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公开(公告)号：CN102637711A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210028226.3
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14627
Abstract: 本发明涉及光电转换元件、及使用该元件的光电转换装置和成像系统。一种聚光构件使入射在聚光构件的与绝缘膜的开口部分对应的第一区域上的光聚集在布置在所述开口部分内的光路构件的上部区域中，所述绝缘膜具有从所述开口部分延伸的上面，并且所述光路构件具有在与光电转换部分的光接收面对应的区域中的下面。
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公开(公告)号：CN101369594B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200810166297.3
申请日：2004-12-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/00 , H04N5/225
Abstract: 本发明提供光电变换装置及其制造方法和摄像系统。作为本发明特征的构成是具有第一导电型的半导体基板和光电变换元件的光电变换装置，所述光电变换元件备有设置在包含多个导电型与第一导电型相反的第二导电型的杂质区域的阱内的第一导电型的杂质区域，多个上述第二导电型的杂质区域至少包含第1杂质区域、比该第1杂质区域更配置在基板表面侧的第2杂质区域、和比该第2杂质区域更配置在基板表面侧的第3杂质区域，上述第1杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C1、上述第2杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C2和上述第3杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C3满足下列关系：C2
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公开(公告)号：CN101614899B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200910160493.4
申请日：2007-04-18
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 市川武史
IPC: G02F1/133 , G02F1/1362 , G03B21/00
Abstract: 本发明公开一种反射型液晶显示设备以及液晶投影仪系统。所述反射型液晶显示设备包括：具有透光电极的透光衬底；以及第一导电型半导体衬底，布置为与所述透光衬底相对，在所述透光衬底和第一导电型半导体衬底之间夹着液晶，所述第一导电型半导体衬底具有以矩阵方式布置的多个像素电极。其中，所述第一导电型半导体衬底具有：第一半导体区，其用作电连接到所述像素电极的开关元件的主电极区，并具有与第一导电型相反的第二导电型；和第二半导体区，其提供在第一半导体区的外围的至少一部分，并具有第一导电型。
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公开(公告)号：CN102301475A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080006232.8
申请日：2010-01-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14603 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14654 , H01L27/14656 , H01L27/14672 , H01L27/14674 , H01L27/14689 , H01L31/062
Abstract: 一种光电转换装置包括设置在半导体基板(5B)中的多个光电转换部分(51)，其中，各光电转换部分(51)包括：包含第一杂质的P型电荷蓄积区域(107)；和与P型电荷蓄积区域一起配置光电二极管的N型阱部分(102)，并且，各阱部分具有：包含第一浓度的砷的N型第一半导体区域(102a)；被设置在第一半导体区域下面并且包含比第一浓度低的第二浓度的砷的N型第二半导体区域(102b、102c)；和被设置在第二半导体区域下面并且包含比第一浓度高的第三浓度的第二杂质的N型第三半导体区域(102d)。
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公开(公告)号：CN102301474A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080006229.6
申请日：2010-01-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H04N5/335
Abstract: 一种光电转换装置包括p型区域、在p型区域下面形成的n型埋置层、元件隔离区域、和至少覆盖元件隔离区域的下部部分的沟道阻断区域，其中，p型区域和埋置层形成光电二极管，并且，沟道阻断区域的主要杂质的扩散系数比埋置层的主要杂质的扩散系数小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100557495C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200710100804.9
申请日：2007-04-18
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 市川武史
IPC: G02F1/136 , G02F1/1362 , G02F1/133
Abstract: 为了抑制由于只通过遮光不能阻止其进入的入射光产生的电子(空穴)的作用，针对多数载流子，除了晶体管的漏极区(34)，还提供了一个区(36)，其电压设定成低于漏极区的电压和Q(单位电荷)的乘积的基准值，或者可以在漏极区周围设置势垒。在这种结构中，通过控制连接到反射电极(30)的漏极区(34)的周围的电压处于浮置状态，使得半导体衬底中产生的光载流子几乎不会导向漏极区(34)中。
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公开(公告)号：CN100433226C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN03813522.1
申请日：2003-06-13
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/3048
Abstract: 提供了一种电场发射型电子发射设备，利用它电子束的斑点较小，电子发射区域较大，可能以低电压实现高效电子发射，并且制造过程容易。所述电子发射设备包括一个层2，它电连接到一个阴极电极5，以及多个粒子3，每个粒子包含一种材料，该材料的电阻系数低于组成层2的一种材料的电阻系数，并且其中层2中的粒子3的密度大于或等于1×1014/cm3并且小于或等于5×1018/cm3。
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公开(公告)号：CN1627524A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410100705.7
申请日：2004-12-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L31/0256 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14643
Abstract: 本发明提供光电变换装置及其制造方法和摄像系统。作为本发明特征的构成是具有第一导电型的半导体基板和光电变换元件的光电变换装置，所述光电变换元件备有设置在包含多个导电型与第一导电型相反的第二导电型的杂质区域的阱内的第一导电型的杂质区域，多个上述第二导电型的杂质区域至少包含第1杂质区域、比该第1杂质区域更配置在基板表面侧的第2杂质区域、和比该第2杂质区域更配置在基板表面侧的第3杂质区域，上述第1杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C1、上述第2杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C2和上述第3杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C3满足下列关系：C2＜C3＜C1。
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公开(公告)号：CN1154003C
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN98124101.8
申请日：1998-11-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133621 , G02F1/133526 , G02F1/133723 , G02F1/1393 , G02F2001/133742 , G02F2203/02
Abstract: 一种液晶显示器件，包括矩阵基片，其上按矩阵形式相应于R(红)、G(绿)和B(蓝)色排列有多个象素电极；对置基片，其上与所述象素电极相对地设置对置电极；具有负介电各向异性的液晶材料，所述液晶材料被置于所述矩阵基片与所述对置基片之间，其特征在于，提供具有垂直对准性能的聚酰亚胺取向对准层和具有多个微透镜的微透镜阵列，按相对于所述象素电极阵列的两个象素的间距上设置所述微透镜。
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公开(公告)号：CN1129066C
公开(公告)日：2003-11-26
申请号：CN96102871.8
申请日：1996-04-11
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 市川武史
CPC classification number: G06F7/5318 , G06F7/509 , G06F7/607 , G06F2207/3836 , G06F2207/4816 , G06F2207/4822 , H03K19/23
Abstract: 在一种用于进行包括若干多位数据的加法的运算的处理器中将若干多位数据的公共位上的数值以并行方式输入到各个位的数字检测器组中，以二进制的表示方式输出在输入的数值中的高(电平)信号的数目，以及将来自若干ND的输出利用全加器相加，高速完成相加而没有进位。此外，没有公共位的数据在相加之前被总和到一单一数据中。
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