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公开(公告)号：CN113777706A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110919248.8
申请日：2021-08-11
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本发明公开了一种基于X切铌酸锂薄膜的偏振无关反射式光滤波器，属于集成光器件技术领域。包括：衬底，其材料为硅；埋氧层，其材料为二氧化硅；铌酸锂脊形波导，位于埋氧层之上；周期性二氧化硅包层，覆盖于脊波导之上。本发明在X切铌酸锂薄膜上加工被二氧化硅包层周期性覆盖的布拉格光栅结构，利用铌酸锂的双折射特性实现偏振无关的反射式光滤波器。其中周期性二氧化硅包层制备步骤具有较大的工艺容差，器件制备仅需两次光刻、无需套刻，制备工艺简单。该器件可以与基于薄膜铌酸锂材料的调制器、谐振器等结构单片集成，构成在光信号处理芯片，在微波光子学和光通讯等领域有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109038214B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201810838038.4
申请日：2018-07-26
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本发明公开了一种基于超表面结构的垂直腔面发射激光器，其包括宽带下反射镜、增益介质和基于超表面结构的窄带上反射镜；宽带反射镜反射谱、增益介质发光光谱和超表面反射镜窄带反射波长三者重叠，首先通过泵浦源对增益介质进行激励，再由宽带反射镜和基于超表面结构的窄带反射镜构成垂直谐振腔形成受激辐射光放大，进而实现垂直腔面的激光发射。本发明还公开了一种制作方法，包括：基底材料上宽带反射镜的设计与制备；增益介质的结构设计与外延生长；基于超表结构的窄带反射镜的设计和制备；最终得到基于超表面结构的垂直腔面发射激光器。该垂直腔面发射激光器结构简单紧凑，与现有半导体激光器的加工工艺兼容，制备工艺简单，单纵模且稳定性好。
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公开(公告)号：CN109088307B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201810837254.7
申请日：2018-07-26
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01S5/14
摘要： 本发明公开了一种基于超表面窄带反射镜的窄线宽外腔激光器，属于激光器领域，包括增益物质、准直组件和超表面窄带反射镜，其中，超表面窄带反射镜的表面为亚波长周期性结构的超表面，该超表面仅对目标波长进行反射、对非目标波长进行透射，减小谐振的带宽，实现窄带滤波；由增益物质发射的信号光经过准直组件变为平行光垂直入射至超表面上；由超表面和增益物质的另一端外侧增反膜构成仅对目标波长光谐振放大的谐振腔，选择激光波长的同时对其不断震荡放大，最终形成激射，激射光透过超表面输出。本发明的外腔激光器具有波长稳定性好、边模抑制比高、线宽窄、调节容差大、制作工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN108988106A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810838035.0
申请日：2018-07-26
申请人： 华中科技大学
CPC分类号： H01S3/005 , H01S3/067 , H01S3/08059
摘要： 本发明公开了一种基于超表面外腔镜的可控多波长光纤外腔激光器，属于激光器领域，包括光纤放大器、光纤环形器、光纤准直器、光纤耦合器，以及超表面外腔镜，其中,信号光在光纤放大器中进行增益放大，经光纤环形器端口1’传输至端口2’，经过光纤准直器准直后垂直入射至超表面外腔镜上；该超表面外腔镜用于接受入射的准直光，并对该准直光进行波长选择，将选择的单/多波长反射至所述光纤准直器；该反射光被光纤准直器收集后经过光纤环形器端口2’传输至端口3’，然后进入光纤耦合器进行部分输出以及部分返回光纤放大器形成回路。本发明通过超表面外腔镜实现单/多波长激光的可控输出，结构简单，成本低廉，可靠性好。
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公开(公告)号：CN102983119A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210474410.0
申请日：2012-11-22
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/02 , G03F9/00
摘要： 本发明公开了一种SOI衬底上电子束套刻工艺所需的凹陷型对准标记制作方法，具体为：清洗SOI衬底；在SOI衬底上涂敷光学抗蚀剂，采用光刻工艺将对准标记的版图转移到光学抗蚀剂上；在SOI衬底和光学抗蚀剂表面镀金属薄膜；剥离去除镀在光学抗蚀剂上的金属薄膜；在剥离金属薄膜处刻蚀SOI衬底的硅和二氧化硅，得到凹陷型对准标记；去除SOI衬底上余下的金属薄膜。本发明制作的得到凹陷型对准标记侧壁陡直性好，提高了薄顶硅层SOI上凹陷型标记的套刻精度，且与CMOS工艺兼容，能应用于高温外延生长、高温氧化等工艺而无需担心引入杂质，也不需担心标记的变形或移位。
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公开(公告)号：CN102969302A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210475683.7
申请日：2012-11-21
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/02 , G03F9/00
摘要： 本发明公开了一种基于二氧化铪的电子束光刻套刻标记，属于半导体器件微纳制造领域，其包括衬底和镀在衬底上的二氧化铪薄膜标记。本发明还提供了制作方法，具体为：（1）清洗衬底；（2）在衬底上旋涂电子抗蚀剂，通过电子束光刻工艺在电子抗蚀剂中形成套刻标记的图形阵列；（3）在电子抗蚀剂和衬底上蒸镀二氧化铪薄膜；（4）剥离附着在正性电子抗蚀剂的二氧化铪薄膜，得到二氧化铪标记。本发明采用了耐高温、粘附性好、价格低廉二氧化铪来制作电子束光刻的套刻标记。与传统的“钛+金”标记相比，降低了工艺成本，解决了金标记与Si衬底粘附性不好问题，提高套刻标记对衬底的粘附性和高温承受能力，保持了较高的套刻精度。
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公开(公告)号：CN116858087A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310556929.1
申请日：2023-05-17
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G01B9/02055
摘要： 本发明公开了一种马赫曾德尔干涉仪工作点监测器，属于集成光器件技术领域，监测器自下而上依次包括：埋氧层、铌酸锂平板区域及器件区；所述器件区包括马赫曾德尔干涉仪及两个监测光栅；所述马赫曾德尔干涉仪包括波导、光分束结构和1×2型多模干涉器；所述光分束结构的两个输出端与所述1×2型多模干涉器的两个输入端之间分别通过所述波导连接，所述光分束结构的输入端和所述1×2型多模干涉器的输出端分别连有所述波导；所述两个监测光栅分别位于所述1×2型多模干涉器输出端所连波导的两侧。本发明的工作点监测器具有较大的工艺容差和光学带宽，不影响马赫曾德尔干涉仪本身的输出，同时能够实现片上集成。
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公开(公告)号：CN116560119B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310746818.7
申请日：2023-06-25
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于行波电极结构的硅基薄膜铌酸锂宽带电光调制器芯片，属于电光调制技术领域，包括：在铌酸锂上刻蚀的波导结构及电极结构；所述波导结构包括：输入波导、光分束器、第一直波导、第一弯曲波导、第二直波导、第二弯曲波导、光合束器及输出波导；所述电极结构包括：GSG型平面电极及设在GSG型平面电极两侧内的容性负载行波电极，且所述容性负载行波电极对称排布在所述第一直波导和所述第二直波导两侧。本发明通过在两个调制直波导之后设置对应的弯曲波导结构以及容性负载行波电极，能够有效改善硅基薄膜铌酸锂电光调制器的阻抗匹配、降低射频反射、提升电光调制器的带宽，并显著降低制备工艺的难度。
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公开(公告)号：CN116594241A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310561295.9
申请日：2023-05-16
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于集成光学、光通信以及微波光子学领域，公开了一种基于周期性极化铌酸锂薄膜的谐振型光学参量放大器，包括波导芯层、波导下包层及基底层，波导芯层包括谐振型光学参量放大组件；该谐振型光学参量放大组件包括周期性极化铌酸锂薄膜光波导、波长选择性谐振腔和可调谐相移区。本发明通过器件的组件构成进行改进，使用周期性极化铌酸锂薄膜光波导、波长选择性谐振腔和可调谐相移区构建谐振型光学参量放大器，利用周期性极化铌酸锂薄膜光波导的高效级联倍频(或和频)和差频二阶非线性效应实现信号光的光学参量放大；并且利用波长选择性谐振腔，能够使目标波长的光重复经过周期性极化铌酸锂薄膜光波导，实现对信号光进一步的光学参量放大。
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公开(公告)号：CN113687529A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111011105.3
申请日：2021-08-31
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于低折射率高介电常数的薄膜铌酸锂电光调制器，属于光通信器件技术领域。器件从下往上依次包括：衬底层、埋氧层、器件层、波导包覆层，所述器件层依次包括铌酸锂光波导、包层介质、电极组，所述包层介质的介电常数高于波导包覆层的介电常数，且所述包层介质的折射率低于铌酸锂光波导的折射率。本发明的调制器，通过在铌酸锂器件层和包覆层之间引入包层介质，因其具有较高的射频介电常数，且在通讯波段具有很高的光学透明度，使得在不引入额外光学损耗的前提下，增加了铌酸锂波导中的射频信号的电场分压，从而提高了电光调制效率。同时具有损耗低、结构紧凑等优点。
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