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公开(公告)号：CN118050961A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410342002.2
申请日：2024-03-22
申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司
摘要： 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种返工工艺中非感光聚酰亚胺去除方法。返工工艺中非感光聚酰亚胺去除方法包括以下步骤：去除覆盖非感光聚酰亚胺层上的感光正胶层；使用包括缓蚀剂和显影液的组合物冲洗非感光聚酰亚胺；所述缓蚀剂的含量所述组合物的0.5质量％至1质量％，所述缓蚀剂为具有孤对电子的化合物；通过干法灰化工艺和湿法清洗工艺去除剩余的非感光聚酰亚胺层。该返工工艺中非感光聚酰亚胺去除方法，可以解决相关技术在返工工艺中去除非感光聚酰亚胺时显影液腐蚀器件铝线层的问题。
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公开(公告)号：CN115841960A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211098574.8
申请日：2022-09-08
申请人： 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488 , G03F7/30 , G03F7/34 , G03F7/42
摘要： 本公开涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置，该制造方法包括：提供具有电极端子的半导体元件的工序；在半导体元件上形成具有面向电极端子的第1面和与第1面相反的第2面的保护层的工序；提供具有第3面和从第3面突起的突起部的压印模具的工序；以压印模具的第3面与保护层的第2面对置且突起部与电极端子对齐的方式，将压印模具配置在保护层的第2面上，通过将突起部插入保护层而在保护层形成开口部的工序；向保护层施加能量而使保护层固化的工序；使保护层与显影液反应而使开口部沿径向扩展的工序；向开口部填充金属而形成凸块的工序，对保护层进行开口的工序在保护层的第2面与压印模具的第3面之间设置有间隙的状态下进行。
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公开(公告)号：CN106462088A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580031398.8
申请日：2015-07-10
申请人： 株式会社LG化学
IPC分类号： G03F7/34
摘要： 本发明涉及一种光刻胶去除设备以及使用所述设备的光刻胶去除方法，所述设备包括：剥离室，其包括用于去除光刻胶的剥离剂储存槽、用于使表面上形成有光刻胶的基底移动的基底移动装置、用于将用于去除光刻胶的剥离剂喷淋到基底移动装置上的剥离剂喷淋器、以及将用于去除光刻胶的剥离剂从储存槽输送至剥离剂喷淋器的剥离剂输送装置；冷却装置，其位于剥离室的上方并且使剥离室中蒸发的物质冷却；以及传送装置，其将通过冷却装置冷却的物质传送至用于去除光刻胶的剥离剂储存槽或剥离室。
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公开(公告)号：CN105829970A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480070395.0
申请日：2014-10-29
申请人： 荷兰应用自然科学研究组织TNO
发明人： 罗伯·雅各布·海德律克斯 , 爱得斯格·康斯坦·彼得·斯米茨 , 桑迪普·梅农·佩林什里 , 宾·格伦
摘要： 本发明涉及基底上的电路图案以及用于形成基底上的电路图案的方法和系统。在典型的实施例中，光图案被投射至穿过透明层，以使连续材料层和透明层之间的粘附性图案化释放。从基底上撕下被粘附于图案化的材料层的释放层，以分离具有较低粘附性的材料，同时留下未被曝光的材料以在其上形成电路图案。
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公开(公告)号：CN101882580A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010183278.9
申请日：2010-05-10
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 宾·基 , 安德鲁·D·贝利三世 , 里亚姆·莫拉维茨 , 史蒂芬·M·斯拉尔德
IPC分类号： H01L21/311 , G03F7/34
CPC分类号： H01L21/31138 , G03F7/427 , H01L21/31116
摘要： 提供一种在等离子处理室中、在设在光刻胶掩膜下方的低k介电层中形成蚀刻特征的方法。通过该光刻胶掩膜将特征蚀刻进该低k介电层。剥除该光刻胶掩膜，其中该剥除包括至少一个循环，其中每个循环包括碳氟化合物剥除阶段，包括将碳氟化合物剥除气体流进该等离子处理室、由该碳氟化合物剥除气体形成等离子和停止进入该等离子处理室的碳氟化合物剥除气体流，以及减少的碳氟化合物剥除阶段，包括将碳氟化合物流率比该碳氟化合物剥除气体低的减少的碳氟化合物剥除气体流入该等离子处理室、由该减少的碳氟化合物剥除气体形成等离子和停止减少的碳氟化合物剥除气体流。
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公开(公告)号：CN101283314A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200680037549.1
申请日：2006-08-23
申请人： 麦克德米德印刷方案股份有限公司
发明人： 瑞安·维斯特 , 理查德·J·比加韦蒂 , 加里·T·马克哈特
IPC分类号： G03F7/34
CPC分类号： G03F7/36 , G03F7/2018 , G03F7/202 , G03F7/24
摘要： 本发明涉及浮雕图像印刷组件的动态UV曝光和热显影，具体涉及一种使浮雕图像印刷组件动态成像、UV曝光并热显影的方法和系统，该浮雕图像印刷组件包括印刷版和印刷套筒。成像步骤是使用喷墨印刷以在光致固化材料层上产生原位掩模层，接着通过该原位掩模而曝光该光致固化层于光化辐射下而完成的。之后，该印刷组件在热显影系统中显影以在表面上产生所需浮雕图像。视需要，该改良系统还可包括对该印刷组件进行后曝光/去黏处理的装置。
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公开(公告)号：CN1729430A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200380106827.0
申请日：2003-12-18
申请人： 因芬尼昂技术股份公司
摘要： 本发明尤其说明了一种用于将一阻质层(12)涂覆于一基层(24，104)的方法，该阻质层(12)包含一粘性材料，其粘力在辐照期间会降低或增加，特别是，此一方法有助于该阻质层(12)残余物的剥离。
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公开(公告)号：CN115480448A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211010777.7
申请日：2022-08-22
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司
摘要： 本发明属于电感器制备领域，具体涉及一种标识组合物及其制备方法和应用。本发明标识组合物包括如下制备原料：感光材料、硼硅酸材料和金属氧化物；所述金属氧化物包括氧化钴、氧化铬中的至少一种。本发明在标识组合物中添加金属氧化物可明显增强标识层的致密性，提高标识层的辨识度，防止标识层脱落，同时在制备时使用曝光显影技术，可明显提高印刷标识层的精度。
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公开(公告)号：CN113169047A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980079405.X
申请日：2019-10-22
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/78 , G03F7/42 , G03F7/34 , G03F1/62 , H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 本揭示内容的实施方式通常提供了用于从光掩模去除用于固持皮层的附接特征的设备和方法。在一个实施方式中，一种用于处理光掩模的附接特征去除设备包括附接特征拉拔器和线圈组件，附接特征拉拔器包括致动器和与致动器耦接的夹具，夹具适于夹持附接特征，线圈组件与附接特征相邻设置。
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公开(公告)号：CN108957624A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810888009.9
申请日：2018-08-07
申请人： 纤瑟(天津)新材料科技有限公司
摘要： 本发明提供一种微纳结构在光纤端面的转印方法，其特征在于包括以下步骤：提供一硬质基底，并且在所述硬质基底上形成一用于形成微纳结构的印制模型；在所述硬质基底形成有印制模型的一侧涂覆一层形成层；在所述形成层远离所述硬质基底的一侧与多根光纤的光纤端面进行固定连接；对所述硬质基底以及所述硬质基底上的形成层进行切割整形；将所述硬质基底从所述形成层上分离。本发明引入一层形成层，并且提供一印制模型，所述印制模型能够实现规模化生产，并且其加工工艺可以利用现有的硅加工工艺，只需将所述印制模型的图形转印至所述形成层，可以进行规模化处理。并且本发明在形成所述形成层的过程中采用多层涂覆，有效保证了微纳结构的精度。
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