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公开(公告)号：CN102884724B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201180023793.3
申请日：2011-05-12
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H03F3/195 , H03F1/223 , H03F1/347 , H03F1/565 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/294 , H03F2200/492 , H03F2200/537 , H03F2200/541 , H03F2203/7221 , H03H11/30 , H04B1/0458 , H04B1/18
摘要： 本发明描述一种用于发射和接收匹配的集成电路(202)。所述集成电路(202)包含发射放大器(DA)。所述发射放大器(DA)包含第一晶体管(250)、第二晶体管(248)和第一电感器(L1)。所述第一电感器(L1)将所述第一晶体管(250)耦合到所述第二晶体管(248)。所述集成电路(202)还包含低噪声放大器。所述低噪声放大器包含第三晶体管(254)、第四晶体管(252)、所述第一电感器(L1)、第二电感器(L2)、第三电感器(L3)和变压器(279)。所述第二电感器(L2)将所述第一电感器(L1)耦合到所述第三晶体管(254)。所述第三电感器(L3)将所述第三晶体管(254)耦合到接地。
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公开(公告)号：CN105191120A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480013041.2
申请日：2014-03-10
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H03F3/193 , H03F1/0211 , H03F1/0261 , H03F1/22 , H03F1/223 , H03F1/3205 , H03F3/21 , H03F3/2171 , H03F3/245 , H03F2200/18 , H03F2200/61
摘要： 各示例性实施例涉及包络跟踪功率放大器(310)。一种设备可以包括处于堆叠配置中的多个晶体管中的第一晶体管(MN)，该第一晶体管被配置成接收随射频(RF)输入信号的包络而变化的电源电压(VDD)。该设备可以进一步包括处于堆叠配置中的该多个晶体管中的第二晶体管(M1)，该第二晶体管耦合至参考电压并且被配置成接收与电源电压(VDD)成反比地变化的动态偏置电压(VG1)。
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公开(公告)号：CN105103442A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480019390.5
申请日：2014-04-01
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H03F1/342 , H03F1/223 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F3/45179 , H03F3/68 , H03F3/72 , H03F2200/111 , H03F2200/121 , H03F2200/156 , H03F2200/159 , H03F2200/492 , H03F2200/541 , H03F2203/45302 , H03F2203/45318 , H03F2203/45332 , H03F2203/45386 , H03F2203/45394 , H03F2203/45511 , H03F2203/45534 , H03F2203/7209
摘要： 公开了具有经助推或经制推的源极退化电感的放大器。在一示例性设计中，一种装置包括放大器电路(400)和反馈电路(450)。放大器电路(400)接收输入信号(RFin)并且提供输出信号(RFout)，并且包括源极退化电感器(432)。反馈电路(450)耦合在放大器电路的节点与源极退化电感器(432)之间。反馈电路(450)提供反馈以改变包括放大器电路和反馈电路的放大器的输入阻抗。反馈电路(450)可以是可编程的并且可以被启用以提供反馈或者被禁用以不提供反馈。替换地，反馈电路(450)可以一直被启用以提供反馈。在任一种情形中，反馈电路(450)可具有可变增益以为放大器提供可变输入阻抗。
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公开(公告)号：CN102783016B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201080064868.8
申请日：2010-12-21
申请人： 德州仪器公司
发明人： 亚当·L·舒克
CPC分类号： H03F3/45475 , H03F3/45968 , H03F2200/375 , H03F2200/411 , H03F2203/45528 , H03F2203/45586 , H03F2203/45588 , H03F2203/45594 , H03F2203/45622
摘要： 本发明涉及一种多级放大器系统(200)，其在较少需要较好的匹配组件及/或配平电路的情况下提供噪声及偏移贡献。第一放大器级(202)具有用以接收输入(VIN)且提供输出(VOUT1)的第一放大器(106)，所述第一放大器级(202)包括第一偏移电压源(110)，所述第一偏移电压源(110)将第一偏移电压(VOS1)提供到所述第一放大器级且所述第一偏移电压源(110)耦合到供电轨(114)。具有用以接收所述输出(VOUT1)作为输入且提供输出(VOUT2)的第二放大器(108)的第二放大器级(204)包括第二偏移电压源(112)，所述第二偏移电压源(112)将第二偏移电压(VOS2)提供到所述第二放大器级。所述第二偏移电压源耦合到所述第一放大器级以减少来自所述第一偏移电压的噪声贡献。
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公开(公告)号：CN104937836A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201480005558.7
申请日：2014-01-22
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H04B1/16 , H03F1/0277 , H03F1/223 , H03F3/193 , H03F3/68 , H03F3/72 , H03F2200/111 , H03F2200/294 , H03F2200/489 , H03F2200/492 , H03F2200/541 , H03G3/30 , H03G3/3052 , H03G5/24 , H04W88/06
摘要： 公开了具有多个输出并且每输出有单独增益控制的放大器。在一示例性设计中，一种装置(例如，无线设备或集成电路)可包括第一(640)和第二(660)放大器电路。第一放大器电路(640)可接收并基于第一可变增益来放大输入射频RF信号(RFin)并且提供第一经放大RF信号(RFamp1)。第二放大器电路(660)可接收并基于第二可变增益来放大该输入RF信号(RFin)并且提供第二经放大RF信号(RFamp2)。该输入RF信号可包括正由该无线设备接收的多个所发射信号。第一可变增益可以是独立于第二可变增益可调节的。每个可变增益可以基于正由该无线设备接收的至少一个所发射信号的收到功率电平来设置。
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公开(公告)号：CN104782046A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201380059575.4
申请日：2013-11-15
申请人： 高通股份有限公司
发明人： J·查 , C-H·李 , A·哈德吉克里斯托斯
CPC分类号： H03F1/0277 , H03F1/223 , H03F1/523 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F2200/61 , H03K17/102
摘要： 用于提供放大器中的可调整增益的技术。在一方面，具有可调整增益的合成放大器包括并联地耦合的多个放大器，其中每一个放大器可被接通或关断以调整合成放大器的总增益。每一个放大器可包括输入晶体管以及至少两个共源共栅晶体管。为了关断每一个放大器，耦合到输入晶体管的第二或最低共源共栅晶体管的栅电压可被接地，并且耦合到输出电压的第一共源共栅晶体管的栅电压可以耦合到第一截止电压，以减少跨第一共源共栅晶体管的栅-漏压降。进一步方面允许在放大器被关断时将耦合到共源共栅晶体管的栅极的电容器与AC接地解耦。
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公开(公告)号：CN104272587A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201380019028.3
申请日：2013-03-12
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H03F1/0277 , H03F1/22 , H03F3/193 , H03F3/211 , H03F3/68 , H03F2200/421 , H03F2203/21139 , H03F2203/21175
摘要： 构成为FET2的端子间耐压(耐压B)比FET1的端子间耐压(耐压A)高，且FET1的栅极宽度(Wg1)比FET2的栅极宽度(Wg2)小。由此，能够确保高输出功率，并且能够提高增益。另外，由于连接至输入端子3的FET1的栅极宽度(Wg1)小，所以能够力求级联放大器的小型化。
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公开(公告)号：CN103534940A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280022992.7
申请日：2012-05-09
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H03F3/45179 , H03F1/223 , H03F1/26 , H03F1/38 , H03F1/42 , H03F1/565 , H03F3/193 , H03F2200/294 , H03F2200/36 , H03F2203/45306 , H03F2203/45311 , H03F2203/45318 , H03F2203/45386 , H03F2203/45394 , H03F2203/45511 , H03F2203/45634 , H03F2203/45638
摘要： 一种正反馈共栅极低噪声放大器（PFCGLNA）具有属于相同导电性类型的正反馈晶体管(147,149)和输入晶体管(151,153)。使得正反馈晶体管和输入晶体管属于相同导电性类型减小了对工艺变动的敏感性。正反馈晶体管(147,149)所产生的噪声用于抵消输入晶体管(151,153)所产生的噪声。在一个实施例中，该PFCGLNA是可调谐的以对于从680MHz到980MHz的宽带频率范围中的任何频率具有基本恒定的输入阻抗，并且在整个宽带频率范围上具有小于2.2dB的噪声指数。
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公开(公告)号：CN102783016A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201080064868.8
申请日：2010-12-21
申请人： 德州仪器公司
发明人： 亚当·L·舒克
CPC分类号： H03F3/45475 , H03F3/45968 , H03F2200/375 , H03F2200/411 , H03F2203/45528 , H03F2203/45586 , H03F2203/45588 , H03F2203/45594 , H03F2203/45622
摘要： 本发明涉及一种多级放大器系统(200)，其在较少需要较好的匹配组件及/或配平电路的情况下提供噪声及偏移贡献。第一放大器级(202)具有用以接收输入(VIN)且提供输出(VOUT1)的第一放大器(106)，所述第一放大器级(202)包括第一偏移电压源(110)，所述第一偏移电压源(110)将第一偏移电压(VOS1)提供到所述第一放大器级且所述第一偏移电压源(110)耦合到供电轨(114)。具有用以接收所述输出(VOUT1)作为输入且提供输出(VOUT2)的第二放大器(108)的第二放大器级(204)包括第二偏移电压源(112)，所述第二偏移电压源(112)将第二偏移电压(VOS2)提供到所述第二放大器级。所述第二偏移电压源耦合到所述第一放大器级以减少来自所述第一偏移电压的噪声贡献。
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