公开(公告)号：CN108766936A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810568682.4

申请日：2012-05-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 类维生 ,  S·辛格 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  B·伊顿 ,  A·库玛

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/308 ,  H01L21/67 ,  B23K26/06 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40

CPC classification number: H01L21/3086 ,  B23K26/06 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/0626 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明涉及使用具有多重脉冲串的脉冲列激光与等离子体蚀刻的晶圆切割。本文描述切割半导体晶圆的方法，每个晶圆具有多个集成电路。一种方法包括以下步骤：于半导体晶圆上方形成掩模。所述掩模由覆盖并保护所述集成电路的层所组成。以使用多重脉冲串的脉冲列激光雕绘工艺图案化所述掩模，以提供具有间隔的图案化掩模。所述图案化暴露出在集成电路之间的半导体晶圆的区域。之后经由图案化掩模中的间隔蚀刻半导体晶圆，以切割所述集成电路。

公开(公告)号：CN106077965B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201610450148.4

申请日：2012-05-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W-S·类 ,  B·伊顿 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  S·辛格 ,  A·库玛 ,  J·M·霍尔登

IPC: B23K26/364 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/40 ,  B23K26/402 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/42 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/67207

Abstract: 本申请公开了多步骤和非对称塑形的激光束划线。提供了藉由激光划线和等离子体蚀刻二者分割基板的方法。一种方法包括：激光剥蚀材料层；以第一辐照度和后续的第二辐照度进行剥蚀，第二辐照度低于第一辐照度。可利用经调整而具有不同通量水平的射束的多重进程、或具有各种通量水平的多重激光束，在第一通量水平下剥蚀掩模和IC层以暴露基板，并且接着在第二通量水平下自沟槽底部清除再沉积的材料。一种利用分束器的激光划线装置可自单一激光提供具有不同通量的第一和第二射束。

公开(公告)号：CN105428281A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510982784.7

申请日：2011-06-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 类维生 ,  B·伊顿 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  S·辛格 ,  A·库玛 ,  J·M·霍尔登

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/78 ,  H01L21/308

Abstract: 本申请公开了使用基于飞秒的激光及等离子体蚀刻的晶圆切割。本发明描述切割半导体晶圆的方法，其中每一晶圆具有多个集成电路。一种方法包括以下步骤：在所述半导体晶圆上形成掩模。所述掩模由覆盖且保护所述集成电路的层组成。用基于飞秒的激光划线工艺将所述掩模图案化，以提供具有间隙的一经图案化的掩模。所述图案化曝露所述集成电路之间的所述半导体晶圆的区域。然后穿过所述经图案化的掩模中的所述间隙蚀刻所述半导体晶圆，以单分所述集成电路。

公开(公告)号：CN104412377A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380035357.7

申请日：2013-07-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·伊顿 ,  S·辛格 ,  W-S·类 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  T·刘 ,  A·库玛

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/67161 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32788 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/78 ,  Y10T29/5124

Abstract: 在实施例中，为晶粒单切而进行包括初始激光划线和后续的等离子体蚀刻的一种混合式晶圆或基板切割工艺。该激光划线工艺是用以洁净地移除遮罩层、有机与无机介电层、以及器件层。接着在暴露出、或部分蚀刻晶圆或基板时终止激光蚀刻工艺。在实施例中，多重等离子体蚀刻方式用以切割晶圆，其中在异向性蚀刻之后进行等向性蚀刻以移除晶粒侧壁。等向性蚀刻在晶粒单切之后自异向性蚀刻的晶粒侧壁移除异向性蚀刻的副产物、粗糙度及/或扇形部分。

公开(公告)号：CN103650115A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280033999.9

申请日：2012-05-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 类维生 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  B·伊顿 ,  S·辛格 ,  A·库玛

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/67069 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327

Abstract: 描述一种切割半导体晶圆的方法，其中每个晶圆具有多个集成电路。一种方法包括在半导体晶圆上方形成掩模，所述半导体晶圆位于可水溶管芯附接膜上，所述掩模覆盖并保护所述集成电路。以激光划线工艺图案化所述掩模，以提供具有间隙的图案化掩模。所述图案化暴露出所述集成电路之间的半导体晶圆的区域。然后经由所述图案化掩模中的间隙蚀刻所述半导体晶圆，以形成切割的集成电路。然后以水性溶液图案化可水溶管芯附接膜。

公开(公告)号：CN103155137A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201280001234.7

申请日：2012-05-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 类维生 ,  S·辛格 ,  M·R·亚拉曼希里 ,  B·伊顿 ,  A·库玛

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301

CPC classification number: H01L21/3086 ,  B23K26/06 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/0626 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明描述切割半导体晶圆的方法，每个晶圆具有数个集成电路。一种方法包括以下步骤：于半导体晶圆上方形成光罩。该光罩由覆盖并保护该等集成电路的层所组成。以使用多重脉冲的脉冲列激光雕绘工艺图案化该光罩，以提供具有间隔的图案化光罩。该图案化暴露出在集成电路之间的半导体晶圆的区域。之后经由图案化光罩中的间隔蚀刻半导体晶圆，以切割该等集成电路。