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公开(公告)号：CN101736398A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810225783.8
申请日：2008-11-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种用氮气、氢气混合气作为载气生长高质量AlInN单晶外延膜的方法，包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温至生长温度，同时通入三甲基铟TMIn、三甲基铝TMAl、氨气NH3，氮气N2和适量氢气H2，生长出AlInN单晶外延膜。利用本发明，可以提高AlInN的结晶质量，并改善其表面形貌，提高其表面的平整度。
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公开(公告)号：CN100514775C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610113238.0
申请日：2006-09-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制作氮化镓基激光器管芯的方法，该方法包括：A、在制作的激光器外延结构的表面蒸镀P型欧姆接触电极；B、利用介质膜或光刻胶作掩膜在蒸镀了P型欧姆接触电极的激光器外延结构上刻蚀出激光器的N型接触区域；C、利用光刻胶作掩膜刻蚀出激光器的脊型结构，并保留剩余的光刻胶掩膜；D、在刻蚀出脊型结构的激光器上蒸镀或沉积介质膜隔离层；E、采用剥离的方法露出脊型表面的P型欧姆接触电极；F、采用光刻和蒸镀金属电极的方法形成激光器的P型加厚电极和N型欧姆接触电极。利用本发明，使激光器工作电流的注入均匀，进而易于制作脊型宽度窄的激光器，实现了激光器的基模工作。
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公开(公告)号：CN101445955A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710178282.4
申请日：2007-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/02
Abstract: 一种空间调制原子层化学气相淀积外延生长的装置，其特征在于，其中包括：一进气蓬头，该进气蓬头为桶形，该进气蓬头内分成多个区，每一个区都是原料气的进气喷口；一基座，该基座为柱状体，该基座的上面制作有多个圆形凹槽，该圆形凹槽用以放置衬底，该基座的直径小于或等于进气蓬头的直径，该基座可以旋转；其中进气蓬头位于基座具有圆形凹槽的表面的一侧，该进气蓬头与基座之间相隔有一距离，该进气蓬头靠近基座的一端为气体出口，远离基座的另一端为气体入口。
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公开(公告)号：CN100390511C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200410048228.4
申请日：2004-06-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提出一种新型的氮化镓紫外色度探测器，该器件能够判别照射到器件上的紫外光的波长。由于探测器的光电流与入射光强有关，不同的入射光强，表现出不同的光电流，所以普通的氮化镓(GaN)紫外探测器只能知道入射光是否是紫外光，而不能判断出紫外光的波长。在本发明提出的氮化镓紫外色度探测器的器件结构中，包含了两个背靠背的PIN结构氮化镓紫外探测器，这两个单元器件的具体结构参数不同，导致了两个器件的响应光谱也不同，但是这两个器件的光电流谱的比值是固定的，与入射光的光强无关，只与入射光的波长有关。只要利用合适的读出电路，能够得到与这两个单元器件的光电流的比值相关的数值，就可以判断出入射紫外光的具体波长。
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公开(公告)号：CN101101935A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200610111262.0
申请日：2006-08-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种提高GaN基肖特基结构性能的紫外探测器，其特征在于，器件结构包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上；一高浓度的N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在成核层上；一有源层，该有源层制作在N型欧姆接触层上面的中间；一肖特基接触电极，该肖特基接触电极制作在有源层上；一欧姆接触电极，该欧姆接触电极为点状结构或环形结构，制作在欧姆接触层上面的两侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100353576C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200410095294.7
申请日：2004-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法，包括如下步骤：在蓝宝石等绝缘衬底上依次外延生长氮化镓N型接触层，发光有源区和P型氮化镓层；在P型氮化镓层上淀积二氧化硅或氮化硅绝缘层；将蓝宝石衬底从背面减薄；在支撑体上沉积二氧化硅或氮化硅绝缘隔离层；利用光刻和电镀或蒸发、溅射、印刷的方法分别在P型、N型引出电极金属层的部分区域制作P型金属焊料凸块和N型金属焊料凸块；利用倒装焊技术将分割好的单个管芯和支撑体焊接在一起；根据设计的管芯大小，将支撑体用划片或切割的方法分割成具有单个管芯的支撑体，也可以先将支撑体切割成单个管芯的支撑体之后，再利用倒装焊技术将分割好的单个管芯和支撑体焊接在一起。
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公开(公告)号：CN1956227A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200510118017.8
申请日：2005-10-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/108 , G01J1/02
Abstract: 本发明一种背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器，其特征在于，包括：一衬底；一成核层，该成核层生长在衬底上；一欧姆接触层，该欧姆接触层生长在成核层上；一有源层，该有源层生长在欧姆接触层上，该有源层的面积小于欧姆接触层的面积，位于欧姆接触层上面的一侧或中间；一欧姆电极，该欧姆电极制作在欧姆接触层上，位于欧姆接触层上面的另一侧或有源层的四周；一肖特基电极，该肖特基电极制作在有源层上，完成器件的制作。
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公开(公告)号：CN1877868A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200510011898.3
申请日：2005-06-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提出了一种新型的氮化镓基MSM结构紫外探测器，在本发明提出的新型氮化镓基MSM结构紫外探测器中，在普通的氮化镓基MSM探测器材料结构N－－AlxGa1－xN(0≤x＜1＝上，外延生长一层薄的AlyGa1－yN材料(P型或者N型均可，0≤x＜y≤1＝，当光子能量在N－－AlxGa1－xN材料的禁带宽度附近的入射光照射到器件上时，能够透过表面的AlyGa1－yN层，被有源区N－－AlxGa1－xN材料层吸收，这样光生载流子只会受到AlyGa1－yN/N－－AlxGa1－xN界面层之间的界面态复合的影响，一般来说，界面态密度远低于表面态密度，这样器件的外量子效率得到了提高。
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公开(公告)号：CN1681134A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200410033586.8
申请日：2004-04-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/108 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种氮化镓基肖特基结构紫外探测器，其特征在于，其中包括：一衬底；一欧姆接触层，该欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在欧姆接触层的上面，该有源层的面积小于欧姆接触层；一覆盖层，该覆盖层制作在有源层上；一欧姆电极，该欧姆电极制作在欧姆接触层上；一肖特基电极，该肖特基电极制作在覆盖层上。
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公开(公告)号：CN1627543A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200310120176.2
申请日：2003-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种利用倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法，包括：1)在蓝宝石等绝缘衬底上利用金属化学有机气相沉积方法外延生长N型氮化镓层、发光有源区和P型氮化镓层；2)在设计好的管芯的P型氮化镓层上制备具有高反射率的P型欧姆接触电极；3)将蓝宝石等绝缘衬底从背面用研磨的方法或离子减薄技术将其减薄；4)利用切割法或划片法等管芯分割技术沿设计好的管芯的分割道将外延片上的管芯分割成单个管芯；5)在高热导率的支撑体上制备N型欧姆接触电极和与P型层相对应的倒装焊金属焊料层及其引线电极；6)最后利用倒装焊技术将管芯倒装焊到具有N型欧姆接触电极和与P型层相对应的倒装焊金属焊料层及其引线电极的热导率高的支撑体上。
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