公开(公告)号：CN101136247A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710148167.2

申请日：2007-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白寅圭 ,  李将银 ,  吴世忠 ,  南坰兑 ,  郑峻昊 ,  林恩京

IPC: G11C16/10

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0066 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/009 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34

Abstract: 提供编程RRAM器件的方法。增加的置位电流被施加到RRAM器件的数据存储层图形，同时测量该数据存储层图形的电阻，直到该电阻表示数据存储层图形中的置位态。增加的复位电压被施加到RRAM器件的数据存储层图形，同时测量该数据存储层图形的电阻，直到该电阻表示数据存储层图形中的复位态。