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公开(公告)号：CN108933030A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201710386702.1
申请日：2017-05-26
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种变压器，所述变压器包括第一线圈部、第二线圈部、第三线圈部、第一承载层和第二承载层，其中：所述第一线圈部位于所述第一承载层表面上；所述第二线圈部和所述第三线圈部位于所述第二承载层表面上；所述第一线圈部与所述第三线圈部形成第一方向上的耦合；所述第二线圈部与所述第三线圈部形成第二方向上的耦合；其中，所述第一方向和所述第二方向垂直。
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公开(公告)号：CN108022913A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201610942121.7
申请日：2016-11-01
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Abstract: 一种变压器，包括：衬底；第一线圈结构，包括：第一单层线圈以及第一叠层线圈；第二线圈结构，包括：第二单层线圈以及第二叠层线圈。本发明技术方案可以通过垂直所述衬底表面方向上，所述第一单层线圈和所述第二单层线圈之间实现。所以本发明技术方案能够有效的增加所述第一线圈结构和所述第二线圈结构之间电磁耦合的面积，从而提供电磁耦合效率。在相同的耦合要求情况下，本发明技术方案可以减少所述第一叠层线圈和所述第二叠层线圈的数量，从而能够有效的减小所述第一线圈结构和所述第二线圈结构的面积，减小所述变压器面积。
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公开(公告)号：CN104810349B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201410035674.5
申请日：2014-01-24
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01F17/00 , H01F27/28
Abstract: 本发明提供一种差分电感器，至少包括：第一端口、第二端口及底层线圈；所述底层线圈的内外圈金属线圈之间通过若干第一斜线连接件以交叉方式连接；所述底层线圈的最外圈金属线圈正上方形成有一圈顶层金属线圈；所述顶层金属线圈通过所述第一端口、第二端口、及若干触点与所述底层线圈以并联方式连接；所述顶层金属线圈与所述底层线圈之间仅最外圈金属线圈堆叠并共用所述底层线圈中除最外圈金属线圈以外的所有的金属线圈。本发明的电感器中顶层线圈与底层线圈之间并联且仅最外层金属线圈堆叠，减少了耦合电容；同时连接处厚度增加，提高了线圈通电能力并降低损耗；二者共同作用，可以整体提升电感器Q值超过15%。
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公开(公告)号：CN104218020B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201310224040.X
申请日：2013-06-05
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522
CPC classification number: H01L28/10 , H01L23/5225 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/19042 , H01L2924/19051 , H01L2924/19104 , H01L2924/00
Abstract: 一种接地屏蔽结构及半导体器件，该屏蔽结构包括：衬底；位于衬底上方的介质层；多个间隔排列的导电环，位于衬底或介质层内，导电环又包括多个间隔排列的子导电环，任意两个子导电环中，其中一个子导电环被另一个子导电环包围，相邻两个子导电环之间的间距小于相邻两个导电环之间的间距；接地环，与所有子导电环电连接。导电环被分割为多个子导电环，每个子导电环可等效为电阻，由于所有子导电环均与具有固定电位的接地环电连接，使得每个导电环中的所有子导电环并联在一起；减小了每个导电环的电阻值，进而使得接地屏蔽结构向半导体器件中引入的寄生电阻效应有所减小，提高了感应器元件的品质因数Q。
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公开(公告)号：CN104952853A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410116374.X
申请日：2014-03-26
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/552
Abstract: 本发明公开了一种新型的图案化接地屏蔽（PGS）结构，该PGS结构包括内部金属堆叠结构，并且该金属堆叠结构位于电感线圈的底部。根据本发明提出的PGS结构能够在较高频率范围内提高Q值大小，内部金属层的金属密度由0%增加到6.3%，提高了后端制程工艺的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104733426A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201310705806.6
申请日：2013-12-19
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01F17/00
Abstract: 本发明提供一种螺旋差分电感器，至少包括：第一端口及与所述第一端口相向设置的第二端口；底层线圈及形成于所述底层线圈上方的顶层线圈；所述底层线圈及所述顶层线圈均为螺旋线圈；所述顶层线圈的外端与所述第一端口连接，所述底层线圈的外端与所述第二端口连接，所述顶层线圈及所述底层线圈的内端相互连接实现串联；所述顶层线圈的面积大于所述底层线圈的面积。本发明的差分电感器第一端口和第二端口的Q性能及电感性能非常匹配，可以节省30%以上的有效面积，并且在1.8~5GHz频段的Q性能相对于传统电感器结构有很大提升。
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公开(公告)号：CN104103630A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201310113669.7
申请日：2013-04-02
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/58 , H01L23/64
Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的接地环；位于半导体衬底表面的接地屏蔽结构，所述接地环包围所述接地屏蔽结构，所述接地屏蔽结构包括若干同心导电环、以及沿所述导电环的半径方向贯穿若干导电环的导电线，且所述导电线和接地环电连接，所述若干导电环均具有若干开口，且相邻导电环的开口交错设置；位于所述半导体衬底、接地环和接地屏蔽结构表面的介质层，所述介质层包围所述接地环和接地屏蔽结构；位于介质层表面的半导体器件。本发明的半导体器件能够提高屏蔽能力、减少衬底损耗，提高半导体器件性能。
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公开(公告)号：CN101834213A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200910047571.X
申请日：2009-03-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 程仁豪
Abstract: 本发明提供一种半导体可变电容，包括：半导体衬底；离子阱，位于所述半导体衬底上，其内设有多个离子掺杂区域，各区域分别作为源极或漏极；栅极介电层，位于所述离子阱上；栅极，位于源极和漏极之间并叠加在所述栅极介电层上方；绝缘层，位于所述离子阱上表面、栅极介电层和栅极叠加而成的侧壁以及栅极上表面，位于所述绝缘层侧壁还设有侧墙。与现有半导体可变电容相比，本发明的半导体可变电容由于在栅极与漏极重叠部分以及栅极与源极重叠部分的地方，其掺杂浓度比含有LDD/Pck的半导体可变电容要轻很多，增加耗尽层的宽度，降低了及栅极与源极、栅极与漏极之间的电容Cf值，从而提高了电容的调频范围。
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公开(公告)号：CN101105518B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610028787.8
申请日：2006-07-10
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种半导体器件漏电流检测方法，包括：获得漏极电流与栅极电压关系曲线；将所述漏极电流与栅极电压关系曲线分段，对各分段区间求跨导，获得具有第一峰值和第二峰值的跨导与栅极电压关系曲线；计算跨导与栅极电压关系曲线内跨导第二峰值与两峰值之间跨导最小值的比值；将所述比值与预设判别标准比较，若所述比值符合预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响满足产品要求；若所述比值超出预设判别标准，则判定漏电流对器件性能的影响已超出产品要求。
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公开(公告)号：CN101459177A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710094474.7
申请日：2007-12-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 程仁豪
IPC: H01L27/06 , H01L21/822 , H01L21/02
Abstract: 一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有沿半导体衬底方向的PN结以及在半导体衬底上形成有介质层；在介质层上对着半导体衬底中的垂直于半导体衬底方向的PN结的位置形成平面螺旋电感器。本发明还提供一种半导体器件。通过在介质层上对着半导体衬底中的垂直于半导体衬底方向的PN结位置形成平面螺旋电感器，降低平面螺旋电感器在半导体衬底中的损耗。
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