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公开(公告)号：CN101173348A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200610114192.4
申请日：2006-11-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种低损伤PECVD沉积致密的SiO2掩膜层的方法，其特征在于，其包括如下的步骤：步骤1：清洗GaN基片：GaN基片用清洗液清洗并吹干；步骤2：沉积SiO2掩蔽层：将经过清洗和吹干后的GaN基片，放入PECVD真空室内，进行沉积SiO2；步骤3：沉积SiO2完成后，持续的充入N2，等腔室的温度降低，从真空室退出GaN基片到预腔室，取出沉积有SiO2掩蔽层的GaN基片；步骤4：采用椭偏仪测量生长的SiO2掩蔽层的厚度。
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公开(公告)号：CN101064275A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200610076521.0
申请日：2006-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/82 , H01L21/822 , H01L21/84
Abstract: 一种采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法，包括如：在衬底上依次生长典型的HEMT材料结构和RTD材料结构；光刻出RTD发射区的图形制备AuGeNi金属层，形成RTD金属发射极；光刻，形成有源区；光刻出HEMT的源漏电极；高温退火；光刻出HEMT栅槽图形刻蚀掉部分重掺杂帽层；在器件表面淀积生长一层钝化介质层；光刻出HEMT的栅电极图形生成TiPtAu金属作为HEMT器件的栅电极；光刻出引线孔；光刻出引线互连区域，蒸发或溅射厚TiAlTiAu金属电极，去胶剥离。
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公开(公告)号：CN100479208C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200610003199.9
申请日：2006-02-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种利用倒装技术制作功率型微结构发光二极管管芯的方法，包括如下步骤：1)在蓝宝石衬底上生长外延层结构；2)在外延层结构上刻蚀形成圆台；3)制作n型网状欧姆接触电极和电极焊点；4)在整个器件结构的上表面淀积二氧化硅或氮化硅绝缘层；5)将圆台上表面的绝缘层腐蚀掉；6)在整个器件结构的上表面除电极焊点外的其它区域淀积p型加厚高反射率金属电极；7)光刻腐蚀n电极焊点上面的绝缘层；8)将蓝宝石衬底的背面减薄，切割成单个管芯结构；9)在硅支撑体上的淀积介质层；10)将管芯结构通过凸点与硅支撑体倒装焊接；11)切割，形成发光二极管管芯。
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公开(公告)号：CN101286539A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200710065319.2
申请日：2007-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种氮化镓基小芯片LED阵列结构，包括：一蓝宝石衬底；一N－GaN层制作在蓝宝石衬底上，该N－GaN层上面的一侧形成有一台阶；一有源层制作在N－GaN层上的最上面；一P－GaN层制作在有源层上；一Ru/Ni层制作在P－GaN层的中间部位；一Ag/Pt/Au层制作在Ru/Ni层上；一N－GaN金属电极制作在N－GaN层一侧形成的台阶上；一SiO2钝化层制作在P－GaN层上面暴露的部分，及P－GaN层、有源层的侧面和N－GaN层一侧的台阶部分的表面，以上结构形成基片；一硅层，在硅层上面的两侧制作有Ni/Ag层，形成硅支撑体；该基片倒置与上述硅支撑体压焊，形成氮化镓基小芯片LED阵列结构。
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公开(公告)号：CN101174661A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200610114193.9
申请日：2006-11-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法，包括：在GaN基功率型LED的材料结构上沉积一掩蔽层；腐蚀出叉指状N－GaN电极；去除光刻胶清洗；在GaN基片表面沉积一隔离层；电极剥离；腐蚀掉SiO2掩蔽层；电子束蒸发制备P－GaN半透明电极金属化体系NiAu；电极剥离后，在N2∶O2＝2∶1min氛围合金温度500℃进行合金化处理5min，减小P－GaN半透明电极的金属化体系NiAu与P－GaN层之间的欧姆接触电阻，提高P－GaN半透明电极与P－GaN的接触强度和热稳定性；最后光刻出P－GaN加厚电极，完成P、N电极的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101026204A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610003199.9
申请日：2006-02-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种利用倒装技术制作功率型微结构发光二极管管芯的方法，包括如下步骤：1)在蓝宝石衬底上生长外延层结构；2)在外延层结构上刻蚀形成圆台；3)制作n型网状欧姆接触电极和电极焊点；4)在整个器件结构的上表面淀积二氧化硅或氮化硅绝缘层；5)将圆台上表面的绝缘层腐蚀掉；6)在整个器件结构的上表面除电极焊点外的其它区域淀积p型加厚高反射率金属电极；7)光刻腐蚀n电极焊点上面的绝缘层；8)将蓝宝石衬底的背面减薄，切割成单个管芯结构；9)在硅支撑体上的淀积介质层；10)将管芯结构通过凸点与硅支撑体倒装焊接；11)切割，形成发光二极管管芯。
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公开(公告)号：CN100495682C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610076521.0
申请日：2006-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/82 , H01L21/822 , H01L21/84
Abstract: 一种采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法，包括如：在衬底上依次生长典型的HEMT材料结构和RTD材料结构；光刻出RTD发射区的图形制备AuGeNi金属层，形成RTD金属发射极；光刻，形成有源区；光刻出HEMT的源漏电极；高温退火；光刻出HEMT栅槽图形刻蚀掉部分重掺杂帽层；在器件表面淀积生长一层钝化介质层；光刻出HEMT的栅电极图形生成TiPtAu金属作为HEMT器件的栅电极；光刻出引线孔；光刻出引线互连区域，蒸发或溅射厚TiAlTiAu金属电极，去胶剥离。
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公开(公告)号：CN101286540A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200710065320.5
申请日：2007-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种GaN基功率型LED的P、N双透明接触电极，包括：一蓝宝石衬底；一N－GaN层制作在蓝宝石衬底上，该N－GaN层上面的一侧形成有一台阶；一有源层制作在N－GaN层上的最上面；一P－GaN层制作在有源层上；一Ru/Ni层制作在P－GaN层的中间部位；两ITO层分别制作在Ru/Ni层及N－GaN层上面的一侧的台阶上，该Ru/Ni层与其上的ITO层为P电极，该N－GaN层上的ITO层为N电极；两压焊点Cr/Ag/Au层分别制作在两ITO层上面的部分区域；一SiO2钝化层制作在P－GaN层上面暴露的部分，及P－GaN层、有源层的侧面和N－GaN层一侧的台阶部分的表面。
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公开(公告)号：CN1755954A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200410081010.9
申请日：2004-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/17 , H01L33/0079 , H01L33/64 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/13025 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2933/0075 , Y10S977/759 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 一种背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法，包括：在蓝宝石等绝缘衬底上依次外延生长N型氮化镓层，多量子阱发光有源区和P型氮化镓层；光刻刻蚀到N型氮化镓层内，制备P型欧姆接触电极和N型欧姆接触电极；划片将外延片上的管芯分割成单个管芯；在硅片上双面生成二氧化硅绝缘隔离层，在正面制备金属电极，背面光刻出背孔图形；形成背孔；在硅片正面采用厚胶光刻电镀凸点图形；在硅片背面制备一层低熔点的合金，形成管座；在管座背面直接与管壳热沉相接；将管芯和管座正面通过金属凸点焊接起来，从硅片正面制作的金属电极上引出发光二极管的N电极，从管壳热沉的背面引出发光二极管的P电极。
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