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公开(公告)号：CN106567119A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610912964.2
申请日：2016-10-19
申请人： 华中科技大学
CPC分类号： C25D15/00 , B82Y40/00 , C25D7/006 , C25D11/045
摘要： 本发明公开了一种基于聚合物的纳米锥结构SERS基底，包括了具有纳米锥结构的聚合物和三维贵金属纳米颗粒阵列，贵金属纳米颗粒均匀镶嵌在聚合物纳米锥结构表面。该SERS基底具有优异透明性、柔性、均匀性及高灵敏度，并有轻量、可折叠、便携及易处理优点，可应用在蔬菜表面农药残留以及水溶液中污染物的原位探测领域。并公开了一种该SERS基底的制备方法，包括利用多步阳极氧化的方法制备锥形多孔氧化铝模板；在锥形多孔氧化铝模板上沉积贵金属纳米颗粒；利用纳米压印技术将锥形多孔氧化铝模板的纳米锥结构复制到聚合物上，并将贵金属纳米颗粒转移到聚合物上，得到SERS基底。该方法制备工艺简单，成本较低，适合于大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN106544702A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610910523.9
申请日：2016-10-19
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于聚合物的金属纳米筛的制备方法。包括利用电化学阳极氧化方法制备多孔氧化铝模板；在多孔氧化铝模板上沉积一层金属形成金属纳米筛结构；利用纳米压印方法将金属纳米筛结构转移到聚合物上。该制备工艺简单，成本低，适合大规模工业生产；且用该方法制备的金属纳米筛结构，由于将金属纳米筛完整的转移到聚合物上，使得制备的基于聚合物的金属纳米筛性能优良，具有透明、轻量、可折叠、便携、易处理等特点，在荧光增强、拉曼增强、催化、传感等领域有着重大的应用价值。此外，其作为电极材料可以广泛应用在锂电池、超级电容器、有机太阳能电池等领域。
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公开(公告)号：CN103107217B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310012874.4
申请日：2013-01-14
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种薄膜太阳能电池及其制作方法，属于太阳能利用技术领域，解决现有薄膜太阳能电池的陷光效率低或成本高的问题。本发明薄膜太阳能电池片，由衬底层、光吸收层和覆盖层构成，覆盖层上表面或衬底层下表面、或者覆盖层上表面和衬底层下表面随机分布多个纳米孔或多个纳米柱。本发明第一种制作方法包括多孔氧化铝膜制作、多孔氧化铝膜加载、一次刻蚀、二次刻蚀、去除掩膜步骤；本发明第二种制作方法包括多孔氧化铝膜制作、防粘处理、纳米压印、刻蚀步骤；本发明第三种制作方法包括镀铝、硅基多孔氧化铝膜制作、硅刻蚀、去除掩膜、防粘处理、纳米压印、薄膜太阳能电池片刻蚀步骤。本发明结构简单、效果显著、制作成本低、制作效率高，适合工业化量产。
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公开(公告)号：CN104878427A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510331423.6
申请日：2015-06-16
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种柔性透明表面增强拉曼散射基底的制备方法。该方法结合了多孔氧化铝模板与纳米压印技术。首先，利用阳极氧化方法制备了多孔氧化铝模板；然后，在多孔氧化铝模板上沉积贵金属纳米颗粒；最后，利用纳米压印技术将多孔氧化铝模板的纳米结构和贵金属纳米颗粒转移到聚合物薄膜上，得到一种柔性透明的表面增强拉曼散射基底。基底具有优异透明性、柔性、均匀性及高灵敏度，可以应用在瓜果蔬菜表面农药残留的原位探测、水溶液中污染物的原位检测、微生物实时检测以及化学反应的快速现场分析等等领域。基底具有轻量、可折叠、便携、易处理等优势。本发明制备工艺简单、成本较低、适合于大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN102759045B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201110108369.0
申请日：2011-04-28
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： F21S8/00 , F21V29/00 , F21V3/02 , F21V7/22 , F21V31/00 , F21W131/103 , F21Y101/02
摘要： 本发明公开了一种LED路灯，包括导热管，散热肋板和灯体，散热肋板设置在灯体外，导热管一端伸入灯体，与灯体内部的LED光源相连接，另一端贯穿于散热肋板，LED光源产生的热量通过导热管传递到散热肋板；其中，灯体包括上灯罩，下灯罩，反光板，基板以及电路驱动系统，上灯罩和下灯罩扣接形成灯罩，反光板、基板、LED光源和电路驱动系统均位于灯罩内，反光板的边缘卡接在上灯罩和下灯罩连接处，将灯罩分隔为两部分，基板一侧面上嵌接导热管，另一侧面镶嵌LED光源，基板整体附着在反光板上，电路驱动系统设置在灯体尾部。本发明的LED路灯能够很好地解决现有技术中LED路灯的散热和配光问题。
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公开(公告)号：CN103107217A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310012874.4
申请日：2013-01-14
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种薄膜太阳能电及其制作方法，属于太阳能利用技术领域，解决现有薄膜太阳能电池的陷光效率低或成本高的问题。本发明薄膜太阳能电池片，由衬底层、光吸收层和覆盖层构成，覆盖层上表面或衬底层下表面、或者覆盖层上表面和衬底层下表面随机分布多个纳米孔或多个纳米柱。本发明第一种制作方法包括多孔氧化铝膜制作、多孔氧化铝膜加载、一次刻蚀、二次刻蚀、去除掩膜步骤；本发明第二种制作方法包括多孔氧化铝膜制作、防粘处理、纳米压印、刻蚀步骤；本发明第三种制作方法包括镀铝、硅基多孔氧化铝膜制作、硅刻蚀、去除掩膜、防粘处理、纳米压印、薄膜太阳能电池片刻蚀步骤。本发明结构简单、效果显著、制作成本低、制作效率高，适合工业化量产。
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公开(公告)号：CN102214742B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201110148202.7
申请日：2011-06-02
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种二维光子晶体结构GaN基LED的制备方法，包括首先在目标上旋涂一层紫外光刻胶，利用紫外软纳米压印将模板的二维光子晶体结构复制到光刻胶表面，刻蚀去掉残胶，在光子晶体紫外胶上蒸渡一层SiO2或Cr膜，经刻蚀在目标片上得到这种光子晶体图形，将所得的GaN经去胶、清洗、烘干处理即得光子晶体目标片，将所得的目标片进行后续工艺处理，即可完成器件的制作，得到高光提取效率的光子晶体GaN基LED。本发明的方法可以提高刻蚀的选择比，一定范围内可调节光子晶体得占空比，可克服LED芯片表面的不平整问题，较好地通过纳米压印技术制备光子晶体图案，适用于工业生产的GaN基光子晶体LED的制备。
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公开(公告)号：CN102436140A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110316409.0
申请日：2011-10-18
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G03F7/00
摘要： 本发明公开了一种纳米压印模板的制备方法，包括如下步骤：(1)在多孔阳极氧化铝模板(PAT)表面旋涂缓冲层；(2)在所述缓冲层上贴布粘连层；(3)在粘连层上粘附硬质衬底；(4)压印；(5)去除Al基底；(6)进行两步干法刻蚀。本发明以多孔氧化铝模板作为初始模板，所制得的四层结构纳米压印模板具有自适应功能，能够克服常规纳米压印中表面颗粒和局部不平整带来的影响，真正实现大面积高精度图形转移的目的，同时，结构和制备工艺上的特殊性，使得压印后能够方便完整的将PAT表面多孔层剥离到衬底表面，进而实现孔状和柱状图形复制的功能，所用原材料廉价易得，制作工艺简单便捷，满足大规模工业生产的需求。
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公开(公告)号：CN102157642A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110071200.2
申请日：2011-03-23
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于纳米压印的GaN基LED制备方法，包括：（1）利用铝的阳极氧化方法制备纳米压印模板；（2）对所述纳米压印模板进行防粘处理；（3）在目标片上旋涂一层光刻胶；（4）将上述纳米压印模板与目标片进行纳米压印；（5）将上述压印处理后的纳米压印模板与目标片分离，从而在所述目标片表层的光刻胶上形成所需的图案；（6）利用电感耦合等离子体（ICP）刻蚀或者反应离子束（RIE）蚀刻，将上述图案转移到目标片上；（7）将目标片经后续工艺处理，制得所述GaN基LED。本发明的方法简便易行，通过阳极氧化方法制备纳米压印模板，适合于大规模工业生产的纳米压印技术来制作高出光效率的GaN基光子晶体LED。
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公开(公告)号：CN101446759A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810154430.3
申请日：2008-12-24
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司 , 华中科技大学
IPC分类号： G03F7/00
摘要： 一种纳米压印用二次压印模板的制作方法及其二次压印模板，方法是使用刻有分布反馈光栅图案的一次压印模板，是利用电子束直写技术在一次模板上制作100～1000个分布反馈光栅结构，在分布反馈光栅中间具有相移结构的一次压印模板，利用分步重复压印方法在另一基片上连续印制，将该基片制作出具有多个与一次压印模板上的分布反馈光栅图案相同的直径为2～4英寸大小的二次压印模板。压印方法是采用热压印方法，或采用紫外固化压印方法，或微接触压印方法中的一种。采用上述方法制作的二次压印模板，包括有基板，在基板上形成有多数个相同的密集波分复用系统用半导体激光器的分布反馈光栅结构。本发明具有光栅分辨率高、重复性好，制作成本低，生产效率高的特点。
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