公开(公告)号：CN1901208A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610121249.3

申请日：2006-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李仁成 ,  赵能镐 ,  李东勋 ,  崔渊琇 ,  崔浩根 ,  崔填喆

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种通过降低接触电阻并消除底切而显示出提高了的显示质量的LCD显示装置的基板。显示开关器件具有三个电极，它们中的至少一个具有三个金属层，第三金属层通过氮化第二金属层而形成。像素电极通过接触孔与第二金属层电连接，接触孔穿过绝缘层与开关器件的第二金属层而形成。

公开(公告)号：CN1509429A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN02810161.8

申请日：2002-11-22

Applicant: 三星电子株式会社 ,  财团法人索尔大学校产学协力财团

Inventor： 赵东日 ,  尹大成 ,  李英善 ,  李东勋 ,  林根培

IPC: G05D23/19

Abstract: 公开了一种用于驱动聚合连锁反应(PCR)芯片的温度控制方法和设备。在用于聚合连锁反应芯片的温度控制设备中，PCR芯片从外部接收电力并产生热以保持预定的温度，并向外部输出实际的温度信息。电源单元根据输入控制信号向PCR芯片提供电力，控制器根据控制信息产生控制信号，以便将控制信号提供给电源单元，其中，该控制信息包括预定的控制温度和控制时间信息以及由PCR芯片提供的实际温度信息。在本发明中，由于温度控制设备同时控制几个DNA样品的温度，因而可以同时检查各种DNA的样品。

公开(公告)号：CN1399319A

公开(公告)日：2003-02-26

申请号：CN02106771.6

申请日：2002-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东勋

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78

Abstract: 一种MOS晶体管及其制造方法，该晶体管包括在半导体衬底的整个表面上被形成为具有不同厚度的栅极多晶氧化物层。在半导体衬底上形成栅极氧化物层构图和栅极导电层构图。掩蔽层构图形成在半导体衬底和栅极导电层构图上，使得栅极导电层构图被掩蔽层构图完全覆盖。利用掩蔽层构图将半导体衬底制成非晶的。除去掩蔽层构图，然后在半导体衬底的整个表面上沉积栅极多晶氧化物层。栅极间隔层沉积在栅极多晶氧化物层上，且通过各向异性蚀刻栅极间隔层和栅极多晶氧化物层而形成栅极间隔。在半导体衬底上形成源极/漏极区。因而，可以防止对半导体衬底的损伤，可以较薄地形成结区并提高MOS晶体管的性能。

公开(公告)号：CN119404619A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202380047116.8

申请日：2023-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴原根 ,  金东焕 ,  李东勋 ,  丁英基

IPC: H10H29/30 ,  H01L25/075 ,  H10H20/831 ,  H10D86/60

Abstract: 显示模块可以包括：基板，该基板上设置有多个基板电极焊盘，该基板包括与多个基板电极焊盘连接的多个像素电路；以及与多个基板电极焊盘连接的多个发光元件，其中，在多个像素电路中，与靠近基板边缘的发光元件连接的像素电路比与靠近基板边缘的发光元件距离基板边缘更远。

公开(公告)号：CN111277776B

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202010156068.4

申请日：2016-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载宏 ,  林承贤 ,  赵韩鞠 ,  李东勋 ,  咸锡宪

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/369

Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：多个像素；斜坡产生器，产生斜坡信号；多个模数转换器，包括第一至第四模数转换器；第一缓冲器，包括接收斜坡信号的输入节点和连接到第一和第二模数转换器的第一输出节点；第二缓冲器，包括接收斜坡信号的输入节点和连接到第三和第四模数转换器的第二输出节点；分别连接到第一至第四模数转换器和第一至第四缓冲器的第一至第四电容器；分别连接到第一至第四模数转换器的第一至第四计数器，其中，多个像素至少具有一千万个像素。

公开(公告)号：CN106105247B

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN201580013392.8

申请日：2015-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李奉锡 ,  李东勋

IPC: H04N21/422 ,  G06F3/01

Abstract: 提供了一种显示装置及其控制方法。显示装置的控制方法包括：显示模式转换用户界面(UI)，该UI提供进入动作任务模式的指导；识别与所述指导相对应的第一动作；在所述指导显示在显示装置上时，响应于识别出第一动作，进入支持第二动作控制显示装置的功能的动作任务模式；以及显示用于执行动作任务模式的动作任务UI。

公开(公告)号：CN107316930B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201710275170.4

申请日：2017-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐钟完 ,  金镇夏 ,  禹光福 ,  李东勋 ,  李源晙 ,  黄善焕

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

Abstract: 一种半导体发光器件可以包括半导体发光二极管(LED)芯片、在LED芯片上的光透射膜以及在光透射膜与半导体LED芯片之间的光透射接合层。光透射膜和光透射接合层的至少之一可以包括波长转换材料，该波长转换材料配置为将由半导体LED芯片发射的光转换成具有与所发射的光的波长不同的波长的光。光透射接合层可以具有延伸到侧表面以形成倾斜面的侧面倾斜区域。半导体发光器件还可以包括反射封装部分，该反射封装部分围绕光透射接合层，覆盖第一表面使得LED芯片的电极被至少部分地暴露。反射封装部分可以包括反射材料。

公开(公告)号：CN107249418B

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201580075984.2

申请日：2015-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东勋 ,  朴钦龙 ,  金昌容 ,  郑在烈 ,  权宁道 ,  尹轸煜

IPC: A47L9/28 ,  G05D1/02 ,  B25J11/00 ,  B25J9/16

Abstract: 公开了具有用于提高用户的使用便利性的改善结构的清洁机器人及其控制方法。该清洁机器人可以包括：主体，其形成清洁机器人的外观并具有提供为使得清洁区域中的异物能被抽吸到其中的入口；操作单元，其联接到主体以致可附接到主体或可从主体拆卸，并被提供以致被握住；被提供以致检测操作单元的移动的至少一个移动检测传感器；以及控制单元，其电连接到移动检测传感器以致基于由至少一个移动检测传感器检测到的操作单元的移动而驱动主体的驱动电机。

公开(公告)号：CN110389721A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910166951.9

申请日：2019-03-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珉修 ,  姜志锡 ,  金敏秀 ,  金昞直 ,  申院济 ,  李东勋 ,  李妍和 ,  李浩荣 ,  张有镇 ,  崔仁寿

IPC: G06F3/06

Abstract: 公开了半导体存储器模块和包括其的存储器系统。所述半导体存储器模块可包括随机存取存储器、非易失性存储器、缓冲存储器以及控制器，其中，控制器被配置为：响应于控制信号的激活，对缓冲存储器执行读取操作。控制器还可被配置为：根据读取操作的结果，执行将存储在随机存取存储器中的第一数据存储在非易失性存储器中的刷入操作。

公开(公告)号：CN109494253A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201811054979.5

申请日：2018-09-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  金昶熹 ,  朴星一 ,  李东勋

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了垂直场效应晶体管(vFET)和包括其的半导体器件。该vFET包括在衬底的上部处并掺杂以第一杂质的第一杂质区。第一扩散控制图案形成在第一杂质区上。第一扩散控制图案配置为控制第一杂质的扩散。沟道在与衬底的上表面基本上正交的垂直方向上延伸。第二杂质区在沟道上并掺杂以第二杂质。第二扩散控制图案在沟道与第二杂质区之间。第二扩散控制图案配置为控制第二杂质的扩散。栅极结构与沟道相邻。