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公开(公告)号：CN114184215A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111483360.8
申请日：2021-12-07
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明涉及一种基于内共振锁频的MEMS谐振式传感器，包括低频谐振器模块、高频谐振器模块、耦合梁模块、低频激励模块和高频激励模块，所述低频谐振器模块通过低频谐振梁与低频激励模块连接，所述的低频激励模块能产生激励并通过功率放大器检测低频谐振梁的运动；所述高频谐振器模块通过高频谐振梁与高频激励模块连接，所述的高频激励模块能产生激励并通过功率放大器检测高频谐振梁的运动；所述耦合梁模块连接低频谐振器模块和高频谐振器模块。本发明通过利用低频谐振梁与高频谐振梁频率耦合失锁跳变这一现象，使谐振器能够在非线性区域进行测量，提升了谐振器的灵敏度，扩充了测量范围。
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公开(公告)号：CN114124012A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111359731.1
申请日：2021-11-17
申请人： 苏州科阳半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种滤波器晶圆级封装工艺，属于滤波器封装技术领域。该滤波器晶圆级封装工艺包括以下步骤：S1、在晶圆的工作面上设有第一绝缘层，并在第一绝缘层上开孔，以露出晶圆的第一区域、第二区域和第三区域。S2、在第一绝缘层上设有第二绝缘层，在第二绝缘层上开孔，以露出晶圆的第一区域和第三区域。第三区域并未被第二绝缘层封闭，芯片之间分离设计，有效削弱了在后续工艺过程中产生的收缩差异，从而避免封装后的滤波器产生翘曲现象。S3、在第一区域内的电极上填充金属，以形成金属层，并在金属层上生成预设图案。S4、在预设图案上制作焊点。S5、沿第三区域将晶圆切割开来，以形成多个芯片。上述工艺提高了封装效率和封装效果。
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公开(公告)号：CN111162750A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911050334.9
申请日：2019-10-31
申请人： 奉加微电子(上海)有限公司
发明人： 王肖
摘要： 本发明实施例涉及电路设计领域，特别涉及一种晶体振荡电路、方法及电子设备。公开了一种晶体振荡电路，包括：激励信号发生器用于在晶体振荡器被使能后，生成激励信号，并将激励信号输入宽带调制器；宽带调制器用于将激励信号进行调制生成调制信号，并将调制信号输入晶体振荡器，其中，调制信号的频率和晶体振荡器的频率之差在预设范围内；振荡幅度检测器用于检测晶体振荡器的输出信号的幅度，若检测到晶体振荡器的输出信号的幅度超过预设幅度值，则宽带调制器停止向晶体振荡器输入调制信号。本发明中，通过缩短晶体振荡器的起振时间，和降低电路的平均消耗，实现了快速起振、节约资源和延长器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN109714018A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910048342.3
申请日：2019-01-18
申请人： 江苏大学
摘要： 本发明提供了一种全方位宽频带柔性介电弹性叉指换能器及制作方法，包括柔性DE基底，为圆盘状；柔顺环形叉指电极，设置于柔性DE基底的表面，柔顺环形叉指电极包括：正极叉指电极和负极叉指电极，正极叉指电极与负极叉指电极呈相互嵌套的环形叉指状，从柔顺环形叉指电极的圆心沿着径向向外，柔顺环形叉指电极中每相邻两个电极之间的间距逐渐增大，本发明可实现被测构件中超声波信号的全方位驱动与传感；通过改变电极间距的变化可实现IDT宽频带的特性，使得频带宽具有可设计性，从而可实现导波模态选择，提高工程结构损伤检测中有效信号的识别率。
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公开(公告)号：CN108540105A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810319927.X
申请日：2018-04-11
申请人： 武汉大学
CPC分类号： H03H9/2405 , H03H9/02244 , H03H9/02448 , H03H9/125
摘要： 本发明公开的射频谐振器结构，包括压电层、以及压电层上下表面分别配置的一定数量的顶部叉指电极和底部叉指电极；压电层上表面位于相邻顶部叉指电极之间的位置均设有沿顶部叉指电极长度方向的沟槽；同时，压电层下表面位于相邻底部叉指电极之间的位置均设有沿底部叉指电极长度方向的沟槽。本发明通过在相邻叉指电极之间的压电层设置沿着叉指电极长度方向的沟槽，来显著消除谐振器的寄生模式，并提升谐振器的机电耦合系数；且易实施，实施成本低。
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公开(公告)号：CN105680820B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201610089694.X
申请日：2010-09-15
申请人： 快速追踪有限公司
IPC分类号： H03H9/125
CPC分类号： H03H9/25 , H03H3/08 , H03H9/02535 , H03H9/02858 , H03H9/14532 , H03H9/1455 , H03H9/1457 , Y10T29/42
摘要： 本发明涉及电声转换器及其制造方法，具体地说明了一种具有在横向上发射的声波的减小的损耗的电声转换器。为此，该转换器包括中心激励区域（ZAB）、毗邻中心激励区域（ZAB）的内边缘区域（IRB）、毗邻内边缘区域的外边缘区域（ARB）以及毗邻外边缘区域的汇流排（SB）的区域。所述区域的纵向速度被调节为使得获得活塞模态的激励谱。
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公开(公告)号：CN108092637A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201611013644.X
申请日：2016-11-21
申请人： 北京信息科技大学
CPC分类号： H03H3/02 , H03H9/0547 , H03H9/125 , H03H9/19
摘要： 本发明涉及一种20MHz集成式石英力敏谐振器的设计、结构及制作。本发明在同一石英晶体基片上不同的位置设置多对电极，每对电极可构成一个独立的谐振器，各谐振器分别与各自的激励电路连接时可同时独立地工作，彼此之间互不干扰。当在基片的边缘位置沿直径方向给基片施加径向力作用时，不同位置的谐振器表现出不同的力敏特性；选择一定的径向力作用方位，利用不同位置的谐振器间的力敏特性差异，通过共模抑制及频率信号融合技术，可得到一种能抑制温度干扰并具有良好力敏特性的集成式石英力敏谐振器。这种集成式石英力敏谐振器可作为力敏元件用于姿态检测、惯性导航、形变监控等军用装备及民用设施检测控制领域。
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公开(公告)号：CN102739186B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201110290774.9
申请日：2011-09-22
申请人： 三星电机株式会社
发明人： 朴章皓
摘要： 提供一种压电谐振器及其电极结构。所述压电谐振器包括：压电体，根据电信号而进行振荡；第一电极和第二电极，均包括第一电极层和第二电极层，第一电极层和第二电极层堆叠在压电体的两表面中的每个表面上，其中，第一电极层包括从由铬(Cr)、镍(Ni)、钛(Ti)以及包含铬(Cr)、镍(Ni)、钛(Ti)中的任何一种的合金组成的组中选择的一种或多种，第一电极层的厚度与第一电极或第二电极的厚度的比率是3％至30％；第二电极层包括铜(Cu)或者包含铜(Cu)的合金，第二电极层的厚度与第一电极或第二电极的厚度的比率是70％至97％。
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公开(公告)号：CN105680820A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610089694.X
申请日：2010-09-15
申请人： 埃普科斯股份有限公司
IPC分类号： H03H9/125
CPC分类号： H03H9/25 , H03H3/08 , H03H9/02535 , H03H9/02858 , H03H9/14532 , H03H9/1455 , H03H9/1457 , Y10T29/42 , H03H9/125
摘要： 本发明涉及电声转换器及其制造方法，具体地说明了一种具有在横向上发射的声波的减小的损耗的电声转换器。为此，该转换器包括中心激励区域（ZAB）、毗邻中心激励区域（ZAB）的内边缘区域（IRB）、毗邻内边缘区域的外边缘区域（ARB）以及毗邻外边缘区域的汇流排（SB）的区域。所述区域的纵向速度被调节为使得获得活塞模态的激励谱。
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公开(公告)号：CN103208977B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201210006561.3
申请日：2012-01-11
申请人： 湖南英思特晶体电波有限公司
摘要： 柱状晶体电极，柱状晶体电极包括晶片、中间电极、四周电极、所述中间电极的竖直高度为L，所述中间电极的水平宽度为D，位于上部的两四周电极水平最短间隔为W，所述中间电极上部到晶片上部最顶端的最短竖直高度为H，最佳柱状晶体电极的设计方法必须满足：W＝0.4mm，W/H＝(0.4/15)*f，L*D＝K*f，K＝(2-3)/25，f为晶片的固有频率，f的范围为1-150MHz。本发明结构简单，精度高。
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