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公开(公告)号：CN119064635A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410535316.4
申请日：2024-04-30
IPC: G01P15/125 , B81B7/02 , G01C21/16 , G01C1/00
Abstract: 惯性传感器(1)具备：谐振器(2)，具有第一驱动模式和第二驱动模式；安装基板(3)，具有包围谐振器(2)的多个电极部(53)；以及致动器(6)，使谐振器(2)振动。将与安装基板(3)所成的平面正交的方向设为z方向，致动器(6)通过在z方向上振动，使谐振器(2)在z方向上振动而产生谐振模式。
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公开(公告)号：CN119002146A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410296777.0
申请日：2024-03-15
Abstract: 本申请涉及光学天线及光学天线阵列。光学天线具备：波导(50)，其传播光；第一衍射光栅组(60)，在将波导的延伸设置方向设为第一方向、将与第一方向垂直的方向设为第二方向且将与第一方向及第二方向这两方垂直的方向设为第三方向时，该第一衍射光栅组包括配置在第二方向上的波导的两侧且在第一方向上以规定的周期配置的多个第一衍射光栅(61)；以及第二衍射光栅组(70)，其包括配置在第二方向上的波导的两侧且在第一方向上以与第一衍射光栅相同的周期配置的多个第二衍射光栅，在第一方向及第三方向上，第一衍射光栅的重心位置与第二衍射光栅的重心位置彼此不同，在第二方向上，第二衍射光栅配置在比第一衍射光栅接近波导的位置。
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公开(公告)号：CN118969749A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410580533.5
申请日：2024-05-11
IPC: H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 半导体装置具备：布线基板，具有布线图案；半导体封装，具备形成有半导体元件的半导体芯片、在一面侧配置半导体芯片的绝缘散热基板、以及与半导体芯片电连接的元件用焊盘，以元件用焊盘与布线图案连接的状态被搭载于布线基板；以及散热部件，隔着半导体封装而配置在与布线基板相反侧，与绝缘散热基板热连接。并且，布线图案具有与半导体元件连接而流过与半导体元件的动作对应的电流的散热用图案，在散热用图案与绝缘散热基板之间，配置将散热用图案与绝缘散热基板热连接的散热用连接部件。由此，能够将在布线基板中产生的热也容易地散热。
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公开(公告)号：CN118824963A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410446572.6
申请日：2024-04-15
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/373
Abstract: 半导体装置具备具有形成有半导体元件的半导体芯片(20，30)的半导体模块(PM)、与半导体模块(PM)电连接的布线基板(60)、以及将半导体模块(PM)及布线基板(60)密封的密封部件(70)。在半导体模块(PM)与布线基板(60)之间，配置有与密封部件(70)相比热传导率高的热扩散板(53，90)，热扩散板(90)为板状，以使面方向沿着与半导体模块(PM)和布线基板(60)的排列方向交叉的方向的状态而被配置于密封部件(70)。
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公开(公告)号：CN118625446A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410247718.4
申请日：2024-03-05
IPC: G02B6/122
Abstract: 一种光斑尺寸转换器，具备：层叠在包层(12)上且沿着第一方向延伸的第一芯层(20)；以及在第一芯层的第三方向上的一侧及另一侧中的至少一侧与第一芯层分隔地设置且沿着第一方向延伸的第二芯层(30)。第一芯层形成为第二方向上的尺寸比第三方向上的尺寸小的扁平形状，且具有第三方向上的尺寸沿着出射方向而变小的第一锥部(22)。第二芯层形成为第二方向上的尺寸比第一芯层的第二方向上的尺寸大，且具有第三方向上的尺寸沿着出射方向而变大的第二锥部(34)。第二锥部配置于在第三方向上与第一锥部的至少一部分重叠的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118588665A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410233606.3
申请日：2024-03-01
IPC: H01L23/473 , H01L23/467 , H01L23/427 , H01L23/367 , F25B21/02
Abstract: 提供热输送装置和半导体模组。热输送装置具备壳体(4)、芯(5)及蒸气流路(6)。壳体在内侧具有被封入工作流体的密闭空间。芯在壳体4的内侧形成供液相的工作流体流动的毛细管流路。蒸气流路是在壳体的内侧供气相的工作流体流动的部位。将壳体的外壁中的配置发热体的部位称作发热体配置部(44)。将壳体的外壁中的除了发热体配置部以外的部位称作发热体非配置部(45)。将在壳体的内侧相对于发热体配置部位于壳体的厚度方向的部位称作受热部(46)。将在壳体的内侧相对于发热体非配置部位于壳体的厚度方向的部位称作散热部(47)。芯和蒸气流路都设置在受热部和散热部中。
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公开(公告)号：CN118522688A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410176805.5
申请日：2024-02-08
IPC: H01L21/762 , H10N19/00
Abstract: 提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具有元件区域和感测区域。元件区域内的栅极型开关元件具有多个栅极沟槽、栅极电极和将栅极电极的上表面覆盖的层间绝缘层。感测区域内的温度感测二极管具有阳极区域、阴极区域、设在上述阳极区域内的多个第1伪沟槽、配置在上述各第1伪沟槽内的第1绝缘层、设在上述阴极区域内的多个第2伪沟槽、和配置在上述各第2伪沟槽内的第2绝缘层。在具有开关元件和温度感测二极管的半导体装置中，适当地形成有层间绝缘层。
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公开(公告)号：CN118380457A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410066750.2
申请日：2024-01-17
IPC: H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L27/07
Abstract: 本发明提供二极管、内置二极管的场效应晶体管及二极管的制造方法。本发明提供一种在具备由SiC构成的半导体基板的二极管中使蓄积于n型的半导体区域的空穴的量降低来抑制通电劣化的技术。在具备由SiC构成的半导体基板的二极管中，半导体基板具备：p型的第一半导体区域；漂移区域，其从下侧与第一半导体区域相接；以及n型的第二半导体区域，其从下侧与漂移区域相接。漂移区域具有使多个p型柱区域和多个n型柱区域沿横向交替地配置的构造。在漂移区域的深度方向的一部分，设有跨多个p型柱区域和多个n型柱区域分布的特定区域。在特定区域内，p型柱区域的有效p型杂质浓度比其周围低，n型柱区域的有效n型杂质浓度比其周围高。
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公开(公告)号：CN118352391A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410034699.7
申请日：2024-01-10
Inventor： 登尾正人
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 半导体装置具有沟槽栅构造。第2杂质区域(17)的从第1抵接区域(171)的边界部(171a、171b)朝向另一个沟槽的部分为直线状部(173a、173b)，第2抵接区域(172)的从边界部(172a、172b)朝向一个沟槽的部分为直线状部(174a、174b)。一个沟槽和与第1抵接区域相连的两个直线状部之间的两个角度中的一个角度小于90°，另一个角度为90°以下。另一个沟槽和与第2抵接区域相连的两个直线状部之间的两个角度中的一个角度小于90°，另一个角度为90°以下。
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公开(公告)号：CN118263285A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311728699.9
申请日：2023-12-15
Inventor： 上东秀幸
Abstract: 一种碳化硅晶片以及使用了该碳化硅晶片的碳化硅半导体装置。碳化硅晶片具备由SiC构成的基板(10)、以及由SiC构成并配置于基板上的外延层(20)，并具有形成半导体元件的芯片形成区域、以及包围芯片形成区域的外周区域。外延层在芯片形成区域中通过DLTS法导出的0.10～0.20eV的活化能中的陷阱密度设为1.0×1013cm‑3以下，基板通过SIMS法测定的Ti密度以及Cr密度分别设为1.0×1017cm‑3以下。
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