-
公开(公告)号:CN101847601B
公开(公告)日:2014-07-16
申请号:CN201010159502.0
申请日:2010-03-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/782 , H01L21/77 , H01L51/54 , H01L51/56
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/3211 , H01L27/3246 , H01L2227/323 , H01L2227/326
Abstract: 一种发光装置的制造方法,包括:在衬底上形成分离层;在所述分离层上形成半导体电路元件层和第一电极;形成重叠于第一电极的端部的隔断墙;在第一电极上形成有机物层;有机物层的发同一种颜色的光的有机物层相邻地排列为一列,并且沿第一方向延伸;在有机物层上形成第二电极,该第二电极接触于隔断墙并使用与隔断墙的紧贴性强的材料而形成;以及在垂直于第一方向的第二方向上通过分离层从衬底分离包含半导体电路元件层、第一电极、隔断墙、有机物层和第二电极的叠层结构。
-
公开(公告)号:CN103779470A
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:CN201310487566.7
申请日:2013-10-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/3209 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L33/005 , H01L51/5044 , H01L51/5278 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是抑制具有串联元件的发光装置的串扰现象发生。本发明的一个方式是一种发光装置,该发光装置包括:形成于绝缘层上的下部电极;形成于所述下部电极彼此之间的部分之上,并具有分别位于所述下部电极的端部上的突出部的分隔壁;分别形成于所述下部电极和所述分隔壁上的第一发光单元;形成于所述第一发光单元上的中间层;形成于所述中间层上的第二发光单元;以及形成于所述第二发光单元上的上部电极,其中,所述突出部和所述下部电极的每一个的距离大于位于所述下部电极上的所述第一发光单元和所述中间层的总厚度。
-
公开(公告)号:CN102402082A
公开(公告)日:2012-04-04
申请号:CN201110283656.5
申请日:2011-09-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1333 , H01L27/02 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/136231 , G02F2201/50 , H01L27/1225 , H01L27/1259 , H01L29/24 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种制造液晶显示设备的方法,其中用于电连接像素电极与晶体管的源电极和漏电极之一的接触孔以及用于处理半导体层的接触孔同时形成。该方法有助于减少光学成像步骤。晶体管包括其中形成有沟道形成区的氧化物半导体层。
-
-