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公开(公告)号：CN113969074B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202111188727.3
申请日：2021-10-12
申请人： 三峡大学
摘要： 本文提供DCPDA/DPHA光固化单体的透明辐射制冷薄膜制备方法。该辐射制冷薄膜主要以DCPDA和DPHA两种光固化单体聚合构成。其制备方法为：取DCPDA和DPHA单体混合，充分搅拌均匀得到液态无色透明溶液；将光固化剂Irgacure 184粉末加入无色溶液中，通过磁力搅拌使充分溶解。将配制好的透明溶液滴到清洗过的铝片上，分别采用BEVS 1806B/150可调节刮刀、海绵块、硅胶模板，喷壶匀速在样品表面涂膜，形成平整涂层。将成膜样品置于紫外灯箱下照射，使液态膜完全固化。因为所发明膜透光性好、材料价格低廉、制备方法简单且有良好的辐射制冷效果，所以该薄膜在有采光需求的建筑物外墙、太阳能电池板、户外高压电气设备等领域中有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN113373427B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202110500953.4
申请日：2021-05-08
申请人： 三峡大学
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/505 , C23C16/04
摘要： 本发明公开了一种基于PECVD技术制备无机透明超疏水碳化硅薄膜的方法。针对超疏水薄膜须具有表面多级粗糙结构和低表面能特性，以甲烷和硅烷为工作气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术通过掩膜板多次交叉沉积方式在玻璃板表面构筑具有多级微纳粗糙结构的碳化硅薄膜。基于该粗糙结构，优化PECVD工艺参数使所制备碳化硅薄膜含有大量低表面能‑CHn基团，避开常用有机硅氧烷和有毒氟化物对材料进行低表面能修饰工艺，在不采用任何有机表面修饰剂的条件下便可获得兼具透明性和超疏水特性的碳化硅薄膜。制备的碳化硅透明超疏水薄膜成本低廉，在光伏玻璃板、显示屏幕、挡风玻璃以及建筑幕墙玻璃自清洁和防污等方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114220617A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111339481.5
申请日：2021-11-12
申请人： 三峡大学
摘要： 本发明属于涂层技术领域，具体涉及一种应用于绝缘子防覆冰的超疏水涂层及其制备方法。首先，在玻璃绝缘子上喷涂一层PDMS(聚二甲基硅氧烷)底膜，然后以蜡烛烟灰作为牺牲模板，在一定条件下与PDMS发生作用，构造粗糙网孔结构膜，最后喷涂HDTMS(十六烷基三甲氧基硅烷)底表面改性剂。得到的样品，疏水角可达160°左右，在300‑900nm光波段范围内，透射率可达88.261%左右，且外观透明；同时该样品具备良好的机械性能和防覆冰性能，能在绝缘子上实现镀膜，并且能提高绝缘子的防覆冰能力。这种工艺简单，低成本，效果优秀的产品在材料领域、能源领域以及电气设备领域都将有巨大的发展潜力。
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公开(公告)号：CN113897609A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111124727.7
申请日：2021-09-25
申请人： 三峡大学
摘要： 本发明公开了一种超疏水导热多层膜及其制备方法，包括如下步骤：采用等离子体增强化学气相沉积技术以高纯甲烷和四氟化碳为碳源气体在单晶硅基片表面制备碳膜；采用磁控溅射技术以高纯铜为靶材在步骤中所生长的碳膜表面溅射沉积铜纳米膜；采用PECVD技术以高纯甲烷和四氟化碳为碳源气体在所生长的铜纳米膜表面再次沉积碳膜；重复制备碳膜及铜纳米膜表面再次沉积碳膜的步骤2～4次；对所制备的多层膜在氢气氛围保护下高温烧结；采用PECVD技术以高纯四氟化碳为工作气体对所烧结处理后的多层膜实施等离子体处理。通过上述步骤所获得的多层膜具有优异的超疏水和导热功能，在电子元器件散热和防水方面具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113380552A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110547956.3
申请日：2021-05-19
申请人： 三峡大学
摘要： 本发明公开了一种P掺杂FeS/Co3S4/Co9S8纳米复合材料的制备方法及在高电压水系对称超级电容器中的应用。以泡沫镍为基底，铁盐、钴盐为金属源，氟化铵和尿素为沉淀剂，硫化钠为硫化剂，次磷酸钠为无机磷源。首先获得均匀生长在泡沫镍基底上的FeS/Co3S4/Co9S8三相纳米复合材料；再使用化学气相沉积法获得具有银耳结构的P掺杂FeS/Co3S4/Co9S8纳米复合材料。将制备的P掺杂FeS/Co3S4/Co9S8纳米复合材料组装成三电极体系，在1M KOH电解液中进行电化学性能评价，在‑1~0V电位区间，最大容量高达531 F/g(10A/g)，2万次循环后容量保持率为71.36%；在0~0.55V电位区间内，初始容量为1028.78F/g(10A/g)，20000次循环后容量上升至2492.73F/g，即容量保持率为242.3%。
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公开(公告)号：CN111261428A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010123476.X
申请日：2020-02-27
申请人： 三峡大学
摘要： 本发明公开了一种氨气等离子体增强硫化钴镍超级电容器性能的方法，即采用等离子体化学气相沉积（PECVD）系统，以氨气为等离子体气源，在一定条件下对硫化钴镍进行处理。在1 M KOH电解液中对样品进行电化学性能评价，发现PECVD处理后，硫化钴镍的最大容量可达到3.32 F/cm2，约为PECVD处理前样品的3倍，循环稳定性提升了14.2%，说明PECVD方法能明显提高硫化钴镍的超级电容器性能。
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公开(公告)号：CN108715996B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201810463751.5
申请日：2018-05-15
申请人： 三峡大学
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/32 , C23C16/513 , C23C16/02 , C23C16/56
摘要： 本发明提供了一种高透防刮伤防蓝光纳米薄膜材料以及其制备方法，该材料包括氢化非晶碳化硅薄膜层(a‑SiCx:H)、氢化非晶碳薄膜层(a‑C:H)和位于两层薄膜中间的过渡层。该材料的制备方法是利用等离子增强化学气相沉积技术，设置一定的沉积参数，首先在基板上沉积硅原子含量为20%～60%的氢化非晶碳化硅薄膜。然后通过不断的改变沉积参数，沉积硅含量逐渐变化的过渡层（硅含量变化：x→0）。最后设置一定的参数，在过渡层上沉积一层氢化非晶碳薄膜。最后经过200～300℃在真空炉中退火。经过此方法制备的纳米薄膜具有高透防刮伤和防蓝光作用，可以应用在眼镜和显示屏中。
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公开(公告)号：CN110444412A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910745285.4
申请日：2019-08-13
申请人： 三峡大学
摘要： 本发明公开了一种等级蜂窝状Ni3S2薄膜电极及其制备方法，首先以泡沫镍为基底，硝酸镍为镍源，六次甲基四胺（HMTA）为成核剂，采用水热法，得到由纳米片构成的Ni(OH)2蜂窝状薄膜；再以Ni(OH)2为基底，乙二醇作为溶剂，硫脲作为成核剂和硫化剂，一方面对Ni(OH)2进行硫化，使其转化成Ni3S2蜂窝，同时在Ni3S2上生成二次纳米片结构，即可得到等级蜂窝状Ni3S2薄膜电极。一方面，Ni3S2的导电性比Ni(OH)2更高，能加速电化学过程中电子传输；同时本发明制备的Ni3S2薄膜呈等级蜂窝结构，即组成蜂窝结构的纳米片表面又布满小纳米片团簇，该结构比单一蜂窝结构具有更大的比表面积，能提供更多的电化学反应活性位点，同时有利于电解液浸润和电解液离子传输，从而具有优异的电化学性能。
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公开(公告)号：CN109686595A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910084424.3
申请日：2019-01-18
申请人： 三峡大学
摘要： 本发明公开了一种导电碳布的活化方法及其超级电容器应用。以1M KOH溶液为电解液，采用两电极体系，在一定条件下进行循环伏安法处理，即可得到活化的导电碳布。在1 M KOH电解液中，-1~0V电位窗口范围内对导电碳布进行电化学性能评价，并与未进行活化处理的原始碳布进行性能比较，原始碳布容量为1.40 F/cm2，活化处理后碳布最大容量可达1.84 F/cm2，说明这种活化处理方法能明显提升碳布的比电容。
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公开(公告)号：CN108461386A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810219237.7
申请日：2018-03-16
申请人： 三峡大学
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种含硅量子点多层膜及其制备方法，以硅烷、高纯甲烷和高纯氮气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅基片表面沉积一层氢化碳氮硅薄膜；采用等离子体增强化学气相沉积技术在所制备的氢化碳氮硅薄膜表面制备非晶硅薄膜；重复上述步骤，制备周期性氢化碳氮硅薄膜/非晶硅多层膜，再在氩气氛围中对所制得的周期性多层膜进行热退火处理，硅量子点便在热退火处理过程中于碳氮硅薄膜内形成。通过多层膜和热退火的方式减小薄膜内应力和界面缺陷态，以碳、氮和氢元素钝化硅量子点表面断键和悬挂键，以非晶硅层和碳氮硅基质减小载流子在硅量子点间隧穿势垒，从而使含硅量子点的碳氮硅/非晶硅多层膜具有良好的光电特性。
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