公开(公告)号：CN113035819B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202011345665.8

申请日：2020-11-26

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 吉井大 ,  小泽帆太郎

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L25/07 ,  H02M7/219 ,  H02M7/5387 ,  H02M7/5395

摘要： 本申请提供一种降低了布线电感的半导体模块以及功率转换装置。半导体模块的特征在于，包括：半导体元件；搭载有半导体元件的第1端子；配置于半导体元件的周围并具有多个布线部分的第2端子；以及从半导体元件的上表面向多个方向延伸并分别连接至第2端子的多个布线部分的多个连接线，在多个布线部分之间设置有空闲区域，多个连接线和与多个连接线分别形成电流路径的多个布线部分为相同电位。

公开(公告)号：CN118380406A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410319492.4

申请日：2024-03-20

申请人： 浙江翠展微电子有限公司

发明人： 唐卓凡 ,  欧东赢 ,  吴瑞

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L25/07

摘要： 一种多芯片并联的高功率半导体模块的封装结构。所述多芯片并联的高功率半导体模块的封装结构包括绝缘散热片组件，芯片，以及金属引线框架组件。所述绝缘散热片组件包括绝缘层，内金属导电层，以及外金属导电层。所述内金属导电层上蚀刻设置有沟道，沟道将所述内金属导电层分为镀银烧结芯片区，引脚信号区，以及引脚输入区。所述金属引线框架组件包括引脚输出部，引脚信号部，以及引脚输入部。在所述引脚输出部的一端延伸出来有多个并排设置的焊接部。所述焊接部位于所述芯片的上方且经过所述芯片处设置有与所述芯片贴合的焊接凹槽。所述焊接凹槽与所述芯片进行焊接，使用打沉的凹槽结构对芯片进行双面焊接，增加热容，提升过电流能力。

公开(公告)号：CN110112122B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN201910361350.3

申请日：2019-04-30

申请人： 国电南瑞科技股份有限公司

发明人： 姚二现 ,  王立 ,  潘政薇 ,  李宇柱

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/49 ,  H01L23/495

摘要： 本发明公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块，包含上下两个桥臂，每个桥臂由三组IGBT芯片组构成，每组IGBT芯片组由一颗IGBT芯片和与之反并联的续流二极管FRD构成，构成上桥臂的IGBT芯片和反并联的续流二极管FRD芯片背面焊接在上桥臂覆铜陶瓷衬板上，正面通过键合线蔟实现连接；构成下桥臂的IGBT芯片和反并联的续流二极管FRD芯片背面焊接在下桥臂覆铜陶瓷衬板上，正面通过键合线蔟实现连接。本发明能够通过改变IGBT芯片和FRD芯片的相对排列位置、IGBT芯片的栅极朝向和栅极信号回路的方式，解决了现有技术中存在的多芯片并联IGBT半桥模块开通过程中电流不均衡的问题，明显缩小模块芯片间的开通峰值电流差异，开通过程对芯片的电流冲击减小，有利于模块长期可靠运行。

公开(公告)号：CN118315355A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410478139.0

申请日：2024-04-19

申请人： 新电元工业株式会社

发明人： 森永雄司 ,  湧口纯弥

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/49 ,  H01L25/07

摘要： 本发明提供一种能够实现寄生电感降低的半导体模块。本发明的半导体模块，其特征在于：第一半导体芯片和第三半导体芯片、第二半导体芯片和第四半导体芯片、第一布线图案和第三布线图案、第二布线图案和第四布线图案、第一中点端子和第二中点端子、以及第一第二电源端子和第二第二电源端子分别以中心线为基准对称配置，第五布线图案以及第一电源端子分别以中心线为基准对称地形成，第一中点端子以及第二中点端子与半导体模块的一侧相邻配置，第一电源端子、第一第二电源端子以及第二第二电源端子配置在半导体模块的另一侧，第一电源端子以非接触状态配置于第五布线图案的上部空间，并且与第一布线图案和第三布线图案连接。

公开(公告)号：CN118280846A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410378074.2

申请日：2024-03-29

申请人： 武汉高芯科技有限公司

发明人： 黄晟 ,  黄立 ,  周黄鹤 ,  张严 ,  孙爱发 ,  王春水

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49

摘要： 本发明涉及一种芯片封装方法，包括如下步骤：S1，预备顶面具有第一焊点的芯片衬底；S2，于芯片衬底的底面形成第二焊点；S3，在芯片衬底的侧壁形成侧壁导通线路，侧壁导通线路的两端分别延伸至芯片衬底的顶面和底面，且侧壁导通线路的一端与第一焊点电连接，侧壁导通线路的另一端与第二焊点电连接。还提供一种芯片封装结构，包括芯片衬底，芯片衬底的顶面和底面分别设有第一焊点和第二焊点，芯片衬底的侧壁具有侧壁导通线路，侧壁导通线路的两端分别延伸至芯片衬底的顶面和底面，且侧壁导通线路的两端分别与第一焊点和第二焊点电连接。本发明通过在衬底芯片设计侧壁导通线路实现垂直互连，极大降低了封装设备成本，能够达到TSV工艺相同的封装尺寸。

公开(公告)号：CN118099124B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410477347.9

申请日：2024-04-19

申请人： 深圳市美彩光电有限公司 ,  深圳市美特光电子有限公司

发明人： 许俊君

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/60 ,  H01L23/49 ,  H01L25/16

摘要： 本发明公开了一种高速光电耦合器及与该配套设置的引线框架，涉及光电耦合器技术领域，包括光发射芯片框架以及光接收芯片框架，载片区在对应于输入级芯片或输出级芯片的位置处设置有芯片固定单元，其包括至少两组固定部，其中一组固定部的其中一端与输入级芯片或输出级芯片贴合设置、另一端固定连接有穿线板，其余固定部环绕输入级芯片或输出级芯片设置，固晶焊线部上还固定设置有点位固定单元，点位固定单元可选为通过粘接的方式与固晶焊线部固定连接；本发明保证了芯片与基座之间连接的可靠性，进一步提高了键合点焊接的牢固性，也保证导线之间不会出现搭接现象。

公开(公告)号：CN116564917B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202310550773.6

申请日：2023-05-16

申请人： 深圳市金誉半导体股份有限公司

发明人： 林河北 ,  阳小冬 ,  解维虎 ,  陈永金

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L23/053 ,  H01L23/32 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/18 ,  H01L23/16

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体封装基板结构及其制作工艺；包括基板、晶片、多根导线、多个焊盘、多个引脚和封装组件，封装组件包括盒体、盖板、多根导向杆、多根抵持弹簧、多根拉杆和多块限位弧块，基板与盒体相适配，盖板设置于盒体的上方，盒体多个限位腔，每个限位弧块分别设置于对应的限位腔内，每根抵持弹簧的两端分别与盒体和对应的限位弧块固定连接，每根拉杆分别与对应的限位弧块固定连接，多根导向杆均与盖板固定连接，每根导向杆均具有固定孔，通过上述结构的设置，实现了能够便于将半导体进行封装，连接方式简单，利于半导体的安装与拆卸。

公开(公告)号：CN118248639A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202211662047.5

申请日：2022-12-23

申请人： 贵州振华群英电器有限公司(国营第八九一厂)

发明人： 林永 ,  翟耀华 ,  郭建章 ,  闫军政 ,  韦跃武 ,  王承贵 ,  文仁俊

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/49 ,  H01L25/07 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

摘要： 本发明公开了一种低导通电阻高压大功率固体继电器，该继电器为金属气密性封装结构，包括输入引线、与所述输入引线电气连接的输入电路模块、与所述输入电路模块电气连接的输出功率组件，以及输出引线；所述输出功率组件包括SiC材料的场效应管MOSFET芯片，所述场效应管MOSFET芯片的输出端作为所述输出功率组件的输出端用于与所述输出引线电气连接；所述输出引线被配置为用于降低继电器输出电阻和所述场效应管MOSFET芯片散热通道热阻的TU1无氧铜材料。本发明提高了输出电压、降低了导通电阻、提高了负载体积比和提高产品集成度。

公开(公告)号：CN117393528B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311426912.0

申请日：2023-10-30

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 江希 ,  欧阳润泽 ,  王颖 ,  袁嵩 ,  弓小武

IPC分类号： H01L23/492 ,  H01L23/49 ,  H01L25/07

摘要： 本发明涉及一种轴对称的碳化硅功率模块封装结构，包括：若干芯片、若干功率端子、若干输出端子、若干键合线、第一功率铜面、第二功率铜面、第三功率铜面和第四功率铜面，其中，第一功率铜面、第二功率铜面、第三功率铜面、第四功率铜面、若干芯片、若干功率端子和若干输出端子形成关于第一坐标轴和第二坐标轴均对称的轴对称布局，确保对称位置的换流回路各个部分的寄生电感完全一致；同时，第三功率铜面与第一功率铜面之间形成第一交错部分，第四功率铜面与第一功率铜面之间形成第二交错部分，在第一交错部分和第二交错部分的功率端子交错摆放且相互靠近，从而形成多组近距离、交错放置的功率端子，增强了不同环流回路之间的互感相消效应。

公开(公告)号：CN115527975A8

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202211238271.1

申请日：2022-10-10

申请人： 无锡芯光互连技术研究院有限公司 ,  芯光智网集成电路设计(无锡)有限公司

发明人： 缪富军 ,  郝沁汾

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  H01L23/367

摘要： 本发明公开了一种芯片封装结构及芯片封装方法，芯片封装结构包括第一基板、第一类芯片、第一中介层、至少一层芯片包封层和外接引脚；第一基板包括容纳槽和多个第一导电通孔；第一类芯片位于容纳槽内；第一中介层位于第一基板的一侧；第一中介层包括重布线层，重布线层中与第一基板接触的第一介质层具有填充容纳槽的部分；芯片包封层位于第一中介层远离第一基板的一侧；芯片包封层包括塑封料和第二类芯片；第一类芯片、第二类芯片均与第一中介层电连接，第一中介层与第一导电通孔电连接；外接引脚位于第一基板远离第一中介层的一侧，且与第一导电通孔电连接。本方案可以降低产品成本，降低损失，改善芯片散热问题，提高芯片布局的灵活性。