-
公开(公告)号：CN118296345A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311568419.2
申请日：2023-11-22
Applicant: 张江国家实验室
IPC: G06F18/213 , G01B15/00 , G06F18/214 , G06F30/27 , G06N20/00
Abstract: 本申请实施例提供了一种关键尺寸的测量方法、装置、设备及存储介质，涉及通信技术领域，该方法包括：获取待测量物体的散射图；待测量物体的散射图是X射线经待测量物体被散射后形成的；从待测量物体的散射图中提取待测量物体的特征信号；基于待测量物体的特征信号，通过目标模型确定待测量物体的关键尺寸；其中，目标模型是通过仿真样本训练出初始模型，再经测量样本对初始模型再次训练后得到的。本申请实施例中，通过仿真样本训练初始模型，可以得到泛化能力较好的基础模型；再利用待测量物体对初始模型再次进行训练，得到目标模型，能够有效改善由于测量系统的随机干扰带来的预测偏差的问题。
-
公开(公告)号：CN118294472A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311587297.1
申请日：2023-11-24
Applicant: 张江国家实验室
Abstract: 本发明实施例提供一种评估测量的不确定度方法及装置，应用于测量分析领域，包括：获取待检测对象在不同角度的待检测三维图像；三维图像包括亮斑结构和暗部细节结构；将按照设定检测顺序获取的不同角度的待检测三维图像进行降维处理，得到待检测对象的二维图像；将二维图像分别输入至K个待使用模型中，输出K个测量数据和N个不确定度，其中N为不大于K的正整数；根据K个测量数据和N个不确定度，确定待检测对象的目标测量数据和目标测量数据对应的目标不确定度。可以实现较快速的得到目标测量数据和目标不确定度，从而便于后续根据确定目标测量数据的精度。
-
公开(公告)号：CN118276229A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211730361.2
申请日：2022-12-30
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司 , 张江国家实验室
Abstract: 本发明提供了一种硅光器件及其加工工艺。本发明的硅光器件包括衬底、波导、介质层、第一空腔结构和第二空腔结构。位于所述介质层内并分别靠近所述波导的相对两侧设置所述第一空腔结构和所述第二空腔结构，并使所述介质层填充所述波导与各所述空腔结构之间的区域，避免了Dummy图形对光信号传输的影响，并进一步通过使得所述波导两侧产生显著的材料特性差异提升了光信号传输效率。
-
公开(公告)号：CN118276223A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211648722.9
申请日：2022-12-21
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司 , 张江国家实验室
Inventor： 施睿达
Abstract: 本发明公开了一种端面耦合器件及集成方法，通过在光耦合单元层与波导层之间形成中间介质层，可避免光耦合单元层形成工艺对波导层造成损伤，进而能够对光耦合单元层的结构和光模场尺寸进行充分调整，以更好匹配光纤模场分布，实现耦合效率的明显提高；并且，通过在光耦合单元层下方的衬底上形成沟槽结构，并填充介质，不仅可避免经光耦合单元层导入的光泄露至衬底，提高了耦合效率，还能有效保证机械稳定性；此外，通过在光耦合单元层和波导层上形成顶部介质层，可满足光耦合单元层与外部光纤之间光模场分布的匹配需求，实现使光纤导入的光能够高效率、低损耗地耦合进入半导体器件中。
-
公开(公告)号：CN118213321A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202211585166.5
申请日：2022-12-09
Applicant: 张江国家实验室
IPC: H01L21/768 , H01L21/67 , H01L21/033 , H10B12/00 , H10B43/30 , H10B43/20
Abstract: 本发明涉及一种用于在半导体结构中形成功能性孔的方法及系统。该方法包括以下步骤：提供半导体结构；利用第一图案化工艺在所述半导体结构上形成第一图案；利用第二图案化工艺在所述半导体结构上形成第二图案；基于第一图案和第二图案对暴露的半导体结构进行刻蚀，以在所述半导体结构中形成多个通孔；以及在至少一个通孔中填充材料以形成所述功能性孔。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118213266A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202211570797.X
申请日：2022-12-08
Applicant: 张江国家实验室
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体工艺的图案化方法，其将效率高、成本低、操作简单且能够实现线条密度倍增的“自上而下”的光刻技术与“自下而上”的基于嵌段共聚物的导向自组装技术(DSA)有机融合，实现了图案密度的进一步增加以及图案尺寸的进一步微缩。
-
-
公开(公告)号：CN118169968A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211572644.9
申请日：2022-12-08
Applicant: 张江国家实验室
Inventor： 请求不公布姓名
Abstract: 本发明公开了用于形成半导体结构的方法和计算设备。一种用于形成半导体结构的方法，其包括：对表面包含硬掩膜层的晶圆执行光刻材料涂覆和图案化光刻，以形成基于轮廓图案的第一经图案化的硬掩膜层，该轮廓图案基于光刻中使用的曝光图案的轮廓；通过光刻对第一经图案化的硬掩膜层执行线性切割或终端切割，以形成基于目标图案的第二经图案化的硬掩膜层；以及基于第二经图案化的硬掩膜层，将目标图案转移到晶圆的基底。
-
公开(公告)号：CN118099258A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202211440025.4
申请日：2022-11-17
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司 , 张江国家实验室
IPC: H01L31/105 , H01L31/18 , H01L31/0288
Abstract: 本发明提供了一种光敏器件及其制造方法。所述光敏器件包括衬底、设置于所述衬底的顶硅层的隔离区以及设置于所述顶硅层内并由所述隔离区所围的本征缺陷区、P型掺杂区和N型掺杂区。所述顶硅层的本征缺陷区配置为在特定波长范围光的作用下产生载流子，并在所述本征缺陷区顶部设置所述缺陷修复区修复所述本征缺陷区顶部的硅晶格，结合所述N型掺杂区和所述P型掺杂区位于所述本征缺陷区两侧，所述P型掺杂区、所述本征缺陷区和所述N型掺杂区构成了PiN结，能够促进载流子迁移，能够提高所述本征缺陷区对于对应波段光的吸收率。
-
公开(公告)号：CN118050917A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211405193.X
申请日：2022-11-10
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司 , 张江国家实验室
Abstract: 本发明公开了一种行波电极结构、光调制器及实现方法，行波电极结构包括：屏蔽电极；信号电极，平行于所述屏蔽电极设置；辅助电极，并联设于所述信号电极的侧面；其中，通过调节所述辅助电极的宽度和形状及其与所述屏蔽电极之间距离，调整使行波电极的集总参数接近目标值。本发明通过在常规信号电极的单侧或两侧添设并联的辅助电极的方式，可增加行波电极的可调参数，从而有效提高了行波电极的参数设计自由度和匹配范围，能获得具有更佳折射率匹配和阻抗匹配效果的光调制器，并获得极大的优化设计空间。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
129
records
(took 0.033 seconds)
