公开(公告)号：CN102473730A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080031806.7

申请日：2010-07-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  前田刚彰

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明提供一种布线构造，其在有机EL显示器或液晶显示器等显示装置中，能够使半导体层与构成例如源极电极、漏极电极的Al系膜稳定地直接连接，并且在湿法工艺所使用的电解质液中，所述半导体层和Al系膜之间难以产生电化腐蚀，能够抑制Al系膜的剥离。布线构造在基板上从基板侧依次具备薄膜晶体管的半导体层、和与所述半导体层直接连接的Al合金膜，所述半导体层由氧化物半导体构成，所述Al合金膜包含Ni以及Co中的至少一种。

公开(公告)号：CN101253447B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200680031383.2

申请日：2006-12-01

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  富久胜文

IPC: G02F1/1368 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F2001/136295 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明可提供一种薄膜晶体管基板，构成源极、漏极配线的铝合金膜和透明电极直接连接，该源极、漏极配线和栅极配线的特性都良好，可使用大幅简化了的工序进行制造。即，上述薄膜晶体管基板具有栅极配线合于此正交配置的源极配线及漏极配线。另外，上述薄膜晶体管基板，构成上述栅极配线的单层铝合金膜的组成和构成上述源极配线及漏极配线的单层铝合金膜的组成相同。另外，本发明还提供一种具备有上述薄膜晶体管基板的显示器件。

公开(公告)号：CN102246311A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201080003575.9

申请日：2010-01-15

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 大西隆 ,  后藤裕史 ,  富久胜文 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53233 ,  G02F1/13439 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种显示出与透明基板或半导体层的高密接性、低电阻率以及优越湿式蚀刻性的Cu合金膜。本发明的显示设备用Cu合金膜，所述Cu合金膜是满足下述(1)以及(2)的要件的含氧合金膜，(1)所述Cu合金膜含有合计为0.10原子％以上10原子％以下的、从由Ni、Al、Zn、Mn、Fe、Ge、Hf、Nb、Mo、W以及Ca构成的组中选择的至少一种元素，(2)所述Cu合金膜具有含氧量不同的衬底层和上层，所述衬底层与所述透明基板或半导体层接触，所述衬底层的含氧量多于所述上层的含氧量。

公开(公告)号：CN102165847A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980137648.0

申请日：2009-11-09

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  后藤裕史 ,  岸智弥 ,  川上信之

IPC: H05B33/26 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5218 ,  H01L27/3244 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明提供一种用于有机EL显示器的反射阳极电极，其具备的Al合金反射膜能够实现与氧化物导电膜的低接触电阻，同时能够实现优异的反射率。本发明的用于有机EL显示器的反射阳极电极的制造方法，其特征在于，在基板上形成含有0.1～2原子％Ni或Co的Al合金膜，在真空或惰性气体气氛下，以150℃以上的温度对所述Al合金膜实施热处理，接着，以与所述Al合金膜直接接触的方式形成氧化物导电膜。

公开(公告)号：CN101918888A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200980102063.5

申请日：2009-03-31

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  南部旭 ,  中井淳一 ,  奥野博行 ,  越智元隆 ,  三木绫

IPC: G02F1/1343 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/458 ,  C22C21/00 ,  C22C21/10 ,  C23C14/3414 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  Y10T428/12049

Abstract: 本发明开发一种铝合金膜，并提供一种具有该铝合金膜的显示装置，所述铝合金膜在用于显示装置的薄膜晶体管基板的配线构造中可以使铝合金薄膜与透明像素电极直接接触，同时可以兼顾低电阻率和耐热性，改善对薄膜晶体管的制造工序中使用的胺系剥离液及碱性显影液的腐蚀性。本发明涉及一种显示装置，其为氧化物导电膜和Al合金膜直接接触、Al合金成分的至少一部分在所述Al合金膜的接触表面析出而存在的显示装置，其中，所述Al合金膜包含至少1种选自Ni、Ag、Zn及Co中的元素(元素X1)、以及至少1种可以与所述元素X1形成金属间化合物的元素(元素X2)，形成最大直径150nm以下的由X1-X2及Al-X1-X2中的至少一方表示的金属间化合物。

公开(公告)号：CN101691656A

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200910132938.8

申请日：2009-03-31

Applicant: 株式会社钢臂功科研 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 高木胜寿 ,  岩崎祐纪 ,  得平雅也 ,  后藤裕史

IPC: C23C14/34 ,  C22C21/00 ,  C22C21/12 ,  C22F1/04 ,  C22F1/057

CPC classification number: C23C14/3414

Abstract: 本发明提供一种能减少使用含有Ni、La以及Cu的Al-Ni-La-Cu系Al-基合金溅射靶成膜时产生的飞溅的技术。含有Ni、La以及Cu的Al-Ni-La-Cu系Al-基合金溅射靶中，使用扫描型电子显微镜(2000倍)观察垂直于所述溅射靶的平面的截面的1/4t～3/4t(t为厚度)的部位时，(1)关于以Al和Ni为主体的Al-Ni系金属间化合物，平均粒径为0.3μm～3μm的Al-Ni系金属间化合物的总面积相对于Al-Ni系金属间化合物的全部面积以面积率计为≥70％，(2)关于以Al、La和Cu为主体的Al-La-Cu系金属间化合物，平均粒径为0.2μm～2μm的Al-La-Cu系金属间化合物的总面积相对于Al-La-Cu系金属间化合物的全部面积以面积率计为≥70％。

公开(公告)号：CN100511690C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200610114892.3

申请日：2006-08-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 川上信之 ,  钉宫敏洋 ,  后藤裕史 ,  富久胜文 ,  日野绫

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765

Abstract: 在包含基板、薄膜晶体管半导体层、源极/漏极电极和透明像素电极的薄膜晶体管衬底中使用源极/漏极电极。所述的源极/漏极电极包含含氮层和纯铝或铝合金的薄膜。所述含氮层的氮结合至所述薄膜晶体管半导体层的硅上，并且将所述的纯铝或铝合金的薄膜通过所述的含氮层连接至所述的薄膜晶体管半导体层。

公开(公告)号：CN100482853C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200510138116.2

申请日：2003-12-19

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  中井淳一 ,  富久胜文

IPC: C23C14/34 ,  C22C21/00

Abstract: 一种由铝合金构成的溅射靶，其中：作为合金成分，包含0.1～6原子%的从由Ag、Zn、Cu、Ni构成的一组中选择的至少一种，并且包含0.1～6原子%的从由Nd、Y、Fe、Co构成的一组选择的至少一种。

公开(公告)号：CN1822372A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610009047.X

申请日：2006-02-17

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  富久胜文

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/52 ,  C23C14/34 ,  C23C14/14

Abstract: 一种显示器，其中Al合金膜和导电氧化物膜在没有插入高熔点金属的情况下直接连接，并且部分或全部Al合金组分沉积或富集在所述Al合金膜和所述导电氧化物膜之间的接触界面上。所述Al合金膜包括作为合金组分的0.1～6at％的选自Ni，Ag，Zn，Cu和Ge中的至少一种元素，以及还包括1)0.1～2at％的选自Mg，Cr，Mn，Ru，Rh，Pd，Ir，Pt，La，Ce，Pr，Gd，Tb，Sm，Eu，Ho，Er，Tm，Yb，Lu和Dy中的至少一种元素，或2)0.1～1at％的选自Ti，V，Zr，Nb，Mo，Hf，Ta和W中的至少一种元素。

公开(公告)号：CN1719320A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200510081886.8

申请日：2005-07-06

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  富久胜文 ,  中井淳一

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/1368

Abstract: 显示器及其制备方法。该显示器包括基材、在所述基材上形成的薄膜晶体管和透明导电膜以及使所述薄膜晶体管和所述透明导电膜电连接的铝合金膜，以使在所述铝合金膜和所述透明导电膜之间界面处存在所述铝合金的氧化物膜，而所述氧化物膜具有1～10nm的厚度并含有不超过44原子％的氧。该显示器具有彼此直接接触的铝合金膜和透明导电膜，避免了在它们之间需要阻挡层金属。