公开(公告)号：CN116034186A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202180054548.2

申请日：2021-04-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 今井克宏 ,  坂井正宏 ,  小林弘季

IPC: C30B9/10

Abstract: 本发明提供一种III族元素氮化物半导体基板，其具备第一面和第二面，对于该III族元素氮化物半导体基板，通过肉眼观察容易区别第一面和第二面，利用光学传感器容易检测出端部，能够确保有效面积(可用于器件制作的面积)较大，整个基板的翘曲减少。本发明的实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，其中，该第一面为镜面，该第二面具有第二面中央区域和第二面外周区域，该第二面中央区域为镜面，该第二面外周区域为非镜面。

公开(公告)号：CN115698394A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180043074.1

申请日：2021-02-19

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 坂井正宏 ,  吉野隆史

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

Abstract: 在包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或者它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的外延结晶生长用自立基板的基础上，防止在使外延结晶生长的工序中在自立基板或外延结晶发生开裂。包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或者它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的外延结晶生长用自立基板21具有氮极性面21a和13族元素极性面21b。氮极性面21a呈凸状翘曲，在氮极性面21a的外周部21c设置有倒角部21c。

公开(公告)号：CN111094637B

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN201880059294.1

申请日：2018-07-03

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 坂井正宏 ,  大上翔平 ,  后藤万佐司 ,  吉野隆史

IPC: C30B29/38

Abstract: 提供一种基底基板(6)，其具备支撑基板(1)、和设置在支撑基板(1)的主面(1a)上的基底结晶层(3)，其中该基底结晶层(3)由13族元素氮化物结晶构成、且具有结晶培养面(3a)。基底结晶层(3)具备隆起部(5)。在隆起部(5)与支撑基板(1)之间存在有支撑基板(1)的材质与13族元素氮化物结晶的反应物、13族金属和/或空隙。

公开(公告)号：CN114341410A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080058516.5

申请日：2020-07-17

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 坂井正宏 ,  平尾崇行 ,  中西宏和 ,  市村干也 ,  下平孝直 ,  吉野隆史 ,  今井克宏 ,  仓冈义孝

IPC: C30B29/40 ,  C30B9/10 ,  C30B25/18 ,  C30B7/10

Abstract: 本发明的课题在于，在晶种基板上培养13族元素氮化物结晶层时，能够进一步降低13族元素氮化物结晶层的位错密度。在单晶基板1上的氧化铝层2上设置包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的晶种层3。通过在950℃以上1200℃以下的温度的还原气氛中进行退火而在晶种层3的表面3a以使得利用原子力显微镜测定的RMS值为180nm～700nm的方式形成凹凸。在晶种层3的表面3a培养包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的13族元素氮化物结晶层13。

公开(公告)号：CN111033764B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201780093879.0

申请日：2017-08-24

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 平尾崇行 ,  中西宏和 ,  市村干也 ,  下平孝直 ,  坂井正宏 ,  吉野隆史

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明在包含选自氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中的13族元素氮化物结晶且具有上表面及底面的13族元素氮化物结晶层的基础上，提供一种能够降低位错密度、从整体上减少特性偏差的微结构。其特征在于，在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。上表面13a的X射线摇摆曲线的(0002)晶面反射的半值宽度为3000秒以下20秒以上。

公开(公告)号：CN111033763B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201780093870.X

申请日：2017-09-21

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 平尾崇行 ,  中西宏和 ,  市村干也 ,  下平孝直 ,  坂井正宏 ,  吉野隆史

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明在包含选自氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中的13族元素氮化物结晶且具有上表面及底面的13族元素氮化物结晶层的基础上，提供一种能够降低位错密度、从整体上减少特性偏差的微结构。在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。高亮度发光部5包括沿着13族元素氮化物结晶13的m面延伸的部分。

公开(公告)号：CN111033764A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201780093879.0

申请日：2017-08-24

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 平尾崇行 ,  中西宏和 ,  市村干也 ,  下平孝直 ,  坂井正宏 ,  吉野隆史

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明在包含选自氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中的13族元素氮化物结晶且具有上表面及底面的13族元素氮化物结晶层的基础上，提供一种能够降低位错密度、从整体上减少特性偏差的微结构。其特征在于，在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。上表面13a的X射线摇摆曲线的(0002)晶面反射的半值宽度为3000秒以下20秒以上。

公开(公告)号：CN108884594A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780000677.7

申请日：2017-01-13

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 坂井正宏 ,  吉野隆史

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/12 ,  H01L21/208

Abstract: 在支撑基板1上设置包含13族元素氮化物的晶种层2。通过从支撑基板1侧照射激光A而沿着支撑基板与晶种层3的界面设置包含13族元素氮化物的变质部4。变质部4为位错缺陷导入部或非晶质部。

公开(公告)号：CN105793476A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201480064895.3

申请日：2014-12-04

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 岩井真 ,  坂井正宏 ,  今井克宏 ,  仓冈义孝

IPC: C30B29/38 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L33/02 ,  H01L33/20

Abstract: 在氮化镓基板的表面3a对与氮化镓基板的带隙相对应的波长的阴极发光峰强度进行测定时，0.1mm×0.1mm的测定视野中的阴极发光峰强度的最大值为阴极发光峰强度的平均值的140％以上。

公开(公告)号：CN203174224U

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201320072836.3

申请日：2013-02-08

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 岩井真 ,  坂井正宏 ,  平尾崇行 ,  今井克宏 ,  吉野隆史 ,  下平孝直

IPC: C30B29/40 ,  H01L33/02

Abstract: 一种复合基板（7），具有蓝宝石基板（1）、晶种膜（2）以及氮化镓膜（3），所述晶种膜（2）由通过荧光显微镜观察看到黄色发光效果的氮化镓构成，所述氮化镓膜（3）在所述晶种膜（2）上通过助熔剂法在含氮气氛下由熔液育成，没有看到黄色发光效果。所述复合基板（7）包括被设置于自氮化镓膜（3）的晶种膜侧的界面起50μm以下的区域的、分布有源自所述熔液的成分的夹杂物的夹杂物分布层（3a）和被设置于夹杂物分布层上的缺乏夹杂物的夹杂物缺乏层（3b）。