公开(公告)号：CN115485817A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202180032465.3

申请日：2021-03-08

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大槻刚 ,  阿部达夫

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/304 ,  H01L21/31 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明为一种半导体基板的热氧化膜形成方法，该方法具有下述工序：相关关系获取工序，其中，预先准备多个化学氧化膜的构成不同半导体基板，在相同的热氧化处理条件下形成热氧化膜，求出化学氧化膜的构成与热氧化膜的厚度的相关关系；基板清洗工序，其中，对半导体基板进行清洗；热氧化膜的厚度推定工序，其中，求出由基板清洗工序中的清洗形成于半导体基板的化学氧化膜的构成，根据相关关系，推定假设在相关关系获取工序中的热氧化处理条件下对半导体基板进行热氧化处理时的热氧化膜的厚度；热氧化处理条件确定工序，其中，以相关关系获取工序中的热氧化处理条件为基准，以使热氧化膜的厚度为规定厚度的方式确定热氧化处理条件；热氧化膜形成工序，其中，在热氧化处理条件确定工序中确定的热氧化处理条件下在半导体基板上形成热氧化膜。由此，再现性良好地将热氧化膜形成为如预期的薄的厚度。

公开(公告)号：CN115461845A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202180030950.7

申请日：2021-03-02

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大西邦明

IPC: H01L21/306

Abstract: 本发明是一种硅晶圆的蚀刻方法，包括：旋转蚀刻工序，通过供给喷嘴向硅晶圆的正面或背面、或两面供给酸蚀刻液，使所述硅晶圆旋转，将所述酸蚀刻液的供给范围扩大至所述硅晶圆整面而进行酸蚀刻，其特征在于，在所述旋转蚀刻工序中，将所述硅晶圆的中心轴从保持所述硅晶圆的台的旋转轴错开15mm以上设置而进行蚀刻。由此，本发明的目的在于提供一种能够改善蚀刻加工余量的硅晶圆的蚀刻方法及蚀刻装置。

公开(公告)号：CN115335975A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180024107.8

申请日：2021-03-31

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 富井和弥

IPC: H01L21/66 ,  G01B11/02 ,  G01B11/22 ,  G01B11/30 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明是一种DIC缺陷的形状测量方法，其测量硅晶圆的DIC缺陷的形状，包含以下工序：使用粒子计数器，检测所述硅晶圆的主面上的DIC缺陷；特定该检测到的DIC缺陷的位置坐标；以及使用该特定的位置坐标，通过相位偏移干涉法，测量所述检测到的DIC缺陷的至少包含高度或深度的形状。由此，提供简单且高精度地测量在硅晶圆的主面产生的DIC缺陷的包含尺寸的形状的DIC缺陷的形状测量方法。

公开(公告)号：CN109690733B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN201780055519.1

申请日：2017-08-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石塚彻 ,  滨节哉

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明为具有对内面具有氧化膜的贴合式SOI晶圆在氩氛围下实施热处理而使SOI层的表面平坦化的步骤，其中于通过批次式热处理炉而进行在该氩氛围下的热处理时，于收纳在该批次式热处理炉内的相邻的该贴合式SOI晶圆之间，配置硅晶圆作为挡片而进行热处理的贴合式SOI晶圆的制造方法。由此提供在通过批次式热处理炉且在氩氛围下对内面具有氧化膜的贴合式SOI晶圆实施热处理而使SOI层的表面平坦化的步骤之中，能抑制LPD的增加的SOI晶圆的制造方法。

公开(公告)号：CN111405963B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN201980005966.5

申请日：2019-01-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 田中佑宜

IPC: B24B1/00 ,  B24B37/08 ,  B24B57/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明为一种双面研磨方法，是晶圆的双面研磨方法，其在双面研磨装置中，将晶圆保持于形成在载体上的工件保持孔并利用分别贴附有研磨垫的上平台及下平台夹持该晶圆，并一边将浆料从该上平台所具有的供给孔以压送方式供给至研磨面一边进行双面研磨，其中，以从所述上平台的任意直线的一侧的半径上的供给孔供给的浆料的流量的平均值与从所述任意直线的另一侧的半径上的供给孔供给的浆料的流量的平均值之差的绝对值的、相对于从全部供给孔供给的浆料的流量的平均值xave的比率为25％以内的方式，一边进行控制一边研磨。由此，提供一种晶圆的双面研磨方法，其在浆料供给为压送方式的双面研磨装置中抑制晶圆的全局形状(GBIR)的偏差，并且能够减小压送方式下的GBIR的偏差。

公开(公告)号：CN109643670B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN201780051581.3

申请日：2017-07-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐藤一弥 ,  桥本浩昌 ,  西泽毅 ,  堀江启贵

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/956

Abstract: 本发明为一种贴合用基板的表面缺陷的评价方法，包含以下步骤：准备经镜面加工的单晶硅基板；检查经镜面加工的单晶硅基板的表面缺陷；于进行过单晶硅基板的缺陷检查的表面堆积多晶硅层；对经堆积有多晶硅层的单晶硅基板进行镜面倒角；研磨多晶硅层的表面；检查经研磨的多晶硅层的表面缺陷；以及比较检查单晶硅基板的表面缺陷的步骤中与检查多晶硅层的表面缺陷的步骤中所检测出的缺陷的坐标，以有无于同一位置的缺陷，对具有多晶硅层的单晶硅基板进行作为贴合用基板的良莠判定。

公开(公告)号：CN115103934A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202080096689.6

申请日：2020-12-01

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 菅原孝世 ,  星亮二 ,  太田友彦

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/04 ,  C30B15/20

Abstract: 本发明提供一种硅单晶的制造方法，其为在熔融开始前的原料中导入氮化硅粉末并通过切克劳斯基法提拉掺杂有氮的硅单晶的硅单晶的制造方法，其特征在于，基于所述氮化硅粉末中所包含的碳杂质量，以使硅单晶中的碳浓度在容许值以下的方式限制能够使用的氮化硅粉末的上限量，从而掺杂氮。由此，能够在达成低碳浓度规格的同时，以低成本实现目标的氮掺杂量。

公开(公告)号：CN114467007A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202080069761.6

申请日：2020-09-04

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大西理

IPC: G01B11/16 ,  G01B11/24 ,  G01B21/30

Abstract: 本发明提供一种晶圆形状的测量方法，通过平坦度测量机一边保持具有第一主面和第二主面的晶圆的外周一边测量该晶圆的形状，平坦度测量机具有分别位于投入至机内的晶圆的两面侧的第一光学系统与第二光学系统，包括以下工序：第一工序，仅使用第一光学系统和第二光学系统中的任意一个光学系统，分别测量晶圆的第一主面的表面位移量和第二主面的表面位移量；第二工序，使用通过该一个光学系统测量出的第一主面的表面位移量及第二主面的表面位移量，计算因晶圆的外周保持而产生的外周保持变形量；以及第三工序，从平坦度测量机所输出的Warp值减去外周保持变形量，从而计算晶圆原本的Warp值。由此，提供一种晶圆形状的测量方法，该方法能够使用平坦度测量机测量晶圆原本的Warp值，并能够获得抑制了机械误差的Warp值。

公开(公告)号：CN113924637A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202080038718.3

申请日：2020-05-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 石崎顺也

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L25/16 ,  H01L27/142

Abstract: 本发明是制造具备太阳能电池结构且具有驱动电路的电子设备的方法，包括以下工序：准备在初始基板上具有太阳能电池结构的第一晶圆和形成有驱动电路的第二晶圆，其中，在第一晶圆和第二晶圆的任一个上具有多个独立的二极管电路和电容器功能层叠部；以太阳能电池结构与二极管电路、电容器功能层叠部以及驱动电路重叠的方式进行接合而形成接合晶圆；进行配线；以及切割接合晶圆。由此，提供一种在一个芯片中具备驱动电路和太阳能电池结构以及电容器功能部，并且抑制了制造成本的电子设备的制造方法以及这样的电子设备。

公开(公告)号：CN113710397A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202080030275.3

申请日：2020-03-09

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林健司

IPC: B23D61/18 ,  B24B27/06 ,  B24B55/02 ,  B28D5/04 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种工件的切断方法，其通过线锯进行，通过将固定磨粒金属线卷绕至多个带沟滚轮而形成金属线列，一边将冷却剂供给至固定磨粒金属线，并使固定磨粒金属线在轴向上往复移动，一边将工件向金属线列切入进给，从而将工件在轴向排列的多个位置同时切断，其中，所述工件通过工件保持装置进行保持，其特征在于，在工件的切断结束后且从所述金属线列拉出所述工件时，将冷却剂的流量设定为180L/min以上，并将固定磨粒金属线在轴向的移动速度设定为6m/min以上30m/min以下。由此，提供一种工件的切断方法，其在切断工件后拉出金属线的过程中，不会发生固定磨粒金属线卡住于工件而产生锯痕或发生固定磨粒金属线断线的情况。