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公开(公告)号：CN117096191A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311068729.8
申请日：2023-08-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种FinFET结构的Al1‑xScxN铁电调控场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括：衬底层、鳍部、绝缘层、中间电极层、缓冲层、铁电层、栅电极、源极和漏极；绝缘层包括第一绝缘部和第二绝缘部；鳍部和第一绝缘部设置在衬底层的上表面；第一绝缘部位于鳍部的两侧；鳍部包括导电沟道以及位于导电沟道两侧的源极区和漏极区；第二绝缘部、中间电极层、缓冲层、铁电层和栅电极依次自内而外覆盖在导电沟道的表面；铁电层的材料为Al1‑xScxN，其中x为Sc的掺杂浓度。本发明的晶体管，拥有更小的特征尺寸、面积成本降低，铁电调控能强、器件性能好，改善了器件的存储性能，内存窗口更大，提高了器件的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN116111872A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211643770.9
申请日：2022-12-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02N1/04 , C08L83/04 , C08L27/16 , C08K3/04 , C08K3/22 , B32B17/00 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B27/28 , B32B27/20 , B32B15/02 , B32B15/08 , B32B15/082 , B32B27/30 , B32B7/12 , B32B3/08 , B32B37/12
Abstract: 本发明提供了一种引入电荷传输限制层的光响应摩擦纳米发电机及其制备方法，包括第一基底、正摩擦层、负摩擦层、电极层和第二基底，负摩擦层和电极层之间设置有电荷传输限制层，电荷传输限制层为还原的氧化石墨烯与银的混合纳米层，用于对界面电荷进行捕获及限制。正摩擦层为掺杂碘氧化铋和氟化碳纳米管混合纳米颗粒的有机无机钙钛矿薄膜；负摩擦层为多壁碳纳米管/聚二甲基硅氧烷/聚偏二氟乙烯/二氧化钛复合膜；电荷传输限制层为还原的氧化石墨烯/银纳米粒子杂化膜。本发明通过控制界面电荷，进一步拓宽摩擦电极性，提升TENG的电输出特性。
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公开(公告)号：CN115835741A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211460659.6
申请日：2022-11-17
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括：对基底依次采用生活用水和玻璃清洗剂的混合液、生活用水、无水乙醇各超声清洗，再用氮气吹尘枪吹干，再通过紫外‑臭氧装置处理；在处理后的基底表面旋涂电子传输层；将碘化铅、甲脒氢碘酸盐、甲基碘化胺、甲胺氯、碘化铯、碘化铷、L‑α‑磷脂酰胆碱和苯乙基氯化胺溶于N,N‑二甲基甲酰胺、二甲基亚砜和乙二醇单甲醚的混合液中，获得钙钛矿前驱体溶液，将钙钛矿前驱体溶液刮涂至电子传输层的表面，形成钙钛矿层；在钙钛矿层表面旋涂空穴传输层；在空穴传输层和基底的表面蒸镀电极层。本发明在提高刮涂速度提升工艺制备效率的同时保证了良好的器件性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN115458680A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211138415.6
申请日：2022-09-19
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种缺陷可控的单层非晶氧化镓的单双极共存阻变存储器及制备方法，装置包括从下到上依次设置的下电极、阻变材料层和上电极；下电极、阻变材料层、上电极均为单层结构，下电极采用Pt衬底，阻变材料层采用非晶氧化镓薄膜，上电极采用活性电极Ag；其中阻变材料层采用磁控溅射的方法制备，通过改变磁控溅射过程中氩氧气流量的比例可以实现非晶氧化镓薄膜中氧缺陷浓度的调控，使得器件同时具备单极性和双极性模式，而且在单双极可逆转变中仅使用同一限流，相同的限流条件可以简化集成阻变存储器外围的电路设计，以此来减小集成电路面积并降低电路功耗。最后，使用真空蒸镀设备进行100‑200nm上电极Ag的制备。本发明简化了工艺流程，且具有结构简单、功耗低以及器件性能高等优点。
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公开(公告)号：CN113773545B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202111093988.7
申请日：2021-09-17
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C08J7/044 , C09D11/52 , C09D11/102 , C09D11/03 , C09D11/033 , C09D11/0235 , B21F15/08 , H01B13/00 , C08L83/04
Abstract: 本发明公开一种全柔性可印刷图形化的电极制备方法，主要解决现有技术中柔性电极导电性能差、分辨率低的问题。其方案是：将PDMS前驱体与固化剂加热固化，裁剪成PDMS基片；在银纳米线中加入有机溶剂，并依次加入增稠剂、表面活性剂、流平剂、分散剂、紫外线整理剂、消泡剂，并加热；待溶剂蒸发，直到银纳米线溶液呈粘稠状，再分别加入PDMS的前驱体和固化剂形成有机基的高弹导电墨水；取导电墨水置于网版上进行图形化的电极印刷并固化；在紫外光照射下对该图形化电极进行焊接处理，得到全柔性透明导电电极。本发明提高了电极的导电均匀性和分辨率，提升了在柔性形变条件下的结构和性能稳定性，可用于显示器、半导体器件的制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114613901A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210240777.X
申请日：2022-03-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L41/113 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/317 , H01L41/39 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明属于新材料以及新能源技术领域，具体涉及一种基于CsPbBr3的具有光电响应的压电纳米发电机及其制备方法和应用。基于CsPbBr3的具有光电响应的压电纳米发电机包括依次层叠设置的衬底、CsPbBr3钙钛矿层和电极层，在衬底上依次旋涂CsPbBr3钙钛矿层和电极层组成压电器件，然后采用封装层进行封装。本发明利用全无机铯铅溴钙钛矿材料，其具有扩散长度长、吸收系数大、载流子寿命长、压电系数高等优异的光学、电学和压电性能，作为压电薄膜制备具有光电响应的压电纳米发电机，利用压电‑光电效应，在保证高输出电压的同时实现了高探测率和高响应速度，从而制得了一种单结构多性能的压电纳米发电机器件。
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公开(公告)号：CN111987169B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202010882684.8
申请日：2020-08-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/49
Abstract: 本发明公开了一种基于二维氧化镓薄膜晶体管的制备方法，主要解决现有氧化镓电子器件性能低下的问题。其实现方案是：1)对基片衬底进行清洗和吹干的预处理；2)选取不同表面积的二维层状材料，通过氧化剥离的方式制备面积厚度可控的二维β‑Ga2O3薄膜，并采用转印聚合物将其转移到基片衬底上表面作为沟道层；3)通过掩膜版蒸镀或光刻的方法制备金属源漏电极。本发明通过对β‑Ga2O3薄膜厚度和面积进行精确控制，提升了半导体/金属电极界面传输特性及其器件性能，可用于制造高性能大规模光电集成电路。
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公开(公告)号：CN113993366A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111285515.7
申请日：2021-11-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明公开了一种磁控可重构的银纳米线电磁屏蔽膜及制备方法，主要解决现有技术中电磁屏蔽膜密度大、磁损耗低、难以实现电磁屏蔽效能重构的问题。其包括三维骨架和可拉伸的高分子弹性体，该三维骨架是以银纳米线AgNWs@磁性材料的核壳结构复合粒子为原料，构成多个空心柱形单骨条，这些柱形单骨条紧密排布粘接，形成蜂窝状的骨架结构。高分子弹性体采用聚二甲基硅氧烷PDMS、橡胶、聚对苯二甲酸乙二醇酯、氢化苯乙烯‑丁二烯‑苯乙烯嵌段共聚物、聚乙烯醇、聚氨酯丙烯酸酯中的一种，其填充在三维骨架中。本发明增强了电磁屏蔽薄膜磁损耗，提高了薄膜电磁屏蔽效能，减小了电磁屏蔽膜密度，可重复用作医用、民用及军用电子设备的电磁屏蔽。
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公开(公告)号：CN113991022A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111265409.2
申请日：2021-10-28
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域，公开了一种铅锡基钙钛矿异质结的太阳能电池及其制备方法，太阳能电池包括叠层设置的透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿异质结层、空穴传输层和电极层；钙钛矿异质结层为双层或多层钙钛矿层结构，且相邻的钙钛矿层之间能形成异质结；钙钛矿层材料的结构通式为ABXmY3‑m，其中，A为阳离子且A选自MA、FA、Rb和Cs中的一种或多种；B为阳离子且B选自Pb和Sn中的一种或多种；X、Y均为阴离子，且均选自Cl、Br和I中的一种或多种。本发明的太阳能电池在铅锡钙钛矿异质结一端采用传统的铅基钙钛矿材料，另一端采用低毒的铅锡基钙钛矿材料，降低了电池中整体的铅含量，对环境污染程度小。
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公开(公告)号：CN113773545A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111093988.7
申请日：2021-09-17
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C08J7/044 , C09D11/52 , C09D11/102 , C09D11/03 , C09D11/033 , C09D11/0235 , B21F15/08 , H01B13/00 , C08L83/04
Abstract: 本发明公开一种全柔性可印刷图形化的电极制备方法，主要解决现有技术中柔性电极导电性能差、分辨率低的问题。其方案是：将PDMS前驱体与固化剂加热固化，裁剪成PDMS基片；在银纳米线中加入有机溶剂，并依次加入增稠剂、表面活性剂、流平剂、分散剂、紫外线整理剂、消泡剂，并加热；待溶剂蒸发，直到银纳米线溶液呈粘稠状，再分别加入PDMS的前驱体和固化剂形成有机基的高弹导电墨水；取导电墨水置于网版上进行图形化的电极印刷并固化；在紫外光照射下对该图形化电极进行焊接处理，得到全柔性透明导电电极。本发明提高了电极的导电均匀性和分辨率，提升了在柔性形变条件下的结构和性能稳定性，可用于显示器、半导体器件的制作。
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