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公开(公告)号：CN109183077A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810768469.8
申请日：2018-07-13
申请人： 有研亿金新材料有限公司
IPC分类号： C25C7/02
摘要： 本发明属于有色金属电解精炼和金属表面处理技术领域，具体涉及一种电解精炼钛阴极种板的处理方法。所述方法包括以下步骤：1)预处理：打磨钛板，并进行喷砂，去除钛板表层污染物和氧化层；2)配制微腐蚀溶液：用硝酸、盐酸和氢氟酸与蒸馏水混合；3)将步骤1)预处理后的钛板浸入步骤2)所得微腐蚀溶液，进行微腐蚀；4)后处理。本发明处理工艺操作简单，成本较低，明显提高电沉积层的附着力，减少电解过程出现极板脱落造成成品率降低，电解始极片合格率提高30％。
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公开(公告)号：CN113652657B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202110981254.6
申请日：2021-08-25
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明提出一种铝钪合金靶材大气高温扩散烧结成型制造方法，通过采用球形粉末原料，且对粉末粒度进行优化级配，从而提高混合粉末的初始松装密度，降低了粉末颗粒间隙体积；然后粉末装入封闭的弹性包套后抽真空超高压冷等静压成型，这样成型的铝钪素坯致密度可达到95％以上，相当于素坯表面形成一层无贯穿气孔的“包套皮”，素坯可以在大气氛烧结炉内进行高温扩散烧结，无需真空或惰性气体保护，大大降低了对设备性能需求，工艺简单，适合大尺寸、大批量生产。
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公开(公告)号：CN111014723A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911178951.7
申请日：2019-11-27
申请人： 有研亿金新材料有限公司
IPC分类号： B22F9/26
摘要： 本发明公开了属于钨粉末冶金技术领域的一种半导体存储器用高纯纳米钨粉的制备方法。该方法包括以下步骤：(1)向纯化的钨酸铵溶液中加入盐酸，得到钨酸浆液；(2)以氯化钯为催化剂，向步骤(1)所得钨酸浆液中通入氢气进行液相氢还原反应，制得高纯纳米钨粉。利用本发明方法制备的高纯纳米钨粉，有利于高纯钨靶的致密化烧结成型，同时可以显著降低其烧结温度，从而获得组织细小均匀、晶粒取向随机的高纯钨靶材；所得高纯纳米钨粉可以满足半导体存储器行业的使用要求。
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公开(公告)号：CN109489424A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811485781.2
申请日：2018-12-06
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 一种炉体可转碳管炉，包括炉体及变压器；该炉体包括底架，该底架两侧设有支撑柱；两个支撑柱之间设有筒体，该筒体顶部设有上盖，底部设有下盖；该上盖设有上通孔，该下盖设有下通孔，二者之间设有保温筒，该保温筒与该筒体内壁之间填装有绝缘保温层；该保温筒内设有加热碳管，该加热碳管顶部内设有隔热罩，该上盖顶部设有上炉盖，该下盖底部设有下炉盖；该底架设有立柱，该立柱套设有横杆，该横杆末端设有热电偶，该热电偶穿设在上炉盖、上盖和隔热罩中部；该上盖固定设有上电极连接板，该下盖固定设有下电极连接板；该变压器连接有第一铜排和第二铜排，该第一铜排与该上电极连接板固定连接，该第二铜排与该下电极连接板固定连接。
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公开(公告)号：CN105402881A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510725884.1
申请日：2015-10-29
申请人： 有研亿金新材料有限公司
IPC分类号： F24H1/20
CPC分类号： F24H1/20
摘要： 本发明属于记忆合金应用技术领域，特别涉及一种记忆合金智能辅助运动装置。装置包括复位体和驱动体，复位体和驱动体连接，或复位体和驱动体为同体结构。驱动体利用记忆合金的单程记忆效应，复位体利用自身的弹性性能，制热体通电时，驱动体受热升温发生温感相变驱动或磁感应驱动收缩变短，拉动复位体变长，两者共同清除制热体上的沉积物；当温度下降或失磁时，复位体收缩变短拉动驱动体变长，再次共同清除制热体上的沉积物。通过调节驱动体和复位体的尺寸和形状可以产生较大的宏观应变量和较大的收缩力，通过驱动体和复位体的循环往复动作，实现水温调节系统内除去制热体表面沉积物的要求，装置运动可靠，使用寿命大大延长，达百万次级别。
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公开(公告)号：CN113084289B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110290361.4
申请日：2021-03-18
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种靶材与背板的高性能焊接方法，通过真空焊接技术，设计合理的焊接面排气花纹，克服常规焊接方法无法排除焊接面气体及焊料氧化膜混入的问题，对于高温焊接具有较大的优势，避免了高温焊接过程中焊料的氧化，同时，背板及靶材也得到保护，避免高温操作风险，操作简单，焊合率达到99％以上，局部最大未焊合率≤0.5％；本发明的焊接方法，克服了常规钎焊焊接方法焊接变形大问题，降低了靶材的焊接应力，焊接后靶材平面度≤0.5mm，通过后续调平技术，可保证靶材成品的厚度均匀性，提高靶材的性能；本发明的焊接方法，一炉可同时加工多块靶材，提高了生产效率，消除了焊接过程中人为因素的影响，可实现靶材焊接的批量化生产，稳定一致性高。
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公开(公告)号：CN111014723B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201911178951.7
申请日：2019-11-27
申请人： 有研亿金新材料有限公司 , 有研亿金新材料(山东)有限公司
IPC分类号： B22F9/26
摘要： 本发明公开了属于钨粉末冶金技术领域的一种半导体存储器用高纯纳米钨粉的制备方法。该方法包括以下步骤：(1)向纯化的钨酸铵溶液中加入盐酸，得到钨酸浆液；(2)以氯化钯为催化剂，向步骤(1)所得钨酸浆液中通入氢气进行液相氢还原反应，制得高纯纳米钨粉。利用本发明方法制备的高纯纳米钨粉，有利于高纯钨靶的致密化烧结成型，同时可以显著降低其烧结温度，从而获得组织细小均匀、晶粒取向随机的高纯钨靶材；所得高纯纳米钨粉可以满足半导体存储器行业的使用要求。
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公开(公告)号：CN113427114B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110712010.8
申请日：2021-06-25
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明提出了一种溅射环批量电子束焊接的组件及方法，包括芯轴、隔板、套筒、挡板和螺栓。芯轴固定在电子束焊机卡盘上，尾部可通过电子束焊机工作台上的尾座顶尖支撑。批量焊接溅射环时，可一次安装多个溅射环，两个隔板固定一个溅射环，最后依靠挡板和螺栓固定。焊接时，只需要进行第一个溅射环支撑件和电极坐标、高压、束流和线速度等参数设定，其他溅射环可通过编程自动进行焊接。该溅射环批量电子束焊接组件及方法减少了多次抽真空和冷却时间，也减少了多次设定坐标参数的时间，提高了生产效率，降低了企业生产成本。
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公开(公告)号：CN112475788A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011159210.7
申请日：2020-10-27
申请人： 有研亿金新材料有限公司
IPC分类号： B23P15/00
摘要： 本发明公开了属于磁控溅射靶材制造领域的一种铜聚焦环的制造方法；其中先对准备好的铜锭进行热锻处理，加工成预制铜条；再对预制铜条进行调平，切割成预定尺寸的铜板条；对铜板条进行卷圆处理，制成环状的开口铜环，焊接开口铜环的铜环接口，并将制成的闭口铜环车加工到成品尺寸；在闭口铜环外表面的相应位置车削加工出焊接槽，将预制好的圆柱状连接部件放入焊接槽中并对圆柱状连接部件焊接；最后铣加工出开口，制成开口的铜聚焦溅射环。本发明先通过对热锻处理后的铜锭进行水冷急速冷却，提高了铜环的强度和硬度；最后采用电子束点焊与电子束封焊结合的方式将圆柱状连接部件焊接到铜环上，保证焊接位置外观和聚焦环安装效果。
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公开(公告)号：CN111910215A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010702123.5
申请日：2020-07-21
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明公开了属于金属提纯技术领域的一种电沉积钴深度去除痕量镍的方法，本发明采用螯合型树脂CH27，经动态离子交换法深度脱除钴溶液中杂质镍，电沉积钴溶液通入电沉积槽进行不溶阳极电积净化提纯，制备得到镍含量低于0.00002％的99.9995％高纯钴。本发明适用于电沉积钴溶液中痕量镍的深度脱除，该工艺操作简单、稳定性好、成本低廉、绿色环保，达到深度除镍的目的，满足制备5N5高纯钴产品的要求，有助于实现湿法电解高纯金属的大规模工业化生产。
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