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公开(公告)号：CN104972189B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510459097.7
申请日：2015-07-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法，本发明涉及同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中籽晶易被气流吹动偏离最佳位置，以及籽晶与金属钼衬底之间导热困难，传统焊接介质熔点过低、与金刚石相容性差或反应严重损伤籽晶，无法满足金刚石优质生长的问题。方法：一、清洗；二、选择焊接介质；三、放置样品；四、真空钎焊，即完成同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。本发明用于一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。
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公开(公告)号：CN112609240A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011446248.2
申请日：2020-12-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于复合结构样品台提高金刚石异质外延大尺寸形核均匀性的方法，本发明属于化学气相沉积法异质外延单晶金刚石生长领域，它为了解决现有难以实现异质衬底大尺寸高密度外延形核的难题。提高金刚石异质外延形核均匀性的方法：一、将复合结构样品台放置在MPCVD设备的水冷台中心位置，异质衬底放置在样品台的中心位置，抽真空；二、启动微波发生器，激发气体电离和解离；三、偏压增强形核过程：通入甲烷气体，进行等离子体预处理，然后启动偏压电源施加偏压；四、降低甲烷浓度，进行金刚石外延生长，直至沉积生长结束。本发明样品台具有类似于台阶的结构以及数量更多的边缘尖端区域，能在偏置电场的作用下直流辉光层的面积更均匀分布在样品上方。
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公开(公告)号：CN108229010B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201711483712.3
申请日：2017-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于XRD实验数据调整衬底和薄膜初始结构模型的结构参数的方法，它属于材料计算技术领域。本发明解决了衬底和薄膜结构模型预留距离过大影响几何优化过程的计算速度，以及可能无法模拟出最终能量最低的稳定结构的问题。本发明利用带有薄膜附件的X射线衍射仪对衬底和生长外延薄膜进行X射线小角衍射(SXRD)表征，得到衬底样品和薄膜样品的X射线小角衍射图谱，据此分别计算出衬底样品、薄膜样品、衬底样品与薄膜样品界面处原子层之间的晶面间距，然后利用上述晶面间距对利用Material Studio建立的初始结构模型的结构参数进行调整。本发明减少了几何优化步骤，大大缩短优化时间，同时有效避免计算过程陷入亚稳定结构陷阱，能够更准确地找到最终稳定结构。
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公开(公告)号：CN109023517A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811213112.X
申请日：2018-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用聚焦离子束技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法，本发明涉及消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。本发明要解决现有的MPCVD生长中籽晶表面由于激光加工和抛光不完善导致的表面缺陷富集，进而影响外延生长金刚石质量的问题。方法：一、单晶金刚石籽晶清洗；二、喷金处理；三、放置样品；四、关舱；五、抽真空；六、聚焦离子束扫描刻蚀；七、吹洗样品。本发明用于一种利用聚焦离子束技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108315710A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810150928.6
申请日：2018-02-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种用于微量试剂无损拾取转移的仿生涂层，属于仿生超疏水材料的制备技术领域。本发明包括以下步骤：一、通过微波等离子体化学气相沉积法，制备出具有超疏水性能的表面氢化的金刚石微球。二、将制备的超疏水金刚石微球通过环氧树脂胶水均匀胶粘到转移装置的表面，固化24小时使复合涂层稳定。三、将未与转移装置表面牢固结合的金刚石微球去除，使清理后的涂层表面获得超疏水且具有超高粘滞力的特殊浸润性能。本发明具有较好的力学性能，并且对强酸强碱的腐蚀性的水溶试剂能保持稳定的性能，为微量水溶试剂的无损拾取与转移提供了一种新途径。
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公开(公告)号：CN108229010A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711483712.3
申请日：2017-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于XRD实验数据调整衬底和薄膜初始结构模型的结构参数的方法，它属于材料计算技术领域。本发明解决了衬底和薄膜结构模型预留距离过大影响几何优化过程的计算速度，以及可能无法模拟出最终能量最低的稳定结构的问题。本发明利用带有薄膜附件的X射线衍射仪对衬底和生长外延薄膜进行X射线小角衍射(SXRD)表征，得到衬底样品和薄膜样品的X射线小角衍射图谱，据此分别计算出衬底样品、薄膜样品、衬底样品与薄膜样品界面处原子层之间的晶面间距，然后利用上述晶面间距对利用Material Studio建立的初始结构模型的结构参数进行调整。本发明减少了几何优化步骤，大大缩短优化时间，同时有效避免计算过程陷入亚稳定结构陷阱，能够更准确地找到最终稳定结构。
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公开(公告)号：CN108165237A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201810032016.9
申请日：2018-01-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K5/14
Abstract: 一种提高硅凝胶复合材导热性能的制备方法，本发明涉及聚合物基导热复合材料领域，具体涉及金刚石颗粒表面的磁性材料负载技术及外置磁场作用下填充体定向排布的聚合物基复合材料的制备方法。本发明要解决磁场作用下可控制备的定性排布金刚石/硅凝胶复合材料制备的技术问题。方法：先制备磁性材料负载的金刚石填充体颗粒；然后利用外置磁场对可磁性响应的金刚石颗粒进行定向排布以制备复合材料。本发明提出了定向排布的金刚石/硅凝胶复合材料的制备方法，对实际磁性负载的金刚石颗粒定向排布进行了表征，定向排布效果显著，提高了硅凝胶复合片材的热导率。
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公开(公告)号：CN107749316A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201710930415.2
申请日：2017-10-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G21H1/06
CPC classification number: G21H1/06
Abstract: 金刚石肖特基同位素电池及其制备方法，本发明属于微能源领域，它为了解决现有同位素电池的抗辐射损伤强度以及能量转换效率较低的问题。本发明金刚石肖特基同位素电池从上至下依次由放射源、电池肖特基电极、本征金刚石层和P型金刚石层形成叠层结构，在叠层结构的侧面设置欧姆电极。制备方法：一、在P型金刚石基底层上外延生长本征金刚石层；二、置于浓H2SO4和浓HNO3的混合溶液中；三、在本征金刚石层表面溅射肖特基电极；四、涂覆导电银胶；五、在肖特基电极上加载电镀放射源。本发明金刚石肖特基同位素电池中以Am作为放射源，其发出的阿尔法射线穿透深度低，且该金刚石肖特基同位素电池的输出功率能够达到皮瓦级，转换效率高。
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公开(公告)号：CN105063565B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510546952.8
申请日：2015-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种P型红外透明导电氧化物薄膜的制备方法，它涉及红外透明导电氧化物薄膜的制备方法，尤其涉及一种P型红外透明导电氧化物薄膜的制备方法。本发明要解决现有的被动式红外探测系统中红外透明导电薄膜不能同时兼顾屏蔽干扰电磁波信号和保持中、远红外波段高透过性的问题。本发明按以下步骤进行：一、焊接；二、清洗；三、镀膜前准备工作；四、在氧气氛中溅射镀膜；五、关机。本发明解决了红外透明导电薄膜不能同时兼顾屏蔽干扰电磁波信号和保持中、远红外波段高透过性的问题。本发明适用于红外透明导电氧化物薄膜的制备领域。
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