公开(公告)号：CN102194889A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110056997.9

申请日：2011-03-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松田高一

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/78669 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78678

Abstract: 半导体器件具有依次层叠的衬底、栅电极、含有氮化硅的绝缘层、含有结晶硅和无定形硅的硅层、接触层以及源电极和漏电极。该硅层中该结晶硅的体积含有比率具有向着该源电极和漏电极增加并且向着该衬底减小的梯度。该栅绝缘层和该硅层在它们之间夹持含氧化硅的层。

公开(公告)号：CN100524845C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200710001858.X

申请日：2004-03-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松田高一 ,  东川诚 ,  中村哲郎

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01L31/02

CPC classification number: Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种叠层型光电元件的制造方法，该叠层型光电元件在包含pn结或pin结的光电元件之间具有中间层，其特征在于，在至少一个光电元件界面上，在叠层主要成分由氧化铟组成的第一层之后，叠层主要成分由氧化锌组成的第二层，从而形成上述中间层。

公开(公告)号：CN1992356A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200710001858.X

申请日：2004-03-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松田高一 ,  东川诚 ,  中村哲郎

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01L31/02

CPC classification number: Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种叠层型光电元件及其制造方法。该叠层型光电元件是由多个pn结或pin结组成的单元光电元件串联叠层而形成的光电元件，其特征在于，在上述单元光电元件间的至少一处配置氧化锌层，且该氧化锌层的电阻率在层厚方向上不同。

公开(公告)号：CN1330003C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200410031289.X

申请日：2004-03-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松田高一 ,  东川诚 ,  中村哲郎

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0687 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0549 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种叠层型光电元件及其制造方法。该叠层型光电元件是由多个pn结或pin结组成的单元光电元件串联叠层而形成的光电元件，其特征在于，在上述单元光电元件间的至少一处配置氧化锌层，且该氧化锌层的电阻率在层厚方向上不同。

公开(公告)号：CN1110723A

公开(公告)日：1995-10-25

申请号：CN94120758.7

申请日：1994-12-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松田高一 ,  近藤隆治 ,  宫本祐介

IPC: C23C16/50 ,  C23C14/38

CPC classification number: H01L31/076 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/50 ,  C23C16/545 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种适合于辊对辊式或类似配置的等离子CVD方法，i-型半导体层形成前后加快基带温度变化率，以防止用等离子CVD法在基带上形成淀积薄的这种结构的退火而引起的杂质扩散，为对在i-型层放电室内移动的细长基带在放电室入口前的紧邻处按4℃/秒以上的速率加热，并在放电室出口后面立即按4℃/秒以上的速率冷却时，连续地形成了大面积的性能均匀一致的没有因扩散而造成特性变坏的迭层式光电器件。

公开(公告)号：CN1096713C

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN97109999.5

申请日：1997-02-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松山深照 ,  松田高一

IPC: H01L31/042 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L31/03928 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/056 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种光电器件，包括具有不规则表面结构的不透明的衬底，所述不规则表面结构包括在其中排列的许多线性不规则处或槽，以及形成在所述衬底的所述不规则表面结构上的光电转换层，其中的多个线性不规则处或槽当沿着平形于线性不规则处或槽的方向扫描时，具有15n到300nm中心线平均粗糙度Ra(X)，当沿着垂直于线性不规则处或槽的方向扫描时，具有20nm到600nm的中心线平均粗糙度Ra(Y)，并且Ra(X)/Ra(Y)之比为0.8或更小。

公开(公告)号：CN1377057A

公开(公告)日：2002-10-30

申请号：CN02119067.4

申请日：2002-02-01

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 近藤隆治 ,  佐野政史 ,  松田高一 ,  东川诚

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01J37/32467 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/182 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种优异光电特性的硅基薄膜可以通过以下方法获得:向真空容器内部引入含有卤化硅和氢气体的源气体,至少内部的一部分用含硅固体覆盖,在真空容器的内部空间中产生等离子体,以及在提供在真空容器内部的衬底上形成硅基薄膜。

公开(公告)号：CN1069933C

公开(公告)日：2001-08-22

申请号：CN94120758.7

申请日：1994-12-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松田高一 ,  近藤隆治 ,  宫本祐介

IPC: C23C16/50 ,  C23C14/38

CPC classification number: H01L31/076 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/50 ,  C23C16/545 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种适合于辊对辊式或类似配置的等离子CVD方法，i-型半导体层形成前后加快基带温度变化率，以防止用等离子CVD法在基带上形成淀积薄的这种结构的退火而引起的杂质扩散，为对在i-型层放电室内移动的细长基带在放电室入口前的紧邻处按4℃/秒以上的速率加热，并在放电室出口后面立即按4℃/秒以上的速率冷却时，连续地形成了大面积的性能均匀一致的没有因扩散而造成特性变坏的迭层式光电器件。

公开(公告)号：CN102630344A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201080053857.X

申请日：2010-11-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松田高一

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  C23C16/24 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/78603 ,  C23C14/083 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/4908 ,  H01L31/056 ,  H01L31/077 ,  H01L31/09 ,  Y02E10/52

Abstract: 为了解决在等离子体CVD法的膜生成的初始阶段中，难以形成结晶度优异的硅层的问题，提供一种半导体器件，包括：基板；结晶硅层；包含氧化钛作为主要成分的氧化钛层；和与所述结晶硅层电连接的一对电极，其中：所述氧化钛层和所述结晶硅层是从基板侧起按照所描述的顺序在基板上形成的；所述氧化钛层和所述结晶硅层被形成为相互接触。

公开(公告)号：CN101621013B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200910138948.2

申请日：2009-05-21

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松田高一 ,  青田幸人

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L21/00 ,  H01L23/48 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3276 ,  H01L27/3288 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/566

Abstract: 提供一种有机发光器件的制造方法，用于一种有机发光器件，其具有：设置有外部连接端子的基板；设置在该基板上的有机发光元件；以及覆盖该有机发光元件的保护膜。该方法包括：顺序地，在外部连接端子上设置保护膜去除层；在基板上形成保护膜；划分其上形成有该保护膜的该基板；以及用水、水溶液或溶剂来清洗该基板。作为清洗该基板的结果，将保护膜去除层和保护膜从外部连接端子去除。