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公开(公告)号：CN108649031A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810309047.4
申请日：2018-04-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/115 , H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11578
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种基于自整流特性材料的二维超快准非易失存储器及其制备方法。本发明利用具有自整流特性的材料替代传统闪存（Flash）的沟道与隧穿层，通过此材料的开关特性，取代传统电荷的隧穿机制实现超快写入与准非易失存储。本发明制备，包括先在衬底上利用机械剥离或者化学气相沉积获得作为电荷存储层的二维材料，然后利用分子束外延生长自整流特性材料CrX3作为器件沟道以及开关。本发明可以制备具有超快写入能力以及准非易失特性的新型存储器，弥补了动态随机存储器与闪存存储器之间的数据存储时间跨度，在未来存储器领域具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN107611034A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710799123.X
申请日：2017-09-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体晶体管技术领域，具体为一种基于二维半导体材料的双极性晶体管的制备方法。本发明方法包括：在轻掺杂的衬底上转移一层二维材料，然后再转移一层二维材料堆叠在上面。由于传统双极性晶体管的结构，材料以及制备方法的限制，使得其无法在放大倍数以及小型化中取得重大突破。本发明由于采用二维材料堆叠的方法，使得形成基区的时候，不用采用离子注入的方法，从而可以很好的控制基区厚度在1nm左右，使得发射区注入的载流子能够很快的移动到集电节附近，在反偏电压的作用下，移动到集电区，从而极大的增高放大倍数。
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公开(公告)号：CN103903973B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410078021.5
申请日：2014-03-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/283
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用旋涂液态金属种子层在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明采用高温旋涂液态金属的方法在石墨烯表面先淀积一层薄的金属铝种子层并使之暴露于氧气氛围中被氧化,之后再通过原子层沉积的方法生长高K介质。通过高温真空旋涂液态金属铝的方法在石墨烯上形成铝种子层是一种新颖的方法，这种方法对石墨烯造成损伤最小，不破坏石墨烯的晶格结构。本发明方法可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中，也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。
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公开(公告)号：CN103490007B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310449102.7
申请日：2013-09-28
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/16 , G11C2213/35
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种基于石墨烯纳米带的自旋阀及其制备方法。本发明采用石墨烯作为沟道材料，采用氢等离子体刻蚀，控制石墨烯宽度方向减小形成石墨烯纳米带，并氢化边缘碳原子；采用氧等离子体刻蚀，控制石墨烯宽度方向减小形成石墨烯纳米带，并氧化边缘碳原子，从而得到石墨烯纳米带的功能器件。理论计算表明制备的器件具有自旋阀的效果，可以应用于自旋存储器中。
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公开(公告)号：CN102709177B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201210195407.5
申请日：2012-06-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/316
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用罗丹明作为缓冲层的石墨烯上高k介质原子层沉积方法。本发明方法在石墨烯表面覆盖罗丹明缓冲层，通过原子层沉积实现高k介质在石墨烯表面的均匀淀积。利用罗丹明缓冲层是一种新颖的在石墨烯表面生长高k介质的方法，它可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中。另外，该方法也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103490007A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310449102.7
申请日：2013-09-28
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/16 , G11C2213/35
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种基于石墨烯纳米带的自旋阀及其制备方法。本发明采用石墨烯作为沟道材料，采用氢等离子体刻蚀，控制石墨烯宽度方向减小形成石墨烯纳米带，并氢化边缘碳原子；采用氧等离子体刻蚀，控制石墨烯宽度方向减小形成石墨烯纳米带，并氧化边缘碳原子，从而得到石墨烯纳米带的功能器件。理论计算表明制备的器件具有自旋阀的效果，可以应用于自旋存储器中。
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公开(公告)号：CN103489870A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310449103.1
申请日：2013-09-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/115 , H01L29/51 , H01L29/792 , H01L29/12
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于氧化石墨烯的柔性电荷陷阱存储器及其制备方法。本发明依托于原有的电荷陷阱存储器三层结构，即隧穿层/电荷陷阱层/控制栅介质层结构，利用柔性衬底作为基底，采用氧化石墨烯取代了传统的电荷陷阱层。具体制备步骤为：使用低温原子层淀积方法，先在柔性衬底上淀积介质隧穿层，再在室温条件下旋涂氧化石墨烯，然后同样采用低温原子层淀积技术生长控制栅介质。本发明的优点是使用低温原子层淀积技术和室温旋涂氧化石墨烯的工艺，利用氧化石墨烯的特性，在保证擦写窗口的同时，大大降低了工艺热预算，为未来柔性电子器件提供了一种切实可靠的方案。
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公开(公告)号：CN102082119B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201010545411.0
申请日：2010-11-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/312
Abstract: 本发明属于集成电路制造技术领域，具体涉及一种选择性淀积钨接触孔或通孔的方法。本发明提出的淀积钨接触孔或通孔的方法，是采用原子层淀积方法，进行选择性淀积。该方法可以得到高保形性、高台阶覆盖率的钨薄膜，而且，原子层淀积生长的钨薄膜与扩散阻挡层有良好的接触，可以有效克服接触孔和通孔出现的空洞问题，提供较低且稳定的电阻。同时，选择性地淀积钨薄膜，可以避免不必要的钨的淀积，节省钨材料，并大大减少钨化学机械抛光的研磨量，简化生产工艺，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN101826595B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200910046977.6
申请日：2009-03-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，涉及金属氧化物不挥发存储器技术，具体涉及一种WOx基电阻型存储器及其制备方法，该WOx基电阻型存储器包括上电极、钨下电极、以及设置在上电极和钨下电极之间的WOx基存储介质，所述WOx基存储介质是通过对覆盖在钨下电极上的WSi化合物层氧化处理形成，其中，1＜x≤3。该发明提供的电阻型存储器能提高工艺可控性和器件可靠性，同时具有相对低功耗、数据保持特性好的特点。
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公开(公告)号：CN102842599A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210360078.5
申请日：2012-09-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种使用超薄高介电常数材料层的SiC肖特基二极管及其制作方法。本发明在金属和SiC界面之间插入一超薄的高介电常数材料层，可以提高肖特基接触势垒高度，减小SiC表面态缺陷对肖特基势垒的影响，使得SiC肖特基二极管的反向漏电流更小、整流特性更好、在倍频电路中能产生更高的倍频效率。本发明所提出的SiC肖特基二极管保留了传统二极管结构简单、易于制作的优点，与传统制作工艺兼容，在改善SiC肖特基二极管性能的同时并未提高其制作成本。
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