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公开(公告)号：CN119645184A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411664011.X
申请日：2024-11-20
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明实施例提供一种LDO电路、芯片和电子设备，属于模拟芯片技术领域。所述LDO电路包括：输入电路，接入参考电流，并至少通过主晶体管来对应输出参考电压；放大电路，其接入参考电压并进行放大；以及反馈电路，一端经晶体管对管连接所述放大电路的输出端，另一端向所述放大电路反馈电压并作为所述LDO电路的输出端。其中，所述主晶体管和所述晶体管对管均工作在亚阈值区，且所述放大电路的放大倍数被配置为使得流过所述主晶体管和所述晶体管对管的电流相等。本发明实施例的LDO电路利用处于亚阈值区的晶体管，并配合放大电路的放大倍数，产生了可供LDO电路确定输出的电压，不需要基准电路，电路简单且功耗低。
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公开(公告)号：CN118573017A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410539635.2
申请日：2024-04-30
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种开关变换器及其频率调整电路和能量采集系统，属于芯片技术领域。所述频率调整电路包括：控制芯片，用于输出驱动所述开关变换器进行开关动作的控制信号；设置在所述控制芯片外部的片外可调电阻，其被调节以通过改变所述控制信号来调整所述开关变换器的开关频率；以及设置在所述控制芯片与所述片外可调电阻之间的限流电阻，用于通过与所述片外可调电阻的配合来限制所述开关变换器的最大开关频率。本发明实施例在不增加额外限流电路的同时，通过设置限流电阻来配合片外可调电阻调节开关变换器的开关频率，并限制了开关变换器的最大开关频率，电路实现成本低。
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公开(公告)号：CN118367897A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410528783.4
申请日：2024-04-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种时钟信号产生电路方法、DC‑DC控制器、芯片及装置，所述电路包括：电流偏置模块，用于生成偏置电流，并向电容充放电模块提供偏置电流；电容充放电模块，用于在所述偏置电流下产生锯齿波；施密特触发器模块，用于检测电容充放电模块中目标电容的上极板的电压，并在上极板的电压大于或等于额定电压阈值时进行输出翻转，以得到翻转信号；整形分频模块，用于在输入翻转信号的情况下，对翻转信号进行整形并分频，以得到目标占空比的方波信号，并输出所述方波信号，方波信号为时钟信号。该电路可以使用施密特触发器模块进行电压翻转，从而极大程度地降低了电路的匹配要求，并降低了电路的功耗和面积开销。
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公开(公告)号：CN117254806A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311264483.1
申请日：2023-09-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种模数转换器及其参考电压提供电路、处理器，其中，参考电压提供电路包括：电压提供单元，适于提供第一参考电压；缓冲单元，适于对第一参考电压进行缓冲处理，输出第二参考电压；切换单元，被配置为在模数转换器的高位电容组被切换时，切换第二参考电压向模数转换器的ADC采样通道提供电荷，并在模数转换器的低位电容组被切换时，切换第一参考电压向模数转换器的ADC采样通道提供电荷。该电路不会造成片外电容上的电压大幅下降，因此，不会造成ADC的精度下降。
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公开(公告)号：CN116643193A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310706878.6
申请日：2023-06-14
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R31/392 , G01R31/387 , G01R31/388 , G01R31/367
Abstract: 本申请公开了一种电池数据估计方法、装置、存储介质及电子设备，该方法包括：检测当前时刻的端电压和电流，并获取上一时刻估计的目标电池的内部温度和荷电状态；根据上一时刻估计的内部温度和荷电状态、当前时刻的端电压和电流、以及已创建的第一离散状态方程，估计该目标电池当前时刻的内部温度；根据上一时刻估计的荷电状态、当前时刻的内部温度、端电压和电流、以及已创建的第二离散状态方程，估计该目标电池当前时刻的健康状态；根据上一时刻估计的荷电状态、当前时刻的健康状态、当前时刻的内部温度和已创建的第三离散状态方程，估计该目标电池当前时刻的荷电状态，从而实现三者的联合闭环在线估计，提高了估计结果的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116470869A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310204908.3
申请日：2023-03-03
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 复旦大学
IPC: H03F3/217 , G01P15/125 , H03F3/45
Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，公开一种寄生电容的消除电路、电容式微机电系统及芯片，所述消除电路包括：第一运算放大器；反馈电容，跨接在第一运算放大器的同相输入端与输出端之间，用于将第一运算放大器的输出信号反馈至所述第一运算放大器的同相输入端；以及第一开关电容电路，跨接在所述第一运算放大器的反相输入端与输出端之间，用于执行以下操作：接收时钟控制信号；以及根据所述时钟控制信号执行以下操作：在一周期的第一时段内进行放电，以及在该周期的第二时段内进行充电，以使得所述第一运算放大器的同相输入端产生对地的负电容，由此可有效地消除大范围内的寄生电容，从而提高电容式微机电系统的输出电压的摆幅和线性。
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公开(公告)号：CN115224932B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211021916.6
申请日：2022-08-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及电路技术领域，具体涉及一种电荷泵电路、芯片及电子设备，所述电荷泵电路包括：至少两级电荷泵单元和辅助级单元；在所述至少两级电荷泵单元中，第i级电荷泵单元中第一N型场效应晶体管的体端与第i+1级电荷泵单元中第一N型场效应晶体管的漏端以及第i+1级电荷泵单元中第一P型场效应晶体管的漏端连接，第i级电荷泵单元中第二N型场效应晶体管的体端与第i+1级电荷泵单元中第二N型场效应晶体管的漏端以及第i+1级电荷泵单元中第二P型场效应晶体管的漏端连接。采用该方案，通过开关管的前馈体偏置电压，能够降低开关管导通状态下的阈值电压，使得开关管导通电阻变小，有利于电荷泵在超低电压下工作。
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公开(公告)号：CN115588969A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211326659.7
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H02H7/20 , H03K17/687
Abstract: 本公开实施例公开了一种防止场效应晶体管漏电的电路、芯片及电子装置，该电路包括：MOSFET模块和衬底电压生成模块，MOSFET模块包括：第一电阻、第一开关和第一MOSFET，衬底电压生成模块的第一输入端与第一电压源连接、第二输入端与第二电压源连接、且输出端与第一MOSFET的衬底连接；第一MOSFET的源极与第一电压源连接、漏极与第二电压源连接、且栅极与第一电阻的第一端连接，第一电阻的第一端与第一开关的第一端连接，第一开关的第二端与电流源的一端连接，第一电阻的第二端与第一MOSFET的衬底连接。通过该电路结构，有效避免MOSFET的沟道漏电。
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公开(公告)号：CN114978146A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210573949.5
申请日：2022-05-24
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H03K19/0175 , H03K19/0185 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种电平转换电路、芯片及电子设备，其中电平转换电路包括：输入单元，输入单元与信号输入端相连，用于对信号输入端的输入信号进行电压限制处理得到第一电压；衬底偏置转换单元，衬底偏置转换单元与输入单元相连，用于在第一电压的作用下，基于不同的衬底偏置效应生成第一电流和第二电流；电流镜像单元，电流镜像单元与衬底偏置转换单元相连，用于对第一电流和第二电流进行比较；输出电压转换单元，输出电压转换单元与电流镜像单元和信号输出端相连，用于对比较结果进行电压转换得到输出信号，并通过信号输出端输出。由此，实现了低功耗、大摆幅的电平转换功能，提高了电平转换电路的适用性。
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