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公开(公告)号：CN103608925B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201280028791.8
申请日：2012-06-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 任东吉
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明内容的实施例了提供制造薄膜晶体管器件的方法，对形成于薄膜晶体管器件中的有源层的周边侧壁有良好的轮廓控制。在一实施例中，一种制造薄膜晶体管器件的方法包括：提供基板，所述基板具有有源层形成于其上，源极‑漏极金属电极层设置在所述有源层上，其中有源层为金属氧化物层；进行背沟道蚀刻工艺以于源极‑漏极金属电极层中形成沟道；以及在背沟道蚀刻工艺之后进行有源层图案化工艺。
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公开(公告)号：CN105144391A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480011180.1
申请日：2014-02-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02126 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L29/24 , H01L29/4908 , H01L29/51 , H01L29/66969 , H01L29/78606
Abstract: 在此公开一种结合有氢量减少的含硅层的金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法。所述薄膜晶体管可包括基板、金属氧化物半导体层、基本不含氢的沟道接合面层以及所述沟道接合面层上形成的含硅的覆盖层。用于制造薄膜晶体管的方法可以包括：将金属氧化物半导体层沉积在基板上；激活含SiF4的沉积气体，从而形成被激活的沉积气体；将所述被激活的沉积气体递送到所述基板上，从而沉积含SiOF的沟道接合面层；以及将覆盖层沉积在所述沟道接合面层和所述金属氧化物半导体层上。
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公开(公告)号：CN105051907A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480016376.X
申请日：2014-03-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/467 , H01L29/24 , H01L29/78603 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 本发明大体上涉及TFT以及用于制造TFT的方法。对于背沟道蚀刻TFT或蚀刻终止TFT而言，多层的钝化层或蚀刻终止层允许在并不太致密的背沟道保护层上形成很致密的盖层。所述盖层可以是充分致密的，使得存在很少气孔，并且因此氢可能不穿过通向半导体层。因此，可将含氢的前驱物用于所述盖层沉积。
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公开(公告)号：CN105051906A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480014434.5
申请日：2014-03-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908
Abstract: 本发明大致关于一种薄膜半导体器件，所述器件具有形成于半导体层与一个或更多个层之间的缓冲层。在一实施方式中，薄膜半导体器件包括：半导体层，具有第一功函数及第一电子亲和力水平；缓冲层，具有比第一功函数更大的第二功函数及比第一电子亲和力水平更低的第二电子亲和力水平；以及栅介电层，具有比第二功函数更小的第三功函数及比第二电子亲和力水平更高的第三电子亲和力水平。
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公开(公告)号：CN118251042A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410415312.2
申请日：2019-07-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H10K50/844 , H10K59/12 , H01L29/786
Abstract: 本公开内容的实施方式大体涉及有机发光二极管装置，并且更特别涉及用于OLED装置的湿气阻挡膜。OLED装置包括薄膜封装结构和/或薄膜晶体管。湿气阻挡膜被用来作为薄膜封装结构中的第一阻挡层和薄膜晶体管中的钝化层和/或栅极绝缘层。湿气阻挡膜包括氮氧化硅材料，氮氧化硅材料具有小于约1.5的低折射率、小于约5.0×10‑5g/m2/天的低水蒸气穿透率和小于约8％的低氢含量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112575301B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202011084003.X
申请日：2016-04-21
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 提供一种用于利用至少一个阴极组件(10)涂布基板(100)的方法，至少一个阴极组件(10)具有三个或更多个可旋转靶(20)，三个或更多个可旋转靶(20)各包括位于其中的磁体组件(25)。所述方法包括：旋转磁体组件(25)至相对于平面(22)的多个不同的角位置，平面(22)从基板(100)垂直地延伸至三个或更多个可旋转靶(20)的相应可旋转靶的轴(21)；以及根据储存于数据库或存储器中的函数改变下述的至少一者：提供至三个或更多个可旋转靶(20)的功率、磁体组件(25)的停留时间、以及磁体组件(25)的持续地改变的角速度。
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公开(公告)号：CN114744048A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210217020.9
申请日：2016-06-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/32 , H01L27/12 , G02F1/136
Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于在液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)及有机发光二极管(organic light‑emitting diode,OLED)显示器中使用低温多晶硅(low temperature polysilicon,LTPS)薄膜晶体管的方法及装置。
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公开(公告)号：CN113994458A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202080044751.7
申请日：2020-06-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/10
Abstract: 本公开的实施方式一般涉及制造薄膜晶体管(TFT)的方法。更具体地，本文描述的实施方式涉及使用电感耦合等离子体高密度等离子体工艺在金属氧化物层之上沉积绝缘层以提高电子迁移率的方法。高密度等离子体包括大于1.0E11/cm3的电子或离子等离子体密度。金属氧化物层用由N2O气体或N2O气体与氩气形成的电感耦合等离子体进行预处理。由SiH4气体和N2O气体形成的电感耦合等离子体用于沉积绝缘层，例如氧化硅层。氧化硅层为蚀刻停止层，或者氧化硅层为TFT结构的钝化层。本公开内容用于MO TFT结构和互补MO TFT和LTPS TFT结构。
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公开(公告)号：CN111902563A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201880091795.8
申请日：2018-11-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C14/56 , C23C14/50 , H01L21/677 , H01L21/67 , B65G49/06 , H01L21/687
Abstract: 描述一种用于处理基板的真空处理设备。所述真空处理设备包括真空腔室；与真空腔室相邻的并操作性地与真空腔室耦接的至少两个处理站，当基板在不同处理站进行处理时，基板的表面具有不同的定向，并且至少一个处理站包括具有纵向轴的线性源以用于处理基板；以及基板支撑件。所述基板支撑件包含用于固持基板的支撑主体；以及致动器，被配置为使支撑主体从非垂直位置围绕处理站前方的轴而移动至非水平位置。
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公开(公告)号：CN108884556B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201680084352.7
申请日：2016-04-21
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 提供一种用于利用至少一个阴极组件(10)涂布基板(100)的方法，至少一个阴极组件(10)具有三个或更多个可旋转靶(20)，三个或更多个可旋转靶(20)各包括位于其中的磁体组件(25)。所述方法包括：旋转磁体组件(25)至相对于平面(22)的多个不同的角位置，平面(22)从基板(100)垂直地延伸至三个或更多个可旋转靶(20)的相应可旋转靶的轴(21)；以及根据储存于数据库或存储器中的函数改变下述的至少一者：提供至三个或更多个可旋转靶(20)的功率、磁体组件(25)的停留时间、以及磁体组件(25)的持续地改变的角速度。
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