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公开(公告)号：CN103247648A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310092864.6
申请日：2010-03-12
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14634 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/11 , H04N5/225 , H04N5/374
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法和电子设备。半导体装置用作为背面照明的固态成像装置。该装置的制造方法为：将具有半成品状态的像素阵列的第一半导体晶片与具有半成品状态的逻辑电路的第二半导体晶片结合起来，将第一半导体晶片制成薄膜，将像素阵列电连接到逻辑电路，将像素阵列和逻辑电路制成成品的状态，并且将结合在一起的第一半导体晶片和第二半导体晶片分成微芯片。
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公开(公告)号：CN108172562A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711458686.9
申请日：2013-06-19
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/48 , H01L25/065 , H01L27/146 , H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/76805 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/32145 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06548 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。
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公开(公告)号：CN108091563A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711457463.0
申请日：2013-06-19
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/76805 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/32145 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06548 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。
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公开(公告)号：CN104412372B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201380033466.5
申请日：2013-06-19
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/76805 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/32145 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06548 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。
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公开(公告)号：CN103247648B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310092864.6
申请日：2010-03-12
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14634 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/11 , H04N5/225 , H04N5/374
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法和电子设备。半导体装置用作为背面照明的固态成像装置。该装置的制造方法为：将具有半成品状态的像素阵列的第一半导体晶片与具有半成品状态的逻辑电路的第二半导体晶片结合起来，将第一半导体晶片制成薄膜，将像素阵列电连接到逻辑电路，将像素阵列和逻辑电路制成成品的状态，并且将结合在一起的第一半导体晶片和第二半导体晶片分成微芯片。
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公开(公告)号：CN108091564A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711458678.4
申请日：2013-06-19
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/76805 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/32145 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06548 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。
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公开(公告)号：CN104412372A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201380033466.5
申请日：2013-06-19
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/76805 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/32145 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06548 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。
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公开(公告)号：CN101840925A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010134092.4
申请日：2010-03-12
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/335 , H04N3/15
CPC分类号： H01L27/14634 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/11 , H04N5/225 , H04N5/374
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法和电子设备。半导体装置用作为背面照明的固态成像装置。该装置的制造方法为：将具有半成品状态的像素阵列的第一半导体晶片与具有半成品状态的逻辑电路的第二半导体晶片结合起来，将第一半导体晶片制成薄膜，将像素阵列电连接到逻辑电路，将像素阵列和逻辑电路制成成品的状态，并且将结合在一起的第一半导体晶片和第二半导体晶片分成微芯片。
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