分别从关状态过渡到开状态时和从开状态过渡到关状态时栅极电压值与漏极电流值之间的不同的第一和第二关系的晶体管；被提供有由晶体管控制的电流作为驱动电流的显示元件；及连接到晶体管栅极的电容器元件。第一和第二关系中的一个在用于设置要提供给显示元件的驱动电流的第一期间中使用。而第一和第二关系中的另一个在向显示元件提供驱动电流以进行发光的第二期间中使用。
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公开(公告)号：CN1236477C
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN02119067.4
申请日：2002-02-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/24 , H01L31/04
CPC classification number: H01J37/32467 , C23C16/24 , C23C16/4404 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/182 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 一种优异光电特性的硅基薄膜可以通过以下方法获得：向真空容器内部引入含有卤化硅和氢气体的源气体，至少内部的一部分用含硅固体覆盖，在真空容器的内部空间中产生等离子体，以及在提供在真空容器内部的衬底上形成硅基薄膜。
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公开(公告)号：CN1534799A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200410008587.7
申请日：2004-03-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/18 , C25D9/04 , H01L31/056 , Y02E10/52
Abstract: 本发明提供以具有至少用电解析出法在基片上形成氧化锌层103的工序、用稀有气体或氮气对该氧化锌层实施等离子体处理、离子照射处理、光照射处理、电磁波照射处理中的任何一种处理104的工序、和在该氧化锌层上形成具有由含有氢的非单晶硅系材料构成的至少一个的p－i－n结的半导体层的工序为特征的光电元件的制造方法。
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公开(公告)号：CN1237796A
公开(公告)日：1999-12-08
申请号：CN99105944.1
申请日：1999-03-03
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/70
CPC classification number: C23C16/545 , C23C16/24 , C23C16/509
Abstract: 形成微晶硅系列薄膜的工艺包括：在真空室中与电极相对设置长衬底，同时纵向传送长衬底；使用具有50MHz－550MHz范围内的振荡频率的高频功率使电极和长衬底之间辉光放电在长衬底上淀积微晶硅系列薄膜，其中，作为所述电极的多个棒状电极如此设置，即它们垂直于所述长衬底的法线，并且它们与所述长衬底的间隔全部或部分地不同，本发明还公开了适于执行所述工艺的装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102938420B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210322249.5
申请日：2005-11-09
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/428 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/428 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及无定形氧化物和场效应晶体管。所述无定形氧化物包含从由Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cd、C、N、P、Ti、Ru和F所构成的组中选择的至少一种元素，并且所述无定形氧化物的电子载流子浓度为1012/cm3或更高且低于1018/cm3。其中，所述无定形氧化物是从由以下所构成的组中选择的任一种：包含从In、Zn和Sn中选择的至少一种元素的氧化物；含有In、Zn和Sn的氧化物；含有In和Zn的氧化物；含有In和Sn的氧化物；含有In的氧化物；以及包含In、Ga和Zn的氧化物。
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公开(公告)号：CN101617408B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200880005310.5
申请日：2008-02-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
Abstract: 在其中要在基板1上形成栅电极4的薄膜晶体管的制造方法中，该方法具有以下步骤：在基板1上形成栅电极4；以覆盖所述栅电极4的方式形成金属氧化物层7；形成源电极6和漏电极5；以及在惰性气体中实施退火，以将金属氧化物层7的一部分变成沟道区域。
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公开(公告)号：CN101405869B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200780009277.9
申请日：2007-02-23
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/28202 , H01L29/4908 , H01L29/518 , H01L29/66969
Abstract: 本发明的薄膜晶体管至少具有半导体层，包括：在基片上的源电极、漏电极和沟道区；栅绝缘膜；和栅电极，其中所述半导体层是氧化物半导体层，并且其中，所述栅绝缘膜是至少包含O和N的非晶硅，且所述栅绝缘膜沿厚度方向具有氧浓度分布，使得氧浓度在与氧化物半导体层的界面侧高，而氧浓度朝栅电极侧降低。
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公开(公告)号：CN101681927A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880015916.7
申请日：2008-05-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1233
Abstract: 为了提供可被容易地制造的增强-耗尽(E/D)反相器，在本发明中，提供包含在同一基板上形成的、沟道层包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素的氧化物半导体的反相器的制造方法，该反相器是具有多个薄膜晶体管的E/D反相器，该制造方法的特征在于包括以下步骤：形成第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管的沟道层的厚度互不相同；以及对于第一晶体管和第二晶体管的沟道层中的至少一个执行热处理。
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公开(公告)号：CN101506986A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780031168.7
申请日：2007-07-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层包括非晶氧化物半导体膜，其中形成有源层的步骤包括：在具有1×10－3Pa或更小的引入氧分压的气氛中形成氧化物膜的第一步骤，和在第一步骤之后在氧化气氛中对氧化物膜退火的第二步骤。
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