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公开(公告)号：CN110233157B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201910196678.4
申请日：2013-10-10
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体部，它包括在它一侧的第一布线层，所述第一半导体部还包括光电二极管；第二半导体部，它包括在它一侧的第二布线层，所述第一半导体部和所述第二半导体部被紧固在一起；第三半导体部，它包括在它一侧的第三布线层，所述第二半导体部和所述第三半导体部被紧固在一起以使所述第一半导体部、所述第二半导体部和所述第三半导体部被堆叠在一起；以及第一导电材料，其将(i)所述第一布线层、(ii)所述第二布线层和(iii)所述第三布线层之中的至少两者电连接，以使得被电连接的布线层处于电气通信。
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公开(公告)号：CN107482024B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201710220017.1
申请日：2013-10-10
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种固体摄像装置，其包括：第一半导体部，包括第一布线层、位于与第一侧相对的第二侧的光电二极管、至少一个传输晶体管、复位晶体管和放大晶体管；第二半导体部，包括第二布线层和多个晶体管，第一和第二半导体部被紧固在一起；第三半导体部，包括第三布线层，第二和第三半导体部被紧固在一起；以及第一导体，与第一布线层和第二半导体部中的第二导体连接，其中，第二导体的一部分在第二半导体部中横向延伸，第二导体还与第二布线层和第三布线层连接，第二导体的一部分位于所述第二半导体部中与第一侧相对的第二侧，且多个晶体管在垂直方向上位于所述一部分和所述第二布线层的布线之间。
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公开(公告)号：CN110265414A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910189180.5
申请日：2013-10-10
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种固体摄像装置，其包括：第一半导体部，包括第一布线层、位于与第一侧相对的第二侧的光电二极管、至少一个传输晶体管、复位晶体管和放大晶体管；第二半导体部，包括第二布线层和多个晶体管，第一和第二半导体部被紧固在一起；第三半导体部，包括第三布线层，第二和第三半导体部被紧固在一起；以及第一导体，与第一布线层和第二半导体部中的第二导体连接，其中，第二导体的一部分在第二半导体部中横向延伸，第二导体还与第二布线层和第三布线层连接，第二导体的一部分位于所述第二半导体部中与第一侧相对的第二侧，且多个晶体管在垂直方向上位于所述一部分和所述第二布线层的布线之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110233157A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910196678.4
申请日：2013-10-10
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体部，它包括在它一侧的第一布线层，所述第一半导体部还包括光电二极管；第二半导体部，它包括在它一侧的第二布线层，所述第一半导体部和所述第二半导体部被紧固在一起；第三半导体部，它包括在它一侧的第三布线层，所述第二半导体部和所述第三半导体部被紧固在一起以使所述第一半导体部、所述第二半导体部和所述第三半导体部被堆叠在一起；以及第一导电材料，其将(i)所述第一布线层、(ii)所述第二布线层和(iii)所述第三布线层之中的至少两者电连接，以使得被电连接的布线层处于电气通信。
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公开(公告)号：CN107425021B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201611216307.0
申请日：2013-10-10
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种固体摄像装置，包括：第一半导体部，它包括第一侧处的第一布线层和与第一侧相反的第二侧处的光电二极管，且还至少包括传输晶体管、复位晶体管和放大晶体管；第二半导体部，它包括第一侧处的第二布线层，且还包括在垂直方向上处于第二半导体部的第一侧与相反的第二侧之间的多个晶体管，第一、第二半导体部被紧固在一起；第三半导体部，它包括一侧处的第三布线层，第二、第三半导体部被紧固在一起以使得第一、第二和第三半导体部被堆叠在一起；以及第一导电材料，它与第一布线层及第二半导体部中的第二导电材料连接。第二导电材料的一部分位于第二半导体部的与第一侧相反的第二侧处且横向地延伸。第二导电材料还与第二布线层及第三布线层连接。
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公开(公告)号：CN104425439B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201410421921.5
申请日：2014-08-25
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L23/52 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L21/76898 , H01L21/84 , H01L23/481 , H01L27/1203 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14689 , H01L27/1469 , H01L27/228 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了半导体装置、半导体装置制造方法和半导体单元。所述半导体装置包括：半导体基板，所述半导体基板具有彼此面对的第一表面和第二表面，并且具有元件区和隔离区，所述元件区包括所述第一表面中的晶体管，并且所述隔离区包括围绕所述元件区的元件隔离层；以及接触插塞，所述接触插塞在所述半导体基板的所述隔离区中从所述第一表面延伸至所述第二表面。本发明在确保设计的灵活性的同时，能够实现更高的集成度。
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公开(公告)号：CN103247648B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310092864.6
申请日：2010-03-12
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/11 , H04N5/225 , H04N5/374
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法和电子设备。半导体装置用作为背面照明的固态成像装置。该装置的制造方法为：将具有半成品状态的像素阵列的第一半导体晶片与具有半成品状态的逻辑电路的第二半导体晶片结合起来，将第一半导体晶片制成薄膜，将像素阵列电连接到逻辑电路，将像素阵列和逻辑电路制成成品的状态，并且将结合在一起的第一半导体晶片和第二半导体晶片分成微芯片。
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公开(公告)号：CN102386196A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110248341.7
申请日：2011-08-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
CPC classification number: H01L25/00 , H01L21/76251 , H01L23/147 , H01L23/49805 , H01L23/49822 , H01L25/0657 , H01L25/167 , H01L25/50 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/1469 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件、其制造方法和包括该半导体器件的电子装置。所述半导体器件包括：第一半导体芯片；和第二半导体芯片，其堆叠在所述第一半导体芯片上，其中所述第一半导体芯片包括第一布线部，所述第一布线部的侧面暴露在所述第一半导体芯片的侧端部处，其中，所述第二半导体芯片包括第二布线部，所述第二布线部的侧面暴露在所述第二半导体芯片的侧端部处，且其中所述第一布线部和所述第二布线部的分别暴露在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的所述侧端部处的所述侧面被导电层覆盖，所述第一布线部与所述第二布线部通过所述导电层彼此电连接。根据本发明，能够提高装置的制造效率、降低成本、提高装置的可靠性并能够对装置进行小型化。
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