用于电气设备内部温度场计算的降阶模型的构建方法

    公开(公告)号:CN116522734A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310542711.0

    申请日:2023-05-15

    IPC分类号: G06F30/23 G06F119/08

    摘要: 本发明公开了一种用于电气设备内部温度场计算的降阶模型的构建方法,该方法包括:构建设备的有限元分析模型,所述有限元分析模型用于模拟不同预设参数下的温度变化;构造所述预设参数的样本点数据集;根据所述有限元分析模型获取所述样本点数据集中的样本点对应的温度场数据;根据所述样本数据集中的样本点和对应的温度场数据训练代理模型生成降阶模型。本发明实施例提供的一种降阶模型的构建方法,由于降阶模型是基于样本点和对应的温度场数据训练代理模型得到的,因此将预设参数输入降阶模型能够快速获得温度场数据,比采用有限元分析模型计算温度场数据的速度要快得多,极大提高了温度场计算效率。

    一种抗干扰磁阻多层膜标定系统及其标定方法

    公开(公告)号:CN116184292A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202310097644.6

    申请日:2023-01-19

    IPC分类号: G01R35/00 G01R35/02

    摘要: 本发明公开了一种抗干扰磁阻多层膜标定系统及其标定方法,该系统包括:两个三维亥姆霍兹线圈、三轴磁通门磁强计、转换电路以及控制装置;控制装置检测到三轴磁通门磁强计输出的反馈电压为零时,激励第二三维亥姆霍兹线圈产生激励磁场,采集待测磁阻多层膜在激励磁场下的输出电压,进行标定。通过嵌套两个三维亥姆霍兹线圈,并利用高灵敏度的磁通门磁强计监测地磁场干扰,通过第一三维亥姆霍兹线圈提供负反馈磁场抵消地磁场的干扰。通过第二三维亥姆霍兹线圈提供激励磁场,测试标定待测的磁阻多层膜。还可以从任意方向抵消外界地磁场的干扰,避免磁屏蔽筒的轴向屏蔽效果差的缺陷,且无需建设大型磁屏蔽室即可实现高灵敏度磁阻多层膜的标定。