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公开(公告)号：CN118938165A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411111468.8
申请日：2024-08-14
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种含多次散射的海上目标激光回波模拟生成方法、系统、设备及介质，包括：建立目标模型；建立高斯脉冲波束数学模型；基于目标模型，建立目标的近场激光高斯脉冲波束散射模型；建立目标的近场激光高斯脉冲波束多次散射回波模型；根据散射阈值；确定建立的目标的近场激光高斯脉冲波束多次散射回波模型中的散射截面积次数；系统、设备及介质用于实现该方法；本发明通过雷达方程给出激光近场散射回波计算模型，这种方法可以实现对不同散射次数下目标回波的计算，提高了回波计算的精度，并建立了动态海面模型，有效提高仿真场景的真实性，使得该回波模拟生成方法具有高真实，高精度和高准度的优点。
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公开(公告)号：CN117613127A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311562440.1
申请日：2023-11-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/072 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 基于双金属氧化物传输层的全无机钙钛矿太阳电池及其制备，分为正向结构钙钛矿太阳电池和反向结构钙钛矿太阳电池；正向结构钙钛矿太阳电池包括：透明导电衬底；电子传输层，位于透明导电衬底上；钙钛矿吸光层，位于电子传输层上；空穴传输层，位于钙钛矿吸光层上；电极，位于空穴传输层上；电子传输层和空穴传输层均为氧化物；反向结构钙钛矿太阳电池，包括透明导电衬底；空穴传输层，位于透明导电衬底上；钙钛矿吸光层，位于空穴传输层上；电子传输层，位于钙钛矿吸光层上；电极，位于电子传输层上；电子传输层和空穴传输层均为氧化物。本发明降低钙钛矿上表面载流子复合，改善界面电荷传输同时保护钙钛矿薄膜，提升器件效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN117096191A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311068729.8
申请日：2023-08-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种FinFET结构的Al1‑xScxN铁电调控场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括：衬底层、鳍部、绝缘层、中间电极层、缓冲层、铁电层、栅电极、源极和漏极；绝缘层包括第一绝缘部和第二绝缘部；鳍部和第一绝缘部设置在衬底层的上表面；第一绝缘部位于鳍部的两侧；鳍部包括导电沟道以及位于导电沟道两侧的源极区和漏极区；第二绝缘部、中间电极层、缓冲层、铁电层和栅电极依次自内而外覆盖在导电沟道的表面；铁电层的材料为Al1‑xScxN，其中x为Sc的掺杂浓度。本发明的晶体管，拥有更小的特征尺寸、面积成本降低，铁电调控能强、器件性能好，改善了器件的存储性能，内存窗口更大，提高了器件的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN116111872A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211643770.9
申请日：2022-12-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02N1/04 , C08L83/04 , C08L27/16 , C08K3/04 , C08K3/22 , B32B17/00 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B27/28 , B32B27/20 , B32B15/02 , B32B15/08 , B32B15/082 , B32B27/30 , B32B7/12 , B32B3/08 , B32B37/12
Abstract: 本发明提供了一种引入电荷传输限制层的光响应摩擦纳米发电机及其制备方法，包括第一基底、正摩擦层、负摩擦层、电极层和第二基底，负摩擦层和电极层之间设置有电荷传输限制层，电荷传输限制层为还原的氧化石墨烯与银的混合纳米层，用于对界面电荷进行捕获及限制。正摩擦层为掺杂碘氧化铋和氟化碳纳米管混合纳米颗粒的有机无机钙钛矿薄膜；负摩擦层为多壁碳纳米管/聚二甲基硅氧烷/聚偏二氟乙烯/二氧化钛复合膜；电荷传输限制层为还原的氧化石墨烯/银纳米粒子杂化膜。本发明通过控制界面电荷，进一步拓宽摩擦电极性，提升TENG的电输出特性。
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公开(公告)号：CN115458680A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211138415.6
申请日：2022-09-19
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种缺陷可控的单层非晶氧化镓的单双极共存阻变存储器及制备方法，装置包括从下到上依次设置的下电极、阻变材料层和上电极；下电极、阻变材料层、上电极均为单层结构，下电极采用Pt衬底，阻变材料层采用非晶氧化镓薄膜，上电极采用活性电极Ag；其中阻变材料层采用磁控溅射的方法制备，通过改变磁控溅射过程中氩氧气流量的比例可以实现非晶氧化镓薄膜中氧缺陷浓度的调控，使得器件同时具备单极性和双极性模式，而且在单双极可逆转变中仅使用同一限流，相同的限流条件可以简化集成阻变存储器外围的电路设计，以此来减小集成电路面积并降低电路功耗。最后，使用真空蒸镀设备进行100‑200nm上电极Ag的制备。本发明简化了工艺流程，且具有结构简单、功耗低以及器件性能高等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115724460B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202211412474.8
申请日：2022-11-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C01G23/00 , D01F6/48 , D01F1/10 , H02N1/04 , C01B32/921
Abstract: 一种基于钙钛矿材料的摩擦纳米发电机及其制备方法，摩擦纳米发电机包括负摩擦层和正摩擦层；负摩擦层为将MXene纳米粒子、铂纳米线和钙钛矿纳米颗粒引入电纺PVDF‑HFP纳米纤维的复合纳米纤维层；所述钙钛矿纳米颗粒分别与铂纳米线和MXene纳米粒子构建肖特基结，加速正电荷从铂纳米线及MXene纳米粒子向PVDF‑HFP的移动。本发明可使负极材料具有理想的机电耦合因子、机械柔韧性、较理想的压电常数以及可从其他材料获取电子的强大能力。并且通过引入贵金属铂纳米线、MXene纳米粒子以及混合型钙钛矿纳米颗粒，在负摩擦层内构建内部肖特基结，有效提升摩擦纳米发电机的输出电性能。(56)对比文件Trilochan Bhatta et al..High-performance triboelectric nanogeneratorbased on MXene functionalizedpolyvinylidene fluoride compositenanofibers.Nano Energy.2020,第81卷第1-13页.田竹梅等.复合纳米聚合物摩擦发电效能的研究.微纳电子技术.2018,(第03期),全文.
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公开(公告)号：CN114154333A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111481656.6
申请日：2021-12-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/10
Abstract: 本发明公开了一种大气温度廓线预测方法，所述预测方法包括：S1：获取多个测量高度层；S2：分别获取多个所述测量高度层中每层的测量数据；S3：将每层所述测量数据分别输入SARIMA模型中，得到与每层所述测量数据相对应的各层预测数据；S4：根据所有的预测数据，得到一条大气廓线；S5：将所述大气廓线输入降噪自编码器中，得到预测大气温度廓线。
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公开(公告)号：CN118470415A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410610320.2
申请日：2024-05-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06V10/764 , G06N3/0464 , G06V10/82 , G06F16/36 , G06F40/289 , G06F40/30 , G06F40/186 , G06F16/332
Abstract: 本发明公开了一种基于知识图谱和大语言模型的空间目标识别方法，该方法通过预训练检测识别模型获取待识别空间目标的特征；依次采用跳频预测、关系路径预测、三重采样的方法构建检索模块，从空间目标知识图谱中检索空间目标特征信息对应的子图信息；将子图中的知识图谱信息转为自由文本信息；利用大语言模型提示词分析目标特征，从自由文本信息推理出可能的识别结果；对可能的识别结果进行筛选和排序；将排序后的最高元素值确定为识别结果。该方法解决了空间目标识别过程中多元关系处理不充分和模型泛化能力不够强的问题，有效提高空间目标识别分类的准确性和精度。
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公开(公告)号：CN117976758A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410136631.X
申请日：2024-01-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/028 , H01L31/0304 , H01L31/18 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石/AlScN异质结的日盲紫外探测器，包括衬底层、缓冲层、异质结和接触电极，异质结由金刚石层和AlScN铁电材料层构造形成，本发明构造的异质结，超宽禁带的金刚石材料作为容纳二维电子气的沟道层，其另一侧的势垒层使用AlScN铁电材料，能够兼顾响应速度和可调控两个特点，一方面能够使探测器截止波长进一步减小，另一方面通过使用铁电性质更优秀的AlScN铁电材料，增强对异质结内置电场和耗尽区宽度的调控能力，促进光生载流子分离，从而提高探测器的性能。另外，由于AlScN铁电材料的禁带宽度要大于金刚石的禁带宽度，不会对紫外光波段之外的光发生响应，很好地弥补了光响应范围不精准的缺陷。
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公开(公告)号：CN117790604A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311825883.5
申请日：2023-12-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 一种基于GaN/AlScN异质结的日盲探测器，包括衬底、GaN层、AlScN层以及电极，GaN层与AlScN层构成GaN/AlScN异质结。本发明还提供了其制备方法，本发明中，GaN/AlScN异质结界面处形成导带偏移和价带偏移，电子从AlScN扩散到GaN中，空穴从GaN扩散到AlScN中，在异质结界面处形成内建电场，当紫外光照射时，入射光被吸收并产生光生载流子，光生载流子在内建电场的作用下被扫至上下电极，在电路中产生光电流。由于AlScN的铁电性，其去除电场极化后仍保留退极化场，在极化状态下，退极化场的方向与内建电场的方向一致，使得内建电场强度增强，耗尽区宽度变大。从而极大地促进了光生载流子的分离和输运，光电流变大，提高其响应速率。
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