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公开(公告)号：CN1318860A
公开(公告)日：2001-10-24
申请号：CN01110650.6
申请日：2001-04-13
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种等离子体显示板的封接方法,其具有以下优点:由于在显示板的非显示区采用了垫片,解决了由于介质层高温软化带来的电绝缘性能的下降的问题;由于单元放电空间的尺寸由垫片控制,而垫片的厚度可以精确的控制,因此能有效的保证放电单元的一致性,从而保证整板显示的均匀性;采用了垫片大大降低了对介质层厚度、栅网板厚度均匀性的要求。
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公开(公告)号：CN118410844B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410852141.X
申请日：2024-06-28
Applicant: 东南大学
IPC: G06N3/067 , G06N3/06 , G06N3/0464
Abstract: 本发明公开了一种光学全连接神经网络装置及其工作方法，所述装置包括光学输入模块、光学全连接移像模块、光学滤波模块和光学积分模块。通过光学全连接移像模块将输入模块的光学图像复制并平移至光学滤波模块前，经过包括特定图案阵列的光学滤波模块进行神经元的权重，投射到积分模块表面进行光学积分。通过光学全连接神经网络装置对深度学习神经网络进行光学信号处理，可以大幅提高处理速度，降低功耗。
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公开(公告)号：CN118536568A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410465291.5
申请日：2024-04-18
Applicant: 东南大学
IPC: G06N3/067 , G06N3/048 , G06N3/0499 , F21V7/22
Abstract: 本发明公开了一种用于光学神经网络的非线性激活装置，本发明通过光源模块生成第一单色光，通过荧光激发模块形成复合光，通过信号探测模块检测复合光中的第一单色光光强，通过控制光源模块，实现对信号探测模块检测到的第一单色光强度的精确控制，使其服从线性整流函数ReLU分布，在无需大量的光电转换器件、数模转换器件以及驱动电路等的情况下，实现了ReLU激活函数，降低了系统的复杂度、时延和功耗。
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公开(公告)号：CN118313426B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410733669.5
申请日：2024-06-07
Applicant: 东南大学
IPC: G06N3/067
Abstract: 本发明公开了一种光学卷积装置及其工作方法，所述装置包括顺序排列的输入模块（1）、移像模块（2）、滤波模块（3）和积分池化模块（4）；所述输入模块包括多个互相部分重叠的待卷积子图像块按阵列排列；移像模块包括多个复眼透镜按阵列排列；滤波模块包括多个卷积核图案按阵列排列；积分池化模块包括多个池化单元按阵列排列。通过扫描移像模块将输入模块的光学图像分区域扫描平移至滤波模块前，经过包括特定图案阵列的滤波模块滤波后，投射到积分池化模块表面进行光学积分池化完成提取特征。通过光学卷积装置对深度学习卷积神经网络的特征提取部分进行光学信号处理，可以大幅提高卷积速度，降低功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118412375A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410614549.3
申请日：2024-05-17
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种具有二维化合物插入层的氮极性GaN基高电子迁移率晶体管，包括：由下至上依次设置的衬底、氮极性缓冲层、氮极性高阻GaN层、氮极性势垒层、二维化合物插入层、氮极性GaN沟道层，以及位于沟道层相对两端及中部的源极、漏极和栅极，其中二维化合物插入层为单一MoS2、WS2、MoSe2、WSe2化合物层或由其中的两种或两种以上化合物层交替叠加组成的异质结构。本发明可以极大地缓解甚至消除背势垒层和沟道层之间的晶格失配，使得制备异质结时能够突破晶格匹配程度的限制，有利于提升GaN沟道层的晶体质量，使得氮极性GaN基HEMT的使用寿命得到提高，有利于提高氮极性GaN基高电子迁移率晶体管的响应度。
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公开(公告)号：CN116855992A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310802655.X
申请日：2023-07-03
Applicant: 东南大学
IPC: C25B11/087 , C02F1/461 , C02F1/72 , C25B11/053 , C25B1/04 , B82Y40/00 , C23C16/34 , C23C16/56 , C30B29/40 , C30B33/12 , C23C14/10 , C23C14/06 , C23C16/40
Abstract: 本发明公开了一种具有高光电催化分解水能力的异质结构及其制备方法，所述异质结构由下至上依次设置有衬底、缓冲层、GaN纳米柱、掩膜层、InxGa1‑xN包覆层，其中GaN纳米柱和InxGa1‑xN包覆层所属的六方晶系的c轴方向平行于柱状结构侧壁的法线方向。本发明提供的异质结构，能够通过调节InxGa1‑xN包覆层的In和Ga组分实现全可见光谱波长范围的光吸收并产生光生载流子，同时利用InxGa1‑xN包覆层中的压电极化电场促进光生电子和光生空穴的分离，使得电子、空穴分别定向迁移至InxGa1‑xN包覆层的两侧；并且由于分立的纳米柱状InxGa1‑xN/GaN结构所具有的大比表面积，为光生载流子提供了更多参与光电催化分解水的反应位点，有利于提高光生载流子的利用率及光电催化分解水制氢的效率。
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公开(公告)号：CN116581209A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310802659.8
申请日：2023-07-03
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有超晶格结构电子阻挡层的紫外发光二极管，由下至上依次设置有衬底、AlN缓冲层、n型AlGaN层、多量子阱有源区、BAlN/AlGaN超晶格结构电子阻挡层、p型AlGaN层和p型GaN欧姆接触层，以及设置在n型AlGaN层上的n型电极和设置在p型GaN欧姆接触层上的p型电极。本发明提供的紫外发光二极管中，由于采用BAlN/AlGaN超晶格结构电子阻挡层取代了目前广泛使用的p型AlGaN电子阻挡层，而BAlN层相对于有源区中的AlGaN层的导带偏移增大、价带偏移减小，因此使得本发明提供的具有超晶格结构电子阻挡层一方面可以更有效地阻止电子的泄漏，另一方面又有助于提高空穴向有源区注入的效率，从而有利于提高有源区中电子与空穴的辐射复合效率，即有利于提升紫外发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN109446950B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201811200740.4
申请日：2018-10-16
Applicant: 东南大学
IPC: G06V40/10
Abstract: 本发明提供了一种基于热像仪摄像头的静态手势识别方法，包括以下步骤：将热像仪摄像头获取的热像温度数据，通过对数转换成为图像像素值；图像预处理；特征提取；手势识别。由于将热像温度数据转化为图像像素值后再行处理和识别，本发明提供的基于热像仪摄像头的静态手势识别方法在无光、弱光以及复杂颜色背景等的各种环境下均能够有效准确地分割出人手区域，并进行准确的手势分类识别，输出正确的期望结果，且算法鲁棒性好。
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