公开(公告)号：CN103779470B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201310487566.7

申请日：2013-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 波多野薰 ,  浜田崇 ,  宫田树久夫 ,  胜井宏充 ,  冈崎庄治

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L27/3209 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3246 ,  H01L33/005 ,  H01L51/5044 ,  H01L51/5278 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是抑制具有串联元件的发光装置的串扰现象发生。本发明的一个方式是一种发光装置，该发光装置包括：形成于绝缘层上的下部电极；形成于所述下部电极彼此之间的部分之上，并具有分别位于所述下部电极的端部上的突出部的分隔壁；分别形成于所述下部电极和所述分隔壁上的第一发光单元；形成于所述第一发光单元上的中间层；形成于所述中间层上的第二发光单元；以及形成于所述第二发光单元上的上部电极，其中，所述突出部和所述下部电极的每一个的距离大于位于所述下部电极上的所述第一发光单元和所述中间层的总厚度。

公开(公告)号：CN103781215B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201310487747.X

申请日：2013-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 波多野薰 ,  千田尚之 ,  二星学 ,  菊池克浩 ,  川户伸一 ,  越智贵志 ,  塚本优人 ,  小坂知裕 ,  大崎智文

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/02 ,  H01L51/50 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L33/36 ,  H01L27/3209 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/5044 ,  H01L51/525

Abstract: 本发明的课题是抑制具有串联元件的发光装置的串扰现象的发生。本发明的一个方式是一种发光装置，该发光装置包括：形成在绝缘层上的第一下部电极、第二下部电极；形成在所述绝缘层上并位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁；形成在所述隔壁上的突起物；形成在所述第一下部电极、所述隔壁、所述突起物和所述第二下部电极的每一个上的第一发光单元；形成在所述第一发光单元上的中间层；形成在所述中间层上的第二发光单元；以及形成在所述第二发光单元上的上部电极，其中由所述突起物的侧面和所述隔壁的侧面形成凹处。

公开(公告)号：CN103781215A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310487747.X

申请日：2013-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 波多野薰 ,  千田尚之 ,  二星学 ,  菊池克浩 ,  川户伸一 ,  越智贵志 ,  塚本优人 ,  小坂知裕 ,  大崎智文

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/02 ,  H01L51/50 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L33/36 ,  H01L27/3209 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/5044 ,  H01L51/525

Abstract: 本发明的课题是抑制具有串联元件的发光装置的串扰现象的发生。本发明的一个方式是一种发光装置，该发光装置包括：形成在绝缘层上的第一下部电极、第二下部电极；形成在所述绝缘层上并位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁；形成在所述隔壁上的突起物；形成在所述第一下部电极、所述隔壁、所述突起物和所述第二下部电极的每一个上的第一发光单元；形成在所述第一发光单元上的中间层；形成在所述中间层上的第二发光单元；以及形成在所述第二发光单元上的上部电极，其中由所述突起物的侧面和所述隔壁的侧面形成凹处。

公开(公告)号：CN103779470A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310487566.7

申请日：2013-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 波多野薰 ,  浜田崇 ,  宫田树久夫 ,  胜井宏充 ,  冈崎庄治

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L27/3209 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3246 ,  H01L33/005 ,  H01L51/5044 ,  H01L51/5278 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是抑制具有串联元件的发光装置的串扰现象发生。本发明的一个方式是一种发光装置，该发光装置包括：形成于绝缘层上的下部电极；形成于所述下部电极彼此之间的部分之上，并具有分别位于所述下部电极的端部上的突出部的分隔壁；分别形成于所述下部电极和所述分隔壁上的第一发光单元；形成于所述第一发光单元上的中间层；形成于所述中间层上的第二发光单元；以及形成于所述第二发光单元上的上部电极，其中，所述突出部和所述下部电极的每一个的距离大于位于所述下部电极上的所述第一发光单元和所述中间层的总厚度。

公开(公告)号：CN106252524A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610703179.6

申请日：2012-04-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 波多野薰

IPC: H01L51/52 ,  H01L33/36 ,  H01L51/50 ,  F21K9/00 ,  F21Y115/10 ,  F21Y115/20 ,  F21Y115/15

CPC classification number: H01L27/3211 ,  H01L51/504 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5265 ,  H01L2251/558

Abstract: 本发明涉及发光装置、电子设备以及照明装置，其中具有多个呈现不同波长的光的发光元件，通过采用从各发光元件仅射出所希望的波长的光的元件结构，从而提供具备色纯度高的发光元件的发光装置及照明装置。在射出不同波长的光中波长最长的光(λR)的发光元件中，将反射电极与包括在EL层中的发光层(发光区域)之间的光程长度设定为λR/4，并且将反射电极与半透射半反射电极之间的光程长度设定为λR/2。

公开(公告)号：CN106226942A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201610884204.5

申请日：2011-09-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  波多野薰

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2201/50 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 液晶显示设备及其制造方法。本发明提供一种制造液晶显示设备的方法，其中用于电连接像素电极与晶体管的源电极和漏电极之一的接触孔以及用于处理半导体层的接触孔同时形成。该方法有助于减少光学成像步骤。晶体管包括其中形成有沟道形成区的氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN101728420B

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN200910205184.4

申请日：2009-10-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 波多野薰 ,  濑尾哲史 ,  永田贵章 ,  冈野达也

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L21/82 ,  H01L21/50 ,  G09F9/33

CPC classification number: H01L27/3258 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78678 ,  H01L33/48 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5243 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5253 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/558 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的目的在于简便地提供寿命长的柔性发光装置。此外，本发明的目的还在于提供使用了该柔性发光装置的寿命长且廉价的电子设备。提供柔性发光装置及使用了该柔性发光装置的电子设备，该柔性发光装置包括：具有柔性及对于可见光的透光性的衬底；设置在衬底上的第一粘合剂层；位于第一粘合剂层上的包含氮及硅的绝缘膜；具备第一电极、与第一电极相对的第二电极及设置在第一电极和第二电极之间的EL层的发光元件；形成在第二电极上的第二粘合剂层；以及设置在第二粘合剂层上的金属衬底，其中金属衬底的厚度为10μm以上且200μm以下。

公开(公告)号：CN103779507A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201410012406.1

申请日：2010-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 波多野薰 ,  永田贵章 ,  鹤目卓也

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3246 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326

Abstract: 一种发光装置的制造方法，包括：在衬底上形成分离层；在所述分离层上形成半导体电路元件层和第一电极；形成重叠于第一电极的端部的隔断墙；在第一电极上形成有机物层；有机物层的发同一种颜色的光的有机物层相邻地排列为一列，并且沿第一方向延伸；在有机物层上形成第二电极，该第二电极接触于隔断墙并使用与隔断墙的紧贴性强的材料而形成；以及在垂直于第一方向的第二方向上通过分离层从衬底分离包含半导体电路元件层、第一电极、隔断墙、有机物层和第二电极的叠层结构。

公开(公告)号：CN101609827A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200910150549.8

申请日：2009-06-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 波多野薰 ,  千田章裕 ,  永田贵章 ,  坂仓真之

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/14 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G06K19/07745 ,  G06K19/07747 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L27/1218 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/0366 ,  H05K3/002 ,  H05K3/4069 ,  H05K3/4644 ,  H05K2203/1163 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49169 ,  H01L2924/00

Abstract: 发明的目的在于提供一种无需在纤维体中打贯穿孔而可以在预浸料的内部形成导电区域的方法。发明提供一种布线衬底包括：有机树脂层和纤维体，其中所述纤维体浸渗有所述有机树脂层，以及浸渗在所述纤维体中的通过溶解所述有机树脂层而形成的布线，其中所述布线露出在所述有机树脂层的两个表面并以所述纤维体位于所述布线中的方式穿过所述纤维体。发明还提供一种半导体装置，其中以使凸块接触于所述布线的方式，将具有所述凸块的集成电路芯片贴合到所述布线衬底。

公开(公告)号：CN107256929A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201710512150.4

申请日：2013-04-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 千田章裕 ,  波多野薰 ,  青山智哉 ,  小松立 ,  片庭正敏

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及一种发光装置的制造方法，包括如下步骤：形成电极端子和第一电极层；在所述电极端子上形成第一层且在所述第一电极层上形成第二层，所述第一层和所述第二层包含发光物质；在所述第二层上形成第二电极层；形成与所述第二电极层和所述电极端子重叠的树脂层；以及通过去除所述树脂层的一部分和所述第一层的一部分，形成与所述电极端子重叠的开口，其中，所述第一电极层、所述第二层和所述第二电极层形成发光元件。通过本发明，可以不损伤电极端子而使被有机膜覆盖的电极端子露出。