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公开(公告)号：CN108557758A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810127391.1
申请日：2018-02-08
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种循环交替刻蚀同质多级坡面台阶引导生长纳米线阵列的方法，1)以晶硅、玻璃、聚合物或者介质层覆盖的金属薄膜作为衬底；2)利用光刻、电子束刻蚀或者掩模板技术，定义引导台阶预定的坡面位置即将台阶边缘图案转移到衬底上；再用ICP或者RIE交替循环刻蚀方法刻蚀出坡面多级台阶结构直到衬底表面；3)利用光刻工艺和蒸发或者溅射等金属淀积工艺，在坡面台阶之一端，制备包括铟或锡金属的催化层；4)通过PECVD，CVD或者PVD沉积技术，在样品表面覆盖与所需生长纳米线相应的非晶半导体前驱体薄膜层；5)生长纳米线；6)剩余非晶前驱体层通过氢气等离子体或者相应的ICP、RIE刻蚀工艺清除。
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公开(公告)号：CN108231542A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810019535.1
申请日：2018-01-09
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L21/02532 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02592 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02672
Abstract: 利用叠层非晶前驱体层制备异质或合金半导体纳米线的方法，1)在单晶硅衬底上，蒸镀设有图案的In、Sn、Ga金属或其组合合金，2)衬底放置PECVD系统，使用氢气等离子体处理样品，使得金属层转变催化液滴；氢气等离子体处理样品1‑10分钟后，呈现出正态分布的催化金属液滴；4)在PECVD系统中，首先沉积一层第一种的半导体材料，然后至少再沉积一层第二种的半导体材料，形成异质叠层非晶层供给层用做前驱体介质层；5)在真空中或者还原性、惰性气氛中退火，使得催化金属颗粒激活后开始吸收异质叠层非晶层材料，并交替析出第一半导体与第二半导体富集岛的纳米线；为高性能场效应晶体管、异质结双极性晶体管提供关键基础技术。
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公开(公告)号：CN107640741A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710653561.5
申请日：2017-08-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种利用叠层非晶前驱体层制备异质或合金半导体纳米线的方法，以硅锗体系为例，通过非晶硅(a-Si)/非晶锗(a-Ge)叠层薄膜作为前驱体，制备出自发相分离的硅锗岛链纳米线结构，采用叠层非晶薄膜作为前驱体层，通过金属液滴的吸收和平面纳米线生长过程，实现自发相分离的平面硅锗纳米线，其形貌可通过叠层的厚度以及叠加次序加以控制，调控为硅锗岛链结构；其中，当非晶锗层处于底部即a-Si/a-Ge结构时，硅锗纳米线中较宽的岛区为锗高浓度区域，而较细的纳米线连接为硅高浓度区域；或通过相反的叠加次序实现直径较为均匀的硅锗合金纳米线结构，或者其中包涵微区间隔的“硅-锗”交替区域结构。
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公开(公告)号：CN107202829A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710301511.0
申请日：2017-05-02
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/414
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N27/4146
Abstract: 本发明公开了一种晶体纳米线生物探针器件的制备方法，步骤包括：1)采用具有一定硬度，耐350℃温度的支撑性材料作为洁净衬底的表面；2)在衬底上通过光刻刻蚀技术制作出深度约80‑350nm作为金属探针的形状的引导沟道；3)再次使用光刻对准技术在沟道的特定位置上定义催化剂区域，形成生物探针形状的纳米线；蒸镀电极金属膜，在于引导沟道特定位置形成几十至一百纳米的金属膜图案作为金属探针的电极；本发明使用常规的PECVD，CVD等多种薄膜沉积系统和微加工系统实现。解决了以硅为代表的各种半导体纳米线，在特定引导沟道中大规模引导生长，并制作成生物探针的关键技术问题。
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公开(公告)号：CN102544136B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210008553.2
申请日：2012-01-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种纳米材料电子与光电子器件，器件的结构包括衬底、下电极、纳米材料、绝缘介电层和上电极五个部分，所述的绝缘介电层选择金属氧化技术获得绝缘介电层，上下电极与纳米材料形成良好的电学接触，绝缘介电层在上下电极之间，保证电荷通过上下电极流经纳米材料。本发明通过对纳米材料加工，形成有效的电极接触，实现其电子和光电子方面的功能。本发明方法避免复杂而昂贵的微加工工艺，可实现纳米器件低成本、大批量的加工。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115377201B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202211067410.9
申请日：2022-09-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种通过源漏电压操作的非对称电极可重构晶体管，包括衬底和设置于所述衬底上的多台阶沟道内分布有掺杂纳米线阵列，位于所述掺杂纳米线阵列两端且垂直于所述掺杂纳米线方向分别沉淀有漏极接触金属和源极接触金属，所述衬底两端的漏极接触金属与源极接触金属之间的上方沉积有栅介质层及栅极薄膜层。采用非对称的源漏极金属和掺杂纳米线沟道进行接触，能够获得非对称的肖特基势垒，通过漏极电压的预偏置效果可以初始调节漏极金属和掺杂纳米线沟道之间的肖特基势垒，改变漏极电压的正负加上栅极调控，即可改变晶体管的极性，获得无需改变载流子类型的可重构晶体管。
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公开(公告)号：CN119698021A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510194397.0
申请日：2025-02-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及微电子制造技术领域。本发明公开了一种具有悬空纳米线结构的IGZO‑FET器件，悬空纳米线结构表面由内而外依次沉积有栅介质层，IGZO沟道层及源、漏电极层，悬空电极及其链接的悬空纳米线构成CAA IGZO‑FET器件的栅电极，悬空电极设有开孔区域用以对由悬空电极链接悬空纳米线形成的栅电极施加栅极电压；或悬空纳米线结构表面由内而外依次沉积有缓冲层，IGZO沟道层，源、漏电极层，栅介质层及栅电极层构成GAA IGZO‑FET器件。本发明获得的高驱动电流和低的亚阈值摆幅，有效提升了高性能IGZO晶体管的集成密度，适用于高清显示和高密度集成电路。
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公开(公告)号：CN118969600A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411090297.5
申请日：2024-08-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/3105 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开一种结合垂直侧壁上的叠层结构和CMP工艺制备平面超细密排沟槽结构，并通过平面固液固的纳米线生长方法，制备出可定位的平面超细密排纳米线，并通过编程引导技术实现阵列化。本发明有望突破长期以来由于光刻技术限制无法大规模集成制备平面超细纳米线的关键技术瓶颈，在低热预算、微米级别光刻精度下且能够在没有高晶格质量的晶圆衬底上实现平面超细纳米线阵列，可大规模运用于三维集成的后端。
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公开(公告)号：CN118547266A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410606200.5
申请日：2024-05-16
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/50 , C23C16/44 , C23C14/22 , C23C14/02 , C23C14/10 , C23C14/06 , C23C16/40 , C23C16/34 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C14/14 , C23C14/58 , C23C16/56
Abstract: 本发明公开一种可精准定位生长堆叠硅锗岛链纳米线的方法，包括获得金属催化液滴移动的引导沟槽；沉积至少一组a‑Ge前驱体和SiO2或者SiNx的叠层；垂直引导沟槽刻蚀所述叠层形成斜切面叠层结构；在引导沟槽的一端制备条状催化金属；利用还原性气体等离子体处理催化金属层，使其转变成为分离的金属纳米颗粒；在整个样品表面覆盖一层与所需生长Si纳米线匹配的a‑Si前驱体；在真空或气体氛围中进行退火处理，使催化金属纳米颗粒吸收a‑Si前驱体并沿着所述引导沟槽向a‑Si‑a‑Ge叠层的斜切面移动，并在催化金属颗粒后端形成晶态Si纳米线‑晶态SiGe岛‑晶态Si纳米线的三维结构。
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公开(公告)号：CN118412284A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410509551.4
申请日：2024-04-25
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/417 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种具备超高等效迁移率的硅纳米线栅控晶体管器件的制备方法，包括利用光刻技术定义栅极图案，并利用蒸发、溅射工艺沉积导电栅极连接超密周期性回转结构的晶态纳米线；在所述晶态纳米线‑导电栅极连接结构上沉积介质层；定位沉积沟道层，所述超密周期性回转结构的晶态纳米线位于所述沟道层下方，对所述沟道层具有栅控作用；定位源极、漏极区域，沉积导电源极层、漏极层得到由硅纳米线栅控的具备超高等效迁移率的晶体管器件。本发明利用纳米线材料栅控沟道层，能够获得兼具高集成度和高迁移率的TFT，有望突破长期以来显示技术中超高分辨率和超快刷新率技术矛盾的关键瓶颈，引领显示技术向多维度共同发展。
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