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公开(公告)号：CN101872820A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010183393.6
申请日：2010-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种具有纳米结构插入层的GaN基LED，其中包括：一衬底；一纳米结构模板，该纳米结构模板外延生长在衬底上，该纳米结构模板的表面为凹凸形状；一插入层，该插入层外延生长在纳米结构模板的表面上；一N型欧姆接触层，该欧姆接触层外延生长在插入层上，该欧姆接触层上面的一侧形成有一台面；一有源层，该有源层外延生长在N型欧姆接触层的台面的另一侧上；一P型层，P型层外延生长在有源层上；一透明电极层，该透明电极层制作在P型层上；一P压焊电极，该压焊电极通过光刻制作在透明电极上；一N欧姆接触电极，该欧姆接触电极22制作在N型欧姆接触层的台面上。
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公开(公告)号：CN101814537A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910077383.1
申请日：2009-02-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法，其中该氮化镓基雪崩型探测器包括：一衬底；一N型掺杂的GaN欧姆接触层制作在衬底上；一非故意掺杂GaN吸收层制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上，该非故意掺杂GaN吸收层的面积小于N型掺杂的GaN欧姆接触层的面积；一N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层制作在非故意掺杂的GaN吸收层上；一非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层制作在N型掺杂的Al组分渐变的AlGaN层上；一P型掺杂的AlGaN欧姆接触层制作在非故意掺杂AlGaN雪崩倍增层上；一N型欧姆接触电极制作在N型掺杂的GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在P型掺杂的AlGaN欧姆接触层上。
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公开(公告)号：CN100414722C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200310120176.2
申请日：2003-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种利用倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法，包括：1)在蓝宝石绝缘衬底上利用金属化学有机气相沉积方法外延生长N型氮化镓层、发光有源区和P型氮化镓层的发光二极管结构；2)在步骤1)的基础上设计发光二极管的管芯尺寸，在设计好的管芯的P型氮化镓层上制备具有高反射率的P型欧姆接触电极；3)将蓝宝石绝缘衬底从背面用研磨的方法或离子减薄技术将其减薄；4)利用切割法或划片法的管芯分割技术沿设计好的管芯的分割道将外延片上的管芯分割成单个管芯；5)在支撑体上制备N型欧姆接触电极和与P型层相对应的倒装焊金属焊料层及其引线电极；6)最后利用倒装焊技术将管芯倒装焊到具有N型欧姆接触电极和与P型层相对应的倒装焊金属焊料层及其引线电极的支撑体上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101047300A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610067460.1
申请日：2006-03-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种不对称的脊形波导氮化镓基半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底依次生长的欧姆接触层、下限制层、下波导层、有源层、电子阻挡层、上波导层、上限制层、覆盖层，经过刻蚀后该上限制层形成台阶状结构，并制作绝缘层及欧姆电极。其是利用刻蚀方法在平行于结的方向形成不对称脊形波导GaN基激光器结构，该结构在脊形条宽较大时也可以实现激光器在基模下工作，这种结构的脊形宽度较普通脊形结构实现基模工作所允许的脊形宽度大，在注入电流密度相同的情况下，可以增加注入电流，从而提高激光器在基模工作时的输出功率。
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公开(公告)号：CN1330009C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN03119842.2
申请日：2003-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种小尺寸氮化镓基蓝、绿色发光二极管管芯的制作方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上分别制作N型氮化镓层、有源区和P型氮化镓层；在设计的N型欧姆接触电极区域利用刻蚀或腐蚀的方法形成一个圆形直径或方形边长小于50μm的孔，直到N型接触层；然后在样品表面蒸镀一层二氧化硅或氮化硅等绝缘薄膜；接着用光刻和腐蚀的方法将N型接触层上的绝缘膜腐蚀掉，露出N型接触层，而保留孔的侧墙面及台面上圆形直径或方形边长为100μm的绝缘层；在P型氮化镓层上制备P型欧姆接触电极；用光刻和蒸发或溅射的方法形成氮化镓基发光二极管的N型层欧姆接触电极；最后用切割法或划片法沿设计好的管芯的分割道分割成单个管芯。
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公开(公告)号：CN1300860C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN03106434.5
申请日：2003-02-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基发光二极管N型层欧姆接触电极的制作方法，包括如下步骤：1)在蓝宝石衬底上的氮化镓基发光二极管的外延结构上用干法刻蚀或湿法腐蚀的方法在设计的管芯的N电极区域刻蚀出直径或边长小于50μm的圆型或方形或任意形状的刻蚀孔，直到N型接触层；2)在P型氮化镓层上制备一层P型透明电极；3)在样品上蒸镀二氧化硅或氮化硅等绝缘膜；4)用光刻和腐蚀的方法将刻蚀或腐蚀出的N型层上的绝缘膜腐蚀掉，露出N型层，保留刻蚀孔侧墙面及台面上直径或边长约为100μm大小的绝缘膜；5)最后用光刻和蒸发或溅射的方法制备N电极，形成氮化镓基发光二极管的N型层欧姆接触接触电极。
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公开(公告)号：CN1627544A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200310120544.3
申请日：2003-12-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法，包括如下步骤：在蓝宝石等绝缘衬底上生长氮化镓N型氮化镓层，发光有源区和P型氮化镓层；在管芯的P型氮化镓层上制备P型欧姆接触电极；将蓝宝石衬底减薄到70μm到150μm之间；在支撑体上沉积二氧化硅或氮化硅等绝缘隔离层，在沉积有二氧化硅或氮化硅等绝缘隔离层的支撑体上蒸镀与管芯P型欧姆接触电极大小相对应的金属焊料层；在管芯P型欧姆接触电极上开孔；在开孔后的支撑体的背面蒸镀或电镀金属层，引出管芯的P型电极；在倒装焊好管芯的背面利用光刻和蒸发等方法在管芯的侧面沉积一金属层；最后将具有单个管芯支撑体的P型欧姆接触电极焊接到热沉上，形成一个完整的具有良好导热性能的管芯。
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公开(公告)号：CN1531120A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN03120597.6
申请日：2003-03-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明一种氮化镓基发光二极管管芯的制作方法，该方法适用于碳化硅衬底、硅衬底和砷化镓等导电衬底上外延的氮化镓基发光二极管结构的管芯的制作，包括如下步骤：1)在碳化硅等导电衬底上分别制作N型氮化镓层、有源区和P型氮化镓层；2)在P型GaN层上制备P型欧姆接触接触电极；3)将衬底从背面用研磨的方法或离子减薄技术将其减薄到70μm到150μm之间；4)在减薄的面上用光刻和蒸发或溅射的方法制备N电极；5)最后用切割法或划片法沿设计好的管芯的分割道分割成单管芯。
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