公开(公告)号：CN1240302A

公开(公告)日：2000-01-05

申请号：CN99108640.6

申请日：1999-06-18

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 水谷匡希 ,  谷川功 ,  中川克己 ,  庄司辰美 ,  浮世典孝 ,  岩崎由希子

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/76251 ,  C23C16/01 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50 ,  Y10S156/93 ,  Y10S156/942 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/1978

Abstract: 提供一种生产半导体薄膜的方法,其中在具有弯曲表面的支撑件弯曲表面上支撑形成于衬底上的半导体薄膜的同时,还旋转支撑件,从而将半导体薄膜从衬底上剥离下来。此外还提供生产半导体薄膜的方法,该方法包括将形成于衬底上半导体薄膜从衬底上剥离下来的步骤,其中在不用粘接剂将衬底固定于衬底支撑件上之后进行剥离步骤。这样提供将半导体薄膜从衬底上剥离下来而不使其损伤的方法和保持衬底而不使其沾污的方法。

公开(公告)号：CN1198020A

公开(公告)日：1998-11-04

申请号：CN98108876.7

申请日：1998-03-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩崎由希子 ,  中川克己 ,  米原隆夫 ,  西田彰志 ,  坂口清文

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/2007

Abstract: 生产半导体衬底的方法,对第一衬底的表面阳极化形成多孔层;在多孔层表面和第一衬底与多孔层一侧相对侧的表面上同时形成半导体层;把多孔层表面上形成的半导体层的表面连接到第二衬底的表面上;在多孔层部分分离第一衬底和第二衬底使多孔层表面上形成的半导体层转换到第二衬底上,从而在第二衬底的表面上提供半导体层。这使得可以以低的成本生产半导体衬底,同时可很好地利用昂贵的衬底材料。

公开(公告)号：CN1159079A

公开(公告)日：1997-09-10

申请号：CN96121056.7

申请日：1996-09-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 荒尾浩三 ,  中川克己 ,  岩崎由希子

IPC: H01L31/00

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/52 ,  Y02P70/521 ,  Y10S136/291

Abstract: 一种制造包含顺序层叠于含铁基片上的金属层、第一透明导电层、半导体层和第二透明导电层的光电器件的方法，包括通过由溶液淀积构成金属层的材料形成金属层和通过由溶液淀积构成第一透明导电层的材料形成第一透明导电层的步骤。