-
公开(公告)号:CN107523861A
公开(公告)日:2017-12-29
申请号:CN201710681586.6
申请日:2017-08-10
申请人: 镇江仁德新能源科技有限公司
摘要: 本发明公开了一种在定向凝固过程中抓取杂质的方法,包括以下步骤:(1)在晶体生长初期,将晶体生长炉的功率设定为0,固液面温度快速下降;(2)用硅溶液冲刷晶体生长炉的石英坩埚上的氮化硅粉以及气流带入的碳,洗刷至晶体开始结晶时;洗刷后,碳化硅、氮化硅、金属等杂质随晶体迅速沉淀形核;(3)再通过温度缓慢回升,继续晶体生长。本发明利用定向凝固初期生长过程中通过工艺调整,造成碳化硅、氮化硅、金属等杂质在底部有效可切片部分外沉淀,避免杂质随对流方向扩散进生长完成的晶体中。
-
公开(公告)号:CN107011981A
公开(公告)日:2017-08-04
申请号:CN201710345871.0
申请日:2017-05-17
申请人: 镇江仁德新能源科技有限公司
IPC分类号: C10M173/02 , C10N30/06
摘要: 本发明提供一种低泡水基金刚线切割液,包括以下组成及重量百分比:低泡聚醚,分子量为1500‑2000,占比3‑15%;聚醚改性聚硅氧烷,占比2‑10%,其中硅油分子量为220‑20000,聚醚分子量为500‑2000;乳化剂使用异构十醇聚氧乙烯醚、异构十三醇聚氧乙烯醚、异辛醇聚氧乙烯醚、单硬脂酸甘油酯、失水山梨醇聚乙烯月桂酸酯、失水山聚醇硬脂酸酯中的一种或多种,占比0.5%~7%;PH调节剂为有机胺,占比0.5‑5%;络合剂为葡萄糖酸钠、葡萄糖酸钾、次氮基三乙酸钠、柠檬酸钠、柠檬酸钾、酒石酸钾钠中的一种或者多种的混合物,占比0.5%‑5%。挤压剂优选碳酸钠、硅酸钠、硫酸钠一种或者几种,占比0.2%‑1.5%;水70%~95%。本发明可实现切割过程中需要满足的润滑效果、耐磨性及冷却性等要求。
-
公开(公告)号:CN106926375A
公开(公告)日:2017-07-07
申请号:CN201710277436.9
申请日:2017-04-25
申请人: 镇江仁德新能源科技有限公司
CPC分类号: B28D5/045 , B28D5/0058 , G01B11/10 , G01B11/12 , G01N9/36
摘要: 本发明公开了一种金刚石线锯在线检测装置,包括:所述背板垂直设置于底板上后侧,且底板通过背板安装于金刚石线锯切片机的放线室内侧壁上;所述相机通过相机安装滑台安装于底板上前侧,背板上安装有成像筒,且相机镜头与成像筒相对,金刚石线锯从相机镜头与成像筒之间横向穿过,并通过相机安装滑台调整相机沿金刚石线锯轴向方向的位置;所述主光源通过支架安装于底板上金刚石线锯前侧,背光源通过背光源安装滑台安装于底板上成像筒后侧,并通过背光源安装滑台调整背光源沿金刚石线锯轴向方向的位置。本发明结构简单,使用方便,成本较低,能够在切割过程中实时监控金刚线的质量,从而为金刚线评估、切割工艺改善等提供数据支持。
-
公开(公告)号:CN102951931A
公开(公告)日:2013-03-06
申请号:CN201110250763.8
申请日:2011-08-29
申请人: 镇江仁德新能源科技有限公司
IPC分类号: C04B41/87
摘要: 本发明提供了一种制备SiC涂层的方法,该方法包括以下步骤:1)在石墨基材的表面上涂覆高纯硅粉或高纯氮化硅粉末从而形成涂层,其中涂层厚度在200-1000微米范围内;2)把具有上述涂层的石墨基材在一氧化硅气体或含有惰性气体的一氧化硅气体氛围下加热到1300-1500℃,并保持1-10小时,在石墨基材的表面上涂覆的高纯硅粉或高纯氮化硅粉变成β相SiC;3)冷却至100-500℃后,将所述石墨基材从所述气体氛围下取出,继续冷却至室温,用纯水洗掉所述涂层表面的粉末状SiC,从而得到相对致密的且与石墨基材结合紧密的SiC涂层。本发明提供的制备方法操作简单、成本低廉,且对石墨基材的表面无苛刻要求,是一种廉价的涂层制备方法。
-
公开(公告)号:CN211445992U
公开(公告)日:2020-09-08
申请号:CN201921192971.5
申请日:2019-07-26
申请人: 镇江仁德新能源科技有限公司 , 镇江荣德新能源科技有限公司
摘要: 本实用新型涉及一种多晶铸锭炉新型坩埚护板,包括护板,护板的两侧分别设有多个护板插槽和护板插耳,护板插耳插入到护板插槽后的外侧采用碳碳插销固定;碳碳插销内侧设有碳碳垫片调整间隙。该实用新型使用碳碳材质护板,强度高于石墨护板,使用插耳、插槽连接,连接强度更高,插耳在插槽中滑动调节护板间的距离,可满足不同尺寸坩埚的使用要求。本实用新型保护范围限于但不仅限于碳碳护板对目前行业使用的碳碳多晶坩埚护板,解决广泛使用的护板无法满足不同尺寸坩埚兼容性问题,对护板之间的连接方式及插槽、插耳结构进行保护。
-
公开(公告)号:CN209487527U
公开(公告)日:2019-10-11
申请号:CN201920241035.2
申请日:2019-02-26
申请人: 镇江仁德新能源科技有限公司 , 镇江荣德新能源科技有限公司
摘要: 本实用新型公开了一种带有过滤装置的碱抛槽,包括碱抛槽主槽,所述碱抛槽主槽外通过循环管与碱抛槽主槽内形成回路,所述循环管上安装有过滤装置,所述过滤装置包括过滤箱和伸入过滤箱内的过滤芯,所述碱抛槽主槽内的药液经循环管进入过滤箱内,药液由过滤芯过滤,过滤后的药液再经循环管重新进入碱抛槽主槽内,所述碱抛槽主槽还设置有补液口;本实用新型通过在碱抛槽主槽外加设一个过滤装置,将脏污和胶体生成物阻隔在过滤箱内,同时将过滤区和补液区分隔开,避免新加药液与脏污反应影响补液效果;碱抛槽主槽内的药液从主槽内流出,经循环电机增压后,打入过滤装置,经过过滤后再流入主槽。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号:CN207537596U
公开(公告)日:2018-06-26
申请号:CN201720805624.X
申请日:2017-07-05
申请人: 镇江仁德新能源科技有限公司
摘要: 本实用新型提出了一种多晶硅铸锭炉,所述铸锭炉包括圆柱形炉体、隔热笼、侧加热器、坩埚、坩埚侧护板、坩埚底护板、冷凝块;坩埚的矩形侧壁数为n;坩埚的侧护板有n个面,分别对应坩埚的n个侧壁;坩埚的底护板为边数为n的多边形。隔热笼的侧面有n个面,分别对应坩埚的n个侧壁。侧加热器的侧面有n个面,分别对应坩埚的n个侧壁。冷凝块为边数为n的多边形。n>4。本实用新型中的坩埚及热场,可铸造出侧面大于四面的多面柱状硅锭,相对四个侧面柱状的硅锭,更多侧面面的柱状硅锭,单炉装料量更多、产量更高、生产率更高。提高现有圆柱形炉体的利用率和产量,降低生产成本。
-
公开(公告)号:CN207244046U
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201720897648.2
申请日:2017-07-21
申请人: 镇江仁德新能源科技有限公司
摘要: 本实用新型公开了一种石墨加热器及硅晶体生长炉,所述石墨加热器用于硅晶体生长炉中,所述石墨加热器包括非闭合的环状的加热体,其两端分别形成所述加热体的第一端和第二端,所述加热体上设有至少两个电极脚;所述石墨加热器通过所述电极脚与电源连接,以使所述石墨加热器发热并产生磁场。从而能够抑制硅晶体生长炉中硅熔液对坩埚的壁的冲刷,减少熔体中O、C等杂质的含量,从而获得低含氧碳量的硅晶体,同时还有利于获得平整的固液生长界面。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号:CN207079302U
公开(公告)日:2018-03-09
申请号:CN201720891865.0
申请日:2017-07-21
申请人: 镇江仁德新能源科技有限公司
摘要: 本实用新型公开了一种硅晶体生长炉,包括炉体外壳、设置在所述炉体外壳内的保温层和生长坩埚,所述生长坩埚设置在所述保温层内,所述硅晶体生长炉还包括至少两组通电线圈,所述通电线圈设置在所述炉体外壳外或所述炉体外壳与所述保温层之间以使产生的磁场覆盖所述生长坩埚。采用本实用新型的硅晶体生长炉,抑制硅溶液对生长坩埚的侧壁和底壁的冲刷,减少生长坩埚中氧杂质的带入,方便杂质粒子沿垂直于生长坩埚的底壁的方向运动,被垂直对流带到硅溶液的表面,被挥发排出。
-
公开(公告)号:CN206783830U
公开(公告)日:2017-12-22
申请号:CN201720294332.4
申请日:2017-03-24
申请人: 镇江仁德新能源科技有限公司
摘要: 本实用新型提供了一种坩埚CC盖板承载车,包括车底架,车底架的前端设置有车前架,车底架的底部设置有车轮,车底架上设置有若干个隔栅,相邻的隔栅之间设置有缓冲垫,缓冲垫设置在车底架上。本实用新型的承载车可以使盖板斜竖着摆放在其隔栅内,盖板依靠隔栅隔开斜着放置,可以大大减轻转运过程中的磕碰对盖板表面的损伤。同时盖板斜竖放置,也容易观察到其两个表面的情况,以便及时发现异常。缓冲垫由定制的耐温橡胶制成,可以方便的安装在承载车的车底架上,当护板往上放置时,由于橡胶较软,可以使护板与框架之间有很好的缓冲,避免石墨护板在放置和运输过程中磕坏,延长石墨护板的使用寿命,节约生产成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-