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公开(公告)号：CN114818393A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210740098.9
申请日：2022-06-28
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G06F30/20 , G01R31/26 , G06F119/04
Abstract: 本公开实施例公开了一种半导体器件失效时刻预测方法、装置、设备及介质。本公开实施例提供的半导体器件失效时刻预测方法，包括：获取所述半导体器件的静态参数的第一阶段测试数据，其中，所述测试数据为时间序列数据；基于所述第一阶段测试数据和预先构建的差分整合移动平均自回归ARIMA模型得到所述半导体器件的第二阶段预测数据；基于所述半导体器件的第二阶段预测数据确定所述半导体器件的失效时刻。本公开实施例的技术方案解决了现有的HCI测试耗时过长，无法满足工业生产过程中产品数量大、工期紧的需求的技术问题，大幅缩短了半导体器件失效时刻的获取时长，降低了测试成本，提高了测试效率。
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公开(公告)号：CN114583049A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210479541.1
申请日：2022-05-05
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院
IPC: H01L49/02
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种MIM电容器的制作方法及MIM电容器。所述MIM电容器的制作方法包括：在基板上形成下极板；在下极板上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第一薄膜电阻层；在第一薄膜电阻层上形成介质层；在介质层上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第二薄膜电阻层，使第一薄膜电阻层和第二薄膜电阻层全包覆介质层；在第二薄膜电阻层上形成上极板。本发明通过两层温度系数低的薄膜电阻层将MIM电容器的介质层全包覆住，可以降低MIM电容器整体的温度系数，提高MIM电容器的温度线性度性能。
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公开(公告)号：CN114420760B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210311019.2
申请日：2022-03-28
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路。晶体管包括：衬底；第一阱区，形成于衬底内，具有第一导电类型；第二阱区，形成于第一阱区两侧，具有第二导电类型；体区，体区一部分形成于第一阱区内，另一部分突出于第一阱区的上表面，体区具有第一导电类型；漂移区，形成于体区的两侧，包括靠近体区的第一台阶和远离体区的第二台阶，第一台阶的上表面突出于第一阱区的表面，第二台阶的上表面与第一阱区的表面齐平，漂移区具有第二导电类型；源极，形成于体区的上表面；漏极，形成于第二台阶的上表面；栅极，形成于体区和第一台阶的上表面。通过本发明提供的晶体管能够增加耗尽区的面积，分担部分的表面电场，提高击穿电压。
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公开(公告)号：CN114464674A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210375521.X
申请日：2022-04-11
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/08 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种LDMOSFET器件、制作方法及芯片，属于芯片技术领域。所述LDMOSFET器件包括：半导体衬底、栅极、源极区、漏极区、体区以及漂移区；体区以及漂移区形成在半导体衬底内，栅极形成在半导体衬底的上方且一端与体区相连，另一端位于漂移区上方；栅极与半导体衬底上方覆盖有介质层，介质层开设有接触孔，源极区形成在体区上方的接触孔内与体区相接，且位于栅极的一侧；漏极区形成在漂移区上方的接触孔内与漂移区相接，且位于栅极的另一侧。该LDMOSFET器件将漏极区设置在半导体衬底的上方，不占漂移区的部分区域，不影响漂移区击穿电压的提升效果，不增加导通电阻。
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公开(公告)号：CN114429983A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202210338138.7
申请日：2022-04-01
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例提供一种高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法，属于芯片领域。所述高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括半导体衬底、源极区、漏极区、栅极区、浅槽隔离区、P型体区、N型阱区、P型阱区和N型漂移区，所述高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管还包括：硅局部氧化隔离区，位于所述N型漂移区，用于隔离所述N型漂移区上的所述漏极区，所述硅局部氧化隔离区通过多晶硅缓冲层而被形成。本发明实施例通过制作多晶硅缓冲层（poly buffer），形成硅局部氧化隔离区（LOCOS），以缩短LOCOS的鸟嘴长度，同时可以形成多晶硅栅极（Poly Gate），工艺简单实用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113887734B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111482824.3
申请日：2021-12-07
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
Abstract: 本发明实施例提供一种随机磁隧道结器件及应用方法，属于半导体器件领域。所述随机磁隧道结器件包括：由顶端电极、参考层、隧穿势垒层和自由调控层依次层叠组成的叠层结构；其中，所述自由调控层包括：自由层、底端电极和位于磁隧道结周围任意位置的导线层，所述导线层用于产生调控所述自由层磁化取向的奥斯特场。本发明方案将传统通过势垒层两端电压控制器件翻转概率的方法修改为通过底端电极电压与磁场协同控制翻转概率，在自由层端增设一个奥斯特场，基于该奥斯特场进行自由层磁化取向控制。避免了传统方法中需要自旋转移矩电流需要连续不断的通过磁隧道结的超薄隧穿势垒层，从而造成势垒层寿命降低的问题。
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公开(公告)号：CN114242777A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202210159442.5
申请日：2022-02-22
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例提供一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路，所述LDMOSFET包括：衬底，所述衬底上设有埋层；所述埋层上方设有外延层；所述外延层上方设有高压N型阱；所述高压N型阱上方依次设有第一N型漂移区、P型体区和第二N型漂移区；所述P型体区的中间设有间隙，所述间隙的深度小于所述P型体区的深度。所述LDMOSFET不仅有效的缩小了器件的尺寸，还大大提升了器件的性能。
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公开(公告)号：CN114188402A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202210132826.8
申请日：2022-02-14
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/161 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例提供一种LDMOSFET、制备方法及芯片、电路。所述LDMOSFET包括：衬底，所述衬底上设有埋层；所述埋层和衬底上方设有高压N型阱和第一高压P型阱；所述高压N型阱上方设有第二高压P型阱；所述第二高压P型阱上方依次设有第一P型漂移区、N型体区及第二P型漂移区；所述第一P型漂移区上设有第一沟道漏极，所述第一沟道漏极的深度小于所述第一P型漂移区的深度；所述第二P型漂移区上设有第二沟道漏极，所述第二沟道漏极的深度小于所述第二P型漂移区的深度；所述第一沟道漏极和第二沟道漏极均设有锗硅。所述LDMOSFET通过提高载流子的迁移率，大大提升了自身的驱动能力和驱动速度。
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公开(公告)号：CN113805044B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111354981.6
申请日：2021-11-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明实施例提供一种芯片可靠性评估方法、装置及芯片，该方法包括测试芯片的抗ESD能力；添加寄生元件和等效器件至芯片的内部电路，组成新电路，其中，所述寄生元件为所述芯片在电磁干扰下产生的电容和/或电感，所述等效器件为芯片封装等效的电阻和/或电感；对所述新电路进行老化测试，以确定所述芯片的老化特性；根据所述芯片的抗ESD能力和所述芯片的老化特性，对所述芯片进行可靠性评估。所述芯片可靠性评估方法实现了芯片在不同电磁干扰下的可靠性的评估。
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公开(公告)号：CN113889163B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111485264.7
申请日：2021-12-07
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明实施例提供一种翻转概率可控的随机磁隧道结器件及应用方法，属于半导体器件领域。所述器件包括：基础磁隧道结三明治结构，自上而下包括参考层、隧穿势垒层和自由层；位于所述参考层上方的顶端电极，所述顶端电极具有顶端电极端口；位于所述自由层下方的调控层，用于为所述自由层提供偏置磁场，所述调控层包括重叠布置的交换偏置场层和底端电极；所述底端电极两端分别具有底端第一电极端口和底端第二电极端口；所述顶端电极端口、所述底端第一电极端口和所述底端第二电极端口用于单个或任意组合使用以调控所述随机隧道结器件的翻转概率。本发明方案实现了随机磁隧道结器件翻转概率可控。
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