-
公开(公告)号：CN1320605C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN03159751.3
申请日：2003-09-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223
Abstract: 一种用于等离子体注入的方法及装置，其中基片被定位在安装于腔体中的工作台上，所述腔体被抽成真空且被输入所要注入的杂质。第一高频电源被加载到等离子体产生元件上，从而产生等离子体，以使腔体中的杂质被注入到基片中。另外，第二高频电源被加载到工作台上。对腔体中等离子体的状态和工作台中的电压和电流进行检测。控制器根据检测到的等离子体的状态和/或检测到的电压或电流，对第一和第二高频电源中的至少一个进行控制，从而控制所要注入杂质的注入浓度。
-
公开(公告)号：CN1617656A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410085941.6
申请日：2004-10-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05K3/34
CPC classification number: H05K3/3489 , H05K3/288 , H05K3/3447 , H05K2201/10287 , H05K2203/095
Abstract: 本发明提供一种电子部件的处理方法，其是将具有端子部的电子部件的树脂包覆剥离的电子部件的处理方法，其特征在于，包含将等离子照射到以铜为主要成分且表面由树脂包覆的包覆线上的步骤。
-
公开(公告)号：CN1195318C
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN02158815.5
申请日：2002-12-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32183
Abstract: 本发明提供一种匹配电路，该匹配电路能够实现很宽的匹配范围并且相对于负荷状态的变化稳定。第一可变电抗元件(32)的一端连接到匹配电路(30)的输入端子(31)上。第一可变电抗元件(32)的另一端连接到串联的第一固定电抗元件(33a)和第二固定电抗元件(33b)之间的点上。第一固定电抗元件(33a)接地，并且第二固定电抗元件(33b)连接到第二可变电抗元件(36)的一端上并且连接到带状线(37)的一端上。第二可变电抗元件(36)的另一端接地，并且带状线(37)的另一端连接到输出端子(38)上。
-
公开(公告)号：CN1113397C
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN96110303.5
申请日：1996-06-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/30 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/321 , C23C16/507
Abstract: 在等离子处理方法中，通过将基片置于真空腔内的电极上、把气体导入真空腔并同时排出内部气体、向螺旋放电线圈施加高频电压并同时使真空腔内保持某一压力，以在真空腔内产生等离子体，从而处理基片，其特征在于：在处理基片时，至少改变气体类型、气体流速、压力、向线圈和电极施加的高频功率值及它们的高频电源频率等控制参数之一。该方法包括根据改变任何控制参数的定时选择，使等离子体密度平面分布得以控制的步骤。
-
公开(公告)号：CN1076518C
公开(公告)日：2001-12-19
申请号：CN95115736.1
申请日：1995-09-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/24 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/321 , C23C16/507
Abstract: 本发明揭示一种等离子体处理装置，它包括：真空容器、基板电极、放电线圈、高频电源、用导线连至放电线圈且用连接电缆连至高频电源的匹配电路；通过把高频电压施加至放电线圈，在真空容器内产生等离子体，从而处理基板电极上的基板；其特征在于，所述放电线圈一部分或全部制成多重涡形的放电线圈或多重螺旋形的放电线圈。具有放电线圈用匹配电路的匹配用并联线圈引起的电力效率降低小及温升小的优点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1220772A
公开(公告)日：1999-06-23
申请号：CN98800305.8
申请日：1998-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32522 , H01J37/321 , H01L21/3065
Abstract: 一种等离子体处理方法及装置包括,边导入规定的气体边排气,在保持真空室(1)内规定的压力的同时,在通过天线用高频电源(4)向轮辐天线(5),通过电极用高频电源(8)向电极(6)分别供给高频电力,使真空室(1)内产生等离子体,在对电极(6)上的基片(7)进行腐蚀等的等离子体处理时,通过外皮,由电磁波屏蔽的发热体构成的电阻加热的加热器(11)和设置在电介体(9)上的压接式热电偶(10)连接温调器(12),在电阻加热的加热器(11)和轮辐天线(5)之间,设置隔热材料(13),通过带有区域层加热器(22)的内室(16),将真空室内加热到80℃以上。
-
公开(公告)号：CN1132930A
公开(公告)日：1996-10-09
申请号：CN95115736.1
申请日：1995-09-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/203 , H01L21/205 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/321 , C23C16/507
Abstract: 本发明揭示一种等离子体处理装置，它包括：真空容器、基板电极、放电线圈、高频电源、用导线连至放电线圈且用连接电缆连至高频电源的匹配电路；通过把高频电压施加至放电线圈，在真空容器内产生等离子体，从而处理基板电极上的基板；其特征在于，所述放电线圈一部分或全部制成多重涡形的放电线圈或多重螺旋形的放电线圈。具有放电线圈用匹配电路的匹配用并联线圈引起的电力效率降低小及温升小的优点。
-
公开(公告)号：CN102782817A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180012319.0
申请日：2011-05-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L21/20 , H01L21/205 , H05H1/30
CPC classification number: H05H1/30 , H01J37/3211 , H01J37/32376 , H01J37/32825 , H01L21/324
Abstract: 在基材载置台(1)的基材载置面(1a)上载置有基材(2)。感应耦合型等离子体喷枪单元(3)包括：筒状腔室(7)，其包括设有长方形的狭缝状的等离子体喷出口(4)且由绝缘体材料构成的圆筒(5)、及闭塞圆筒(5)的两端的盖(6)；气体喷出口(8)，其向筒状腔室(7)内供给气体；螺线管(9)，其使筒状腔室(7)内产生高频电磁场。通过从高频电源(41)向螺线管(9)供给高频电力，由此使筒状腔室(7)内产生等离子体(P)并将其从等离子体喷出口(4)向基材(2)照射。能够使等离子体喷枪单元(3)和基材载置台(1)相对地移动并同时对基材表面进行热处理。
-
公开(公告)号：CN102751159A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210238455.8
申请日：2006-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 实现了均匀性出色的等离子体掺杂。当预定气体从气体供应设备引入真空容器时，该真空容器通过排气孔藉由作为排气装置的涡轮分子泵被排气，且通过压力调节阀在真空容器内维持预定压力。通过将13.56MHz的高频功率从高频电源供应到置为与样品电极对立的介电质窗口附近的线圈，由此在真空容器内产生感应耦合等离子体。介电质窗口是由多个介电质板组成，且槽形成于相互对立的至少两个介电质板的至少一侧内。气体通道由该槽和其对立的平坦表面形成，且设置于最靠近样品电极的介电质板内的气体排出口被允许连通介电质窗口内的槽。从气体排出口引入的气体的流速可以独立地被控制，且处理的均匀性可以提高。
-
公开(公告)号：CN102387653A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110235970.6
申请日：2011-08-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05H1/30
CPC classification number: H01L21/02667 , H05H1/28 , H05H1/34 , H05H1/3405
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，在等离子枪组件(T)中，整体形成线圈的铜棒(3)配置在石英块(4)上所设的铜棒插入孔(12)内，石英块(4)被在铜棒插入孔(12)及冷却水配管(15)内流过的水冷却。在枪组件(T)的最下部设置等离子体喷出口(8)，向长条腔室内部的空间(7)供给气体的同时，向铜棒(3)供给高频电力，而使长条腔室内部的空间(7)产生等离子体向基材(2)照射。据此，能够对基材(2)所期望的整个被处理区域在短时间内进行处理。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
109
records
(took 0.026 seconds)
