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公开(公告)号：CN115117240A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210794790.X
申请日：2022-07-07
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种单极性卟啉铜忆阻器及其调控方法，本发明的忆阻器结构从下往上依次为底电极氧化铟锡ITO、有机功能层、无机阻变层非化学计量比氧化物、顶电极金属。所述无机阻变层为采用热原子层沉积薄膜制备所得的非化学计量比氧化物。本发明通过引入热原子层沉积工艺手段，获得了高质量可控的非化学计量比氧化物薄膜，实现了单极性电压调控的同时，为生物功能模拟以及神经形态计算提供了可能。
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公开(公告)号：CN115084367A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210705834.7
申请日：2022-06-21
申请人： 南京邮电大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开一种无铅钙钛矿薄膜忆阻器，该忆阻器为“三明治”结构，顺次由顶电极、无机阻变功能层和底电极组成，顶电极为金属电极，无机阻变功能层为Cs‑Cu‑I钙钛矿薄膜。该忆阻器的整体制备过程可靠稳定，所得忆阻器具有绿色环保的特点；在改善器件性能一致性、环境依赖性的同时，在仿生突触塑性模拟方面也有很大提高，其可利用较低电压实现对器件电流的操控，并实现了稳定可重构的连续脉冲的写入/擦除，为低功耗、神经形态计算提供了有利条件，同时该忆阻器拥有较低功耗，为生物功能模拟以及神经形态计算提供了可能。
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公开(公告)号：CN114613926A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210242264.2
申请日：2022-03-11
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种基于Ce3+掺杂CsPbCl3量子点的电致发光器件及其制备方法，所述电致发光器件采用的发光层材料为Ce3+掺杂CsPbCl3量子点，掺杂浓度分别为2.2％‑9.2％，采用聚乙撑二氧噻吩‑聚(苯乙烯磺酸盐)为空穴注入层、聚(9‑乙烯咔唑)作为空穴传输层、1,3,5‑三(1‑苯基‑1H‑苯并咪唑‑2‑基)苯(TPBi)作为电子传输层；LiF/Ag作为顶部电极，经过Ce3+掺杂，可以实现单一卤素钙钛矿量子点的蓝光发射。
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公开(公告)号：CN114420844A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210061438.5
申请日：2022-01-19
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明公开了聚合物驻极体有机场效应晶体管存储器在生物突触模拟中的应用，涉及半导体行业存储技术、生物薄膜技术领域和突触可塑类器件领域。所述聚合物驻极体有机场效应晶体管存储器从上到下包括源漏电极、有机半导体层、聚合物驻极体、栅绝缘层、栅电极，所述聚合物驻极体为分子量不同的同一种聚合物。聚合物驻极体是通过简单的旋涂工艺制备平整的薄膜，降低了器件的制备成本，具有很大的商业价值。整个晶体管的性能稳定，工艺简单，并且沟道电流变化对应于生物突触具有高度相似性。
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公开(公告)号：CN106098942B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201610622661.7
申请日：2016-07-29
申请人： 南京邮电大学
摘要： 本发明公开了一种纳米柱结构有机场效应晶体管存储器及其制备方法，涉及半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。所述纳米柱结构有机场效应晶体管存储器包括源漏电极、有机半导体层、第二类栅绝缘层、第一类栅绝缘层、栅电极以及衬底，所述有机半导体层与第二类栅绝缘层之间设有纳米柱薄膜层。本发明的有益效果是，通过简单的旋涂工艺制备形貌可控的纳米柱薄膜且改进了器件的存储性能，使其存储容量、存储速度、存储稳定性及其反复擦写可靠性能得到很大提升，并且降低了器件制备成本，具有很大的商业应用价值。
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公开(公告)号：CN106953010A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710129601.6
申请日：2017-03-07
申请人： 南京邮电大学
CPC分类号： H01L51/0512 , H01L51/0032 , H01L51/0516
摘要： 本发明涉及一种基于聚合物掺杂半导体纳米粒子的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于半导体行业存储技术和生物薄膜技术领域。该发明的器件结构自上而下依次为源漏电极、有机半导体、掺杂半导体纳米粒子的聚合物薄膜、栅绝缘层、栅电极，所述有机场效应晶体管存储器的有机半导体和栅绝缘层之间设有一层掺杂半导体纳米粒子的聚合物薄膜层，并将其作为电荷存储层用于捕获电荷。本发明通过再聚合物内掺杂半导体纳米粒子优化改进器件的存储性能，使其存储容量、开关速度和存储稳定性得到很大提升；并且该器件大部分采用溶液法制备，成本低易推广。
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