公开(公告)号：CN101275057B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200810087355.3

申请日：2008-03-21

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 山田彻 ,  菊池信 ,  稻叶正 ,  松野孝洋 ,  富贺敬充 ,  高桥和敬

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463

Abstract: 一种金属抛光液，其在半导体器件的制造过程中用于铜或铜合金的导体膜的化学机械抛光，所述金属抛光液包含：(1)由式(I)表示的氨基酸衍生物；和(2)表面活性剂，其中在所述式(I)中，R1表示含1至4个碳原子的烷基，并且R2表示含1至4个碳原子的亚烷基。

公开(公告)号：CN102031204A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010297139.9

申请日：2010-09-28

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 高桥智威 ,  高桥和敬 ,  水谷笃史 ,  关裕之 ,  伏见英生 ,  加藤知夫

IPC: C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/36 ,  C11D7/26 ,  B08B3/08 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02

CPC classification number: G03F7/425 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C11D7/08 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32138 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明提供一种清洗组合物，其为除去在半导体用基板上形成的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣用的清洗组合物，其特征在于，包含(成分a)水、(成份b)羟基胺及/或其盐、(成分c)碱性有机化合物和(成分d)有机酸，所述清洗组合物的pH为7～9。还提供使用所述清洗组合物的清洗方法及半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN101275057A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810087355.3

申请日：2008-03-21

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 山田彻 ,  菊池信 ,  稻叶正 ,  松野孝洋 ,  富贺敬充 ,  高桥和敬

IPC: C09G1/18 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  B24B29/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463

Abstract: 一种金属抛光液，其在半导体器件的制造过程中用于铜或铜合金的导体膜的化学机械抛光，所述金属抛光液包含：(1)由式(I)表示的氨基酸衍生物；和(2)表面活性剂，其中在所述式(I)中，R1表示含1至4个碳原子的烷基，并且R2表示含1至4个碳原子的亚烷基。